碳化硅材料的電致發(fā)光表征應(yīng)用SiC內(nèi)部中存在著各種各樣的擴(kuò)展缺陷，其中zui有害的三種是螺紋位錯(cuò)、內(nèi)生堆垛故障和復(fù)合誘導(dǎo)的堆垛故障（RISFs）。尤其特別的是，RISFs難以控制，因?yàn)樗鼈冊(cè)谠O(shè)備運(yùn)行過(guò)程中膨脹，導(dǎo)致雙極器件（如PIN二極管）的導(dǎo)通電壓持續(xù)增加。這種擴(kuò)張是由RISFs附近自由載流子的重組引起的。了解它們運(yùn)動(dòng)的機(jī)制對(duì)于減輕它們至關(guān)重要。電致發(fā)光（EL）通常用于識(shí)別擴(kuò)展缺陷：RISFs在2.89eV（430nm）處發(fā)射，而結(jié)晶故障區(qū)域的部分位錯(cuò)（PDs）在1.8電子eV（690nm）處發(fā)射。在4H-SiC中，部分錯(cuò)位在設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中也沿著碳芯部位會(huì)發(fā)出綠色熒光。即使通過(guò)熱處理使RIS ...

集熒光成像、電致發(fā)光、光致發(fā)光、透射率、反射率成像等諸多功能于一體。參考文獻(xiàn)：[1] Scheer R., Walter T., Schock H. W., Fearheiley M. L., Lewerenz H. J., CuInS2 based thin film solar cell with 10.2% efficiency, Applied Physics Letters, 63, (1993).[2] Suriakarthick R. et al., Photochemically deposited and post annealed copper indium dis ...

致發(fā)光PL和電致發(fā)光EL光譜成像進(jìn)行了探究[1]。實(shí)驗(yàn)采用了高光譜成像設(shè)備（IMATM），該設(shè)備擁有2nm的光譜分辨率和亞微米的空間分辨率。電致發(fā)光實(shí)驗(yàn)采用Vapp = 0.95 V 的源表。PL采用波長(zhǎng)為532nm的連續(xù)激光。在顯微鏡下的整個(gè)視場(chǎng)被激發(fā)，并同時(shí)收集來(lái)自一百萬(wàn)個(gè)點(diǎn)的PL信號(hào)。 圖1，（a）和（b）展示了CIGS微型CIGS太陽(yáng)能電池的PL和EL圖譜，利用他們的光譜信息和絕對(duì)校準(zhǔn)與廣義普朗克定律相結(jié)合，IRDEP的研究人員提取了樣品的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂成像圖見(jiàn)圖（c）和（d）該參數(shù)與太陽(yáng)能電池的最大電壓直接相關(guān)。借助太陽(yáng)能電池和LED間的倒易關(guān)系，可從EL成像圖譜中推算出外量子效率 ...

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.1 eV，電致發(fā)光波長(zhǎng)短至2.5 μm。QCL還可以在傳統(tǒng)上認(rèn)為光學(xué)性能較差的材料上進(jìn)行激光運(yùn)行。間接帶隙材料如硅在不同動(dòng)量值下具有小的電子和空穴能量。對(duì)于帶間光躍遷，載流子通過(guò)一個(gè)緩慢的中間散射過(guò)程改變動(dòng)量，顯著降低光發(fā)射強(qiáng)度。然而，子帶間的光躍遷不依賴于導(dǎo)帶和價(jià)帶小值的相對(duì)動(dòng)量，因此對(duì)Si/SiGe量子級(jí)聯(lián)發(fā)射體提出了理論建議。在中紅外和遠(yuǎn)紅外波段，觀察到非極性SiGe異質(zhì)結(jié)構(gòu)在價(jià)帶和導(dǎo)帶的子帶間電致發(fā)光。對(duì)量子級(jí)聯(lián)增益材料進(jìn)行處理以制備有用的發(fā)光器件的D1步是將增益介質(zhì)限制在光波導(dǎo)中。這使得將發(fā)射的光引導(dǎo)成準(zhǔn)直光束成為可能，并允許建立一個(gè)激光諧振器，這樣光可以耦合回增益介質(zhì)。電介質(zhì)材料 ...

離孔QCL的電致發(fā)光和激光發(fā)射光譜。(b) EL和DFB光譜，以及寬帶QCL的DFB閾值電流密度設(shè)計(jì)了一個(gè)含6個(gè)優(yōu)化子核的非均相QCL活性區(qū)，其輻射范圍為6 ~ 10 μm。所有子核心均基于相似的復(fù)合井方案。首次嘗試得到5.9 ~10 μm的單模DFB發(fā)射(圖5(b))。雖然在子峰之間增益不足，但可以通過(guò)改變子核的發(fā)射級(jí)數(shù)、相對(duì)排列方式和發(fā)射波長(zhǎng)來(lái)解決，從而實(shí)現(xiàn)扁平增益。5. 波長(zhǎng)靈活量子級(jí)聯(lián)激光器量子級(jí)聯(lián)激光器是光譜學(xué)研究的有力工具。廣泛的光譜覆蓋，結(jié)合窄線寬輸出和高功率使廣泛的應(yīng)用，包括光聲和對(duì)峙光譜。然而，傳統(tǒng)的窄線寬QCL的調(diào)諧范圍只有~5 cm?1，這通常限制了對(duì)單一類型分子的檢測(cè)。 ...

通過(guò)直接比較電致發(fā)光在頂發(fā)射(電子自旋極化方向垂直于量子阱)和邊發(fā)射(電子自旋極化方向在平面上)的圓極化，驗(yàn)證了這一效應(yīng)。適用于10 nm和15 nm寬的量子阱在邊緣發(fā)射幾何結(jié)構(gòu)中沒(méi)有發(fā)現(xiàn)明顯的圓極化，盡管在頂部發(fā)射中測(cè)量到了強(qiáng)烈的信號(hào)。然而，對(duì)于寬(體狀)量子阱(d≥50 nm)，在邊緣發(fā)射中甚至可以檢測(cè)到圓極化，這表明與窄量子阱相比，由于量子約束減弱，重空穴自旋獲得了面內(nèi)分量因此，對(duì)于寬GaAs/(Al,Ga)As-QW系統(tǒng)，光學(xué)選擇規(guī)則應(yīng)該仍然允許邊緣發(fā)射中的磁光效應(yīng)，但與大塊GaAs相比效率降低。如果使用限制在GaAs/(Al,Ga)As界面的二維電子氣體，情況就會(huì)發(fā)生變化，就像本實(shí)驗(yàn) ...

件光致發(fā)光和電致發(fā)光成像瓦倫西亞大學(xué)的Henk Bolink博士與IPVF（前身為IRDEP-法國(guó)光伏能源研究與發(fā)展研究所）的研究人員合作，研究了具有不同電子傳輸層（PCBM和C60）的混合有機(jī)-無(wú)機(jī)甲基碘化鉛鈣鈦礦（CH3NH3PbI3）太陽(yáng)能電池的性能。用IMA獲得的發(fā)光高光譜數(shù)據(jù)有助于識(shí)別此類器件中的嚴(yán)重不均勻性（圖1）。這些空間不均勻性與載體提取問(wèn)題有關(guān)，導(dǎo)致細(xì)胞的填充因子有限。圖1根據(jù)在1.15V和1.16V施加偏置下拍攝的EL高光譜圖像計(jì)算的當(dāng)前傳輸效率fT圖。對(duì)于使用PCBM（a，c，器件A）或C60（b，d，器件B）作為電子傳輸層（ETL）的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，在微尺度（頂部）和 ...

光（PL）或電致發(fā)光（EL）的強(qiáng)度映射為評(píng)估非輻射損耗和材料效率提供了一種迅速的方法。Photon etc.公司的IMA和GRAND-EOS高光譜顯微鏡提供了光譜和空間分辨的PL和EL圖，覆蓋了從幾百平方微米到幾平方厘米的不同視場(chǎng)。這些圖像能夠在2cm x 2cm的視場(chǎng)上顯示硅器件的EL圖像，捕捉到器件上的微小不均勻性，如圖1、圖2所示。這些不均勻性可能會(huì)影響器件的性能和效率，因此通過(guò)這些圖像進(jìn)行分析和評(píng)估對(duì)于改進(jìn)太陽(yáng)能電池的設(shè)計(jì)和制造至關(guān)重要。利用這些技術(shù)，研究人員和工程師可以迅速識(shí)別并解決潛在的問(wèn)題，以確保生產(chǎn)出高效且可靠的太陽(yáng)能電池。圖1、1040 nm的高光譜數(shù)據(jù)中提取的硅器件的電致發(fā) ...

s激光結(jié)構(gòu)。電致發(fā)光器件采用深蝕刻、直徑130μm的半圓形平臺(tái)，頂部觸點(diǎn)為Ti/Pt/Au，底部觸點(diǎn)為退火的Ge/Au/Ni/Au，并覆蓋Ti/Au。將Fabry-Perot激光器制作成雙溝槽深蝕刻脊波導(dǎo)激光器，采用380nm SiNx作為側(cè)壁絕緣，并向下安裝在復(fù)合金剛石底座上。為了進(jìn)行測(cè)試，所有的臺(tái)面和激光設(shè)備都安裝在AlN上的直接結(jié)合銅襯底上。電致發(fā)光(EL)光譜在不同溫度和脈沖電流(80kHz重復(fù)頻率;脈沖寬度100-500ns)，使用傅里葉變換紅外(FTIR)光譜儀進(jìn)行步進(jìn)掃描模式和ln2冷卻MCT探測(cè)器，波長(zhǎng)截止為12.5μm。在快速掃描模式下，使用相同的FTIR設(shè)置獲得激光光譜。脈 ...