光（PL）和電致發光（EL）成像研究了CIGS微電池（直徑為35μm）[3]。為了進行這樣的實驗，他們使用了光譜分辨率為2nm的高光譜成像儀（IMA），空間分辨率接近衍射極限（~μm）。EL采用源表，Vapp=0.95V。532nm激光用于PL（激發光照強度為0.58mw）。在顯微鏡物鏡下的整個視場被激發，同時收集來自百萬個點的PL信號。圖2（a）和（b）顯示了CIGS微電池的PL和EL圖像。通過結合其光譜分辨的PL和EL圖以及光度絕對校準方法，研究人員可以使用廣義普朗克定律來提取與電池zui大電壓直接相關的準費米能級分裂（Δμeff）（見圖1（c）和（d））。借助太陽能電池和LED之間的互易 ...

過p-n結的電致發光。一般來說，發光二極管工作時就是一個普通的半導體二極管：應用前導偏置產生一個流過p-n結的電流。外電場使電子-空穴對進入勢壘區的節點界面，在這里發生復合。復合可以是一個自發的輻射過程，也可以是晶體材料以振蕩形式將能量釋放到晶格的非輻射過程(成為聲子)。這個產生額外載體和隨后注入載體的重新組合稱為注入式電致發光。發光二極管發射的幾乎都是單色非相干光。發射光子的能量和發光二極管輻射光的波長取決于半導體材料形成p-n結的帶隙能。發射光子的能量近似由下列表達式決定：式中，h為普朗克常量；v為輻射光頻率；Eg為帶隙能，即半導體器件導帶和價帶的能量差。電子和空穴的平均動能由波爾茲曼分布 ...

K下臺面的電致發光值作為每級電壓的函數。如果有必要，可以用對原始數據擬合多個洛倫茲峰來確定EL的峰波數激光從閾值到功率翻轉點的光譜如圖所示。為了確定激光光譜的調諧趨勢，我們在峰值強度的10%高度測量了兩側的波數，并提取了激光波數的中點值，該方法的有效性將在后面討論。圖3顯示了EL峰值和激光波數，它們是每級電壓的函數。EL的調諧速率為700 cm?1 /V，與自一致Schr?dinger-Poisson求解器的計算結果吻合良好，如圖3所示。激光光譜在閾值以下可調諧，在閾值處可調諧性降低。可調性恢復20%以上的閾值電流密度。閾值以上激光光譜的調諧速率甚至高于EL，約為900 cm?1 /V。激光 ...

為與QCL的電致發光和激光波長共振(4.72 lm)，如圖1(b)所示。泵浦脈沖是剩余的OPA信號(1.38 lm)或空閑脈沖(1.95 lm)，光子能量分別高于和低于InGaAs qw的帶隙(1.60 lm)。為了在室溫下進行時間分辨測量并減少QCL的加熱，我們在250 kHz下對QCL (100 ns電脈沖寬度)進行脈沖偏置OPA和DFG的重復頻率，由1 ns中紅外探測器同步。與文獻11在低溫下對連續波偏置QCL進行簡并泵浦-探針測量不同的是，我們將QCL脈沖偏置剛好低于激光閾值，以z小化強激光QCL對探針傳輸的擾動。雖然損耗略大于增益，但實現了上下激光態之間的電子居數反轉，注入器基態能級 ...

臺樣品（用于電致發光和電子傳輸測量）由相同的晶圓使用類似的技術制造，除了不需要SiOx絕緣層。激光器的腔長從0.5到4.0 mm不等，并在銅散熱片的外延側安裝。此外，還制作了具有埋置異質結構波導和固定腔長1.9 mm的激光器，在其背面涂覆高反射率涂層，并將外延面向上安裝。圖3圖2a顯示了臺面樣品在80k和300k下的電致發光光譜。與預期相反，本設計中的超強耦合對增益譜寬沒有明顯的負面影響，如果有的話。輻射躍遷展寬與z佳可比常規設計相似。在非激光平臺樣品上的電子傳輸特性（電流-電壓特性）表征表明，與具有相似波長和片狀摻雜密度的典型高性能傳統設計相比，我們的超強耦合設計在大溫度范圍內具有更高的Ma ...

yes已成為電致發光和光致發光測量系統的國際領先供應商。這些設備使晶圓制造的優化和精確的質量評估成為可能，從而支持半導體行業的研究和發展。與柏林洪堡大學一起，Greateyes獲得了基于LED的光致發光檢測系統的柏林勃蘭登堡創新獎。Greateyes成立于2008年，是柏林洪堡大學的一個分支。依靠不斷的技術創新和精益求精的精神，這家初創公司很快發展成為一家國際知名公司。如今，它在許多不同國家的研究和工業領域擁有廣泛的客戶群。Greateyes科研相機已廣泛應用于生物成像、熒光光譜、天文觀測、高能物理、半導體檢測等領域。 ...