流子與半導(dǎo)體晶格碰撞的限制。當(dāng)電子到達(dá)倍增區(qū)時(shí),一個(gè)具有高電場(chǎng)|?→E(?)|的薄p?n+結(jié),通過(guò)重復(fù)的沖擊電離產(chǎn)生一個(gè)具有數(shù)百萬(wàn)二次電子的雪崩。在apd中,放大隨著反向偏置VOP的增加而增加。如果VOP高于擊穿電壓Vbreak,放大幾乎是無(wú)限的。在這一點(diǎn)上,光子產(chǎn)生自我維持的雪崩,而雪崩光電二極管(APD)以光子計(jì)數(shù)或蓋革模式工作。在一個(gè)光子擊中探測(cè)器后不久,電流就會(huì)隨著雪崩的開(kāi)始而上升,并導(dǎo)致穿過(guò)整個(gè)SPAD的電阻下降。通過(guò)將SPAD與電阻串聯(lián)起來(lái),可以通過(guò)鑒別電路檢測(cè)到VSPAD的擊穿(如圖2a所示)。每次雪崩都必須停止,即所謂的熄滅,以避免損壞二極管由于電流,并重新進(jìn)行部署。通常,可能 ...
, 通過(guò)測(cè)量晶格間距變化所造成的布拉格反射角的變化來(lái)確定磁疇結(jié)構(gòu)。X-射線衍射法的優(yōu)點(diǎn)是分辨率較離且能在觀測(cè)磁疇的同時(shí)對(duì)晶體的缺陷進(jìn)行觀測(cè), 從而能夠?qū)w曲線與磁疇結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系進(jìn)行研巧。但這種方法也有成本較高,不能檢測(cè)外場(chǎng)作用下的磁疇動(dòng)態(tài)變化的缺點(diǎn)。磁光克爾效應(yīng)法磁光克爾效應(yīng)根據(jù)光與磁性材料相互作用產(chǎn)生的磁光克爾響應(yīng)信號(hào)觀測(cè)磁疇。當(dāng)光從磁性材料表面反射時(shí),在磁疇表面產(chǎn)生的局部雜散磁場(chǎng)的作用下,反射光的偏振態(tài)會(huì)發(fā)生一定的變化, 且反射光偏振態(tài)的變化與局部雜散磁場(chǎng)的大小和方向有關(guān),反射光經(jīng)過(guò)檢偏器后偏振態(tài)的變化就會(huì)以光強(qiáng)分布的形式呈現(xiàn)出來(lái),再由成像系統(tǒng)接收后即可得到磁性材料表面的磁疇結(jié)構(gòu)分布。 ...
將能量傳遞給晶格,從而使等離子體溫度升高。在多激光脈沖重復(fù)作用過(guò)程中,激光誘導(dǎo)形成的缺陷逐步積累,材料的光學(xué)特性逐漸發(fā)生改變。二、飛秒激光的可行性驗(yàn)證材料的光學(xué)特性改變,已在多種材料中得到驗(yàn)證。德國(guó)馬克思-伯恩非線性光學(xué)和短脈沖光譜學(xué)研究所Ashkenasi等人發(fā)現(xiàn)釔理氟化物(YLF)和熔石英的表面燒蝕閾值在第1次脈沖激光輻射后會(huì)發(fā)生急劇下降;日本中部大學(xué)的Qi等人發(fā)現(xiàn)孵化效應(yīng)導(dǎo)致藍(lán)寶石的燒蝕閾值與輻射在襯底表面的激光脈沖數(shù)成反比。YAG 晶體在0.25-5 μm范圍內(nèi)具有較高的透過(guò)率,是一種優(yōu)良的紫外、紅外光學(xué)材料,且具有優(yōu)良的熱力學(xué)性質(zhì)、良好的抗溫度蠕變性,以及很強(qiáng)的耐高溫塑性變形能力。Y ...
替代,相鄰的晶格位置是空的。由于這種缺陷可以明亮地發(fā)射單光子,并且自旋可以被光學(xué)手段控制,晶體中心可以成為未來(lái)量子信息處理和量子網(wǎng)絡(luò)的有前途的固態(tài)量子發(fā)射器。在固態(tài)量子發(fā)射器中,量子點(diǎn)和金剛石中的氮空位(NV)中心是兩個(gè)成熟的系統(tǒng)。然而,在這兩個(gè)系統(tǒng)之間,NVs表現(xiàn)出超過(guò)1s的優(yōu)良相干時(shí)間,但缺乏產(chǎn)生難以區(qū)分光子所需的零聲子線(ZPL)的有效發(fā)射,而量子點(diǎn)在發(fā)射特性方面顯示出很大的前景,但限制在10ns相干時(shí)間。這突出了使用固態(tài)量子發(fā)射器工作的典型挑戰(zhàn):?jiǎn)喂庾赢a(chǎn)生發(fā)射器自旋相干時(shí)間zui近對(duì)金剛石部分SiV中的第四組空缺中心的調(diào)查顯示了滿足這一領(lǐng)域的希望結(jié)果。圖16:固態(tài)量子發(fā)射器結(jié)合其良好的 ...
轉(zhuǎn)移。因此,晶格氧氧化機(jī)理(LOM)是有利的,有可能克服吸附物析出機(jī)理(AEM)的限制。盡管在退火過(guò)程中, Co(OH)2轉(zhuǎn)化Co3O4導(dǎo)致鈷位點(diǎn)的氧化態(tài)增加,我們的原位拉曼光譜數(shù)據(jù)顯示,與Co(OH)2相比,退火后的Co3O4催化劑表面的CoOOH和CoO2的形成量相對(duì)較低。這表明負(fù)責(zé)OER的活性相更多地存在于非靜態(tài)氫氧化物表面上,而不是存在于結(jié)晶氧化物表面上。因此,我們假設(shè) Co3O4的OER活性低于Co(OH)2是由于高價(jià)鈷物質(zhì),如Co3+和Co4+的形成減少,因此有利于通過(guò)傳統(tǒng)的AEM而不是LOM進(jìn)行的OER過(guò)程。本文研究介紹了超薄非晶態(tài)氫氧化鈷納米片的合成,并根據(jù)簡(jiǎn)單熱處理引起的相變 ...
的插入導(dǎo)致碳晶格結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化。在放電過(guò)程中,由于鋰離子和炭黑分離,在 2.9 V 時(shí),D峰從1343.3藍(lán)移到33595px?1。同樣,G峰在 2.6 V 時(shí)恢復(fù),回到39895px?1,在 2.5 V 時(shí)恢復(fù)到39952.5px?1。隨著鋰離子在充放電過(guò)程中的遷移,G峰和D峰的頻率呈線性下降,然后增加。有趣的是,在LFP的兩相變變之前,在3.6 V處觀察到zui低R值(D峰的積分強(qiáng)度除以G峰的積分強(qiáng)度)。原位LFP/SWCNT電極在充放電過(guò)程中的拉曼光譜如圖2。值得注意的是,來(lái)自SWCNTs的共振拉曼信號(hào)與SWCNTs中的電子躍遷共振相關(guān)。在使用 532 nm 激光線 (2.33 eV) ...
能夠充分利用晶格匹配和應(yīng)變補(bǔ)償InGaAs/InAlAs材料的帶隙偏移,而MWIR激光器需要高應(yīng)變生長(zhǎng)以改善電子約束,從而提高電流注入效率。這種MWIR設(shè)計(jì)方法的缺點(diǎn)是需要高偏置電壓,這反過(guò)來(lái)又有助于產(chǎn)生更大的熱功率。LWIR范圍內(nèi)的典型工作電壓(7-10 V)明顯低于MWIR范圍(10-15 V),從而使應(yīng)用工程更具容忍度。LWIR激光器的典型能帶結(jié)構(gòu)如圖3所示與InP匹配的InGaAs/InAlAs晶格的帶偏移估計(jì)為βECB = 0.52 eV,激光發(fā)射波長(zhǎng)為λ = 9.1 μm(對(duì)應(yīng)βEL = 0.136 eV)。考慮到激光頂部水平應(yīng)在遠(yuǎn)離傳導(dǎo)帶連續(xù)體(例如,至少βEConf = 0.1 ...
As有源區(qū)域晶格,以及所謂的結(jié)合-連續(xù)體或等效方式的四個(gè)或更多有源阱。活性阱周期性地重復(fù)30-40次,并被厚的、低摻雜的、InP包層包圍,在頂部觸點(diǎn)下方有等離子體增強(qiáng)的約束層。圖1圖1顯示了器件QCL-A的電光特性。這種情況下的波導(dǎo)尺寸為:width×length = 7.5 μm×4 mm。發(fā)射波長(zhǎng)以λ = 6.14 μm為中心,Max輸出功率為P = 1.25 W。高反射涂層可用于器件的單面發(fā)射。在電流為I = 1.2 A時(shí),Max壁插效率(定義為器件的電光轉(zhuǎn)換效率,不包括熱電冷卻器(TEC)所需的功率,η = Pout/Pin)為η = 7%。對(duì)于安裝在銅散熱器上的激光器,該器件的閾值電 ...
yrmion晶格的各個(gè)skyrmion相之間的域變換過(guò)程是一致的。區(qū)域-區(qū)域分離的發(fā)散和迷宮狀態(tài)下的末端分離是決定FORC特征的另一個(gè)關(guān)鍵現(xiàn)象。此外,建立了一個(gè)以FORC分布峰為特征的模型來(lái)描述隨著κ的增加而發(fā)生的變化由此可以推導(dǎo)出粒子相位和其他有用的場(chǎng)范圍。本實(shí)驗(yàn)中使用的材料堆為Ta(5)/Ir(2)/ [Pt(1)/Co(0.5)/Fe(0.5)/Ir(0.8)]2/Ta(5)(名義層厚度以納米為單位),用于Pt/Co和Fe/Ir界面的強(qiáng)加性界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用(i-DMI)。采用熱氧化硅片作為襯底。材料堆在室溫下使用磁控濺射系統(tǒng)(AJA ATC-Orio ...
C的天空粒子晶格的MOKE圖像。在補(bǔ)充材料中可獲得19.0°C, 23.0°C和26.0°C的其他支持MOKE圖像。圖3圖3(c)在19.0°c和圖3(f)在26.0°c時(shí)沿負(fù)磁場(chǎng)向上掃至上峰的HR處,均顯示條狀疇破裂為更短的段和天空區(qū),留下條狀和天空區(qū)混合。然而,圖3(c)中的區(qū)域相距較遠(yuǎn),skyrmions稀疏,而圖3(f)中的skyrmions密度明顯較大,保持著接近于其終端分離的域-域分離。終端間距是指天際線或條紋之間的Min穩(wěn)定間隙。這種間隙類似于以前的研究中磁場(chǎng)增加的迷宮中更寬的區(qū)域所接近的區(qū)域?qū)挾取T谧銐虼蟮拇艌?chǎng)下,疇域分離在此終端寬度之外發(fā)散并接近飽和。在低峰的高HR處,圖3( ...
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