試固體物質的晶格能的振動特性，可幫助我們從微觀的角度來分析其微觀特性，并且在固有屬性和結構-性質規則方面提供更多的創新視角。拉曼光譜通過使用XperRam Compact（Nanobase）光譜儀在室溫下進行測試，所用激發光源為633nm。NMS陶瓷晶體的拉曼散射光譜如圖1所示，圖1（a）所示樣品的拉曼峰都很相似，基線都很平坦，并且振動峰都很尖銳。根據群論分析結果，空間群為P21/n的晶體應該有24個拉曼有源振動模式（12Ag+12Bg）。然而，在實際的拉曼峰中，只有12個峰被檢測到，這是因為拉曼有源峰的疊加以及設備分辨率的影響。在100-270cm-1位置處，主要是由于A-位點陽離子（Nd3 ...

播到界面，向晶格的熱弛豫較低，這意味著金屬/二氧化硅界面處的聲子轉移較弱。另一方面，在非貴金屬中，聲子轉移增加并在界面處達到重要的溫度。這些金屬中重要的電子-聲子耦合導致晶格的大的熱弛豫。盡管鉑和鉻薄膜具有很強的電子-聲子耦合，但到達金屬/二氧化硅界面的最高聲子溫度是在鋁界面獲得的。這是由于鋁的熱容量低于鉻和鉑(見表一)。根據圖3中的插圖，代表所考慮的6種材料在最初300 ps期間的金屬/二氧化硅界面聲子溫度。鋁和鉻膜具有一個重要的特征:與其他金屬相比，界面聲子溫度在更短的時間(40 ps)內弛豫(表1中的值)。金屬/二氧化硅界面上的這種快速弛豫導致向目標層的快速聲子傳輸。因此，鋁膜的熱行為， ...

致MoTe2晶格對稱性的選擇性的輕微破壞。圖1 在532nm激發光下的純的MoTe2, 1% Fe-MoTe2，2% Fe-MoTe2和5% Fe-MoTe2拉曼光譜圖圖2（a）顯示了具有代表性樣品的2% Fe-MoTe2的HRTEM（高分辨透射電鏡）顯示了連續的平面間距為0.305nm，其對應于2H-MoTe2的（100）晶格平面。并且四個不同地區相對應的快速傅里葉轉換（FFT）研究了微量Fe離子摻雜的摻雜后對MoTe2晶格的影響。傅里葉圖中①和④的區域現實了單晶MoTe2的六方結構，但是在傅里葉轉化圖②和③的區域內涌現出了雜質相，表明引入的Fe離子的尺寸，此結果從微觀結構上直觀的說明了Fe ...

m)的硅鍺超晶格的熱導率。ASOPS的另一個重要特性是探測速率可以比泵浦速率慢很多倍，fpump = nf probe+δf，其中n是整數。這使得能夠以慢得多的采集速率對超快現象進行采樣。例如，Pradere等人使用這種技術，使用紅外相機以僅25 Hz的采集速率對30 KHz的熱波進行采樣。您可以通過我們的官方網站了解更多的產品信息，或直接來電咨詢4006-888-532。 ...

致MoTe2晶格對稱性的選擇性的輕微破壞。圖1 在532nm激發光下的純的MoTe2, 1% Fe-MoTe2，2% Fe-MoTe2和5% Fe-MoTe2拉曼光譜圖圖2（a）顯示了具有代表性樣品的2% Fe-MoTe2的HRTEM（高分辨透射電鏡）顯示了連續的平面間距為0.305nm，其對應于2H-MoTe2的（100）晶格平面。并且四個不同地區相對應的相對應的快速傅里葉轉換（FFT）研究了微量Fe離子摻雜的摻雜后對MoTe2晶格的影響。傅里葉圖中①和④的區域現實了單晶MoTe2的六方結構，但是在傅里葉轉化圖②和③的區域內涌現出了雜質相，表明引入的Fe離子的尺寸，此結果從微觀結構上直觀的說 ...

的論文“用超晶格在半導體中放大電磁波的可能性”中提出的。在塊狀半導體晶體中，電子可能占據兩個連續能帶中的一個——價帶，其中大量填充著低能電子；導帶，其中少量填充著高能電子。這兩個能帶被一個帶隙隔開，在這個帶隙中沒有允許電子占據的狀態。傳統的半導體激光二極管，當導帶中的高能量電子與價帶中的空穴重新結合時，通過單個光子發出光。因此，光子的能量以及激光二極管的發射波長由所使用的材料系統的帶隙決定。然而，QCL在其光學活性區不使用塊半導體材料。相反，它由一系列周期性的不同材料組成的薄層組成，形成一個超晶格。超晶格在整個器件的長度上引入了一個變化的電勢，這意味著在器件的長度上，電子占據不同位置的概率是變 ...

輻射是通過超晶格量子阱[1]內能級間的子帶間躍遷來實現的。自1994年首次實驗演示以來，QCL技術得到了巨大的發展。這些性能水平是結構設計、材料質量和制造技術不斷改進的結果[3-5]。目前，它正在成為中紅外(中紅外)和太赫茲(太赫茲)頻率范圍內的激光源，并在氣體傳感、環境監測、醫療診斷、安全和國防[6]中有許多應用。西北大學量子器件中心(CQD)的目標是推進光電技術，從紫外到太赫茲光譜區域。這包括基于III-V半導體的許多不同技術的發展[7,8]。自1997年以來，CQD在量子級聯激光器QCL的發展上投入了相當大的努力，特別是在功率、電光轉換效率(WPE)、單模操作、調諧和光束質量方面，推動Q ...

，稱為可以在晶格中自由運動的自由電子，而原共價鍵中出現一個空位，稱為空穴。自由電子和空穴都是載流子，載流子則是可以運輸電流的載體。由于本征半導體導電性較差，因此為了提高其導電性會在其中摻入少量雜質，形成雜質半導體。半導體PN結則是由一個P型半導體和N型半導體組合而成。N型半導體：N型半導體是在純凈的硅晶體中摻入五價元素（磷和砷）組成的。雜質中四個價電子與硅組成共價鍵，剩余一個稱為自由電子（載流子）。因此N型半導體中載流子是自由電子。P型半導體：P型半導體是在硅中摻雜三價元素（硼）組成的。它和硅中價電子組成共價鍵時由于缺少一個價電子，從而形成空穴（載流子）。因此P型半導體中的載流子是空穴。將P型 ...

結構和基底的晶格常數都是很重要的因子。Al2O3和GaN都具有六方原子結構，其和MoS2的六方結構很相似。如果基底的晶格常數可MoS2的晶格常數很好的匹配，然后MoS2的單疇可能傾向于少于晶界的方向直線排列。Al2O3和GaN的晶格常數分別為4.76?和3.18?，并且和MoS2薄膜的晶格常數3.17?做比較。因此，Al2O3的晶格常數和MoS2的不匹配，然而卻可以和GaN相匹配。圖1. （a）和（b）得到了在SiO2基底上合成MoS2薄膜的拉曼光譜頻率成像圖，表明E_2g^1和A_1g峰分別在384cm-1和405cm-1處；（c）和（d）在特定頻率下的拉曼強度圖譜圖2（a）-（c）顯示了在 ...

子到斯格明子晶格的磁性相變。使用原位磁光克爾成像，疇變換的廣義描述與 FORC 分布峰在其反轉場和掃描場的相關聯的導出允許從 FORC 圖進行直接分析。在分析中通常被忽略的峰的掃描場被認為是疇傳播或成核向終端疇分離的過程。這個流程發現在誘導磁化不可逆性以揭示域轉換方面是必不可少的。此外，還開發了一個以 FORC 分布峰為特征的模型，以描述從孤立的斯格明子到斯格明子晶格相的轉變，并確定轉變的重要場范圍。這個研究為 FORC 分布的其他抽象數據建立了一種直觀的分析形式，用于表征斯格明子活躍場中的磁性斯格明子8.用于賽道存儲器中疇壁釘扎的傾斜磁化Tilted magnetisation for do ...