碳化硅材料的電致發光表征應用SiC內部中存在著各種各樣的擴展缺陷，其中zui有害的三種是螺紋位錯、內生堆垛故障和復合誘導的堆垛故障（RISFs）。尤其特別的是，RISFs難以控制，因為它們在設備運行過程中膨脹，導致雙極器件（如PIN二極管）的導通電壓持續增加。這種擴張是由RISFs附近自由載流子的重組引起的。了解它們運動的機制對于減輕它們至關重要。電致發光（EL）通常用于識別擴展缺陷：RISFs在2.89eV（430nm）處發射，而結晶故障區域的部分位錯（PDs）在1.8電子eV（690nm）處發射。在4H-SiC中，部分錯位在設備運行過程中也沿著碳芯部位會發出綠色熒光。即使通過熱處理使RIS ...

集熒光成像、電致發光、光致發光、透射率、反射率成像等諸多功能于一體。參考文獻：[1] Scheer R., Walter T., Schock H. W., Fearheiley M. L., Lewerenz H. J., CuInS2 based thin film solar cell with 10.2% efficiency, Applied Physics Letters, 63, (1993).[2] Suriakarthick R. et al., Photochemically deposited and post annealed copper indium dis ...

致發光PL和電致發光EL光譜成像進行了探究[1]。實驗采用了高光譜成像設備（IMATM），該設備擁有2nm的光譜分辨率和亞微米的空間分辨率。電致發光實驗采用Vapp = 0.95 V 的源表。PL采用波長為532nm的連續激光。在顯微鏡下的整個視場被激發，并同時收集來自一百萬個點的PL信號。 圖1，（a）和（b）展示了CIGS微型CIGS太陽能電池的PL和EL圖譜，利用他們的光譜信息和絕對校準與廣義普朗克定律相結合，IRDEP的研究人員提取了樣品的準費米能級分裂成像圖見圖（c）和（d）該參數與太陽能電池的最大電壓直接相關。借助太陽能電池和LED間的倒易關系，可從EL成像圖譜中推算出外量子效率 ...

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.1 eV，電致發光波長短至2.5 μm。QCL還可以在傳統上認為光學性能較差的材料上進行激光運行。間接帶隙材料如硅在不同動量值下具有小的電子和空穴能量。對于帶間光躍遷，載流子通過一個緩慢的中間散射過程改變動量，顯著降低光發射強度。然而，子帶間的光躍遷不依賴于導帶和價帶小值的相對動量，因此對Si/SiGe量子級聯發射體提出了理論建議。在中紅外和遠紅外波段，觀察到非極性SiGe異質結構在價帶和導帶的子帶間電致發光。對量子級聯增益材料進行處理以制備有用的發光器件的D1步是將增益介質限制在光波導中。這使得將發射的光引導成準直光束成為可能，并允許建立一個激光諧振器，這樣光可以耦合回增益介質。電介質材料 ...

離孔QCL的電致發光和激光發射光譜。(b) EL和DFB光譜，以及寬帶QCL的DFB閾值電流密度設計了一個含6個優化子核的非均相QCL活性區，其輻射范圍為6 ~ 10 μm。所有子核心均基于相似的復合井方案。首次嘗試得到5.9 ~10 μm的單模DFB發射(圖5(b))。雖然在子峰之間增益不足，但可以通過改變子核的發射級數、相對排列方式和發射波長來解決，從而實現扁平增益。5. 波長靈活量子級聯激光器量子級聯激光器是光譜學研究的有力工具。廣泛的光譜覆蓋，結合窄線寬輸出和高功率使廣泛的應用，包括光聲和對峙光譜。然而，傳統的窄線寬QCL的調諧范圍只有~5 cm?1，這通常限制了對單一類型分子的檢測。 ...

通過直接比較電致發光在頂發射(電子自旋極化方向垂直于量子阱)和邊發射(電子自旋極化方向在平面上)的圓極化，驗證了這一效應。適用于10 nm和15 nm寬的量子阱在邊緣發射幾何結構中沒有發現明顯的圓極化，盡管在頂部發射中測量到了強烈的信號。然而，對于寬(體狀)量子阱(d≥50 nm)，在邊緣發射中甚至可以檢測到圓極化，這表明與窄量子阱相比，由于量子約束減弱，重空穴自旋獲得了面內分量因此，對于寬GaAs/(Al,Ga)As-QW系統，光學選擇規則應該仍然允許邊緣發射中的磁光效應，但與大塊GaAs相比效率降低。如果使用限制在GaAs/(Al,Ga)As界面的二維電子氣體，情況就會發生變化，就像本實驗 ...

件光致發光和電致發光成像瓦倫西亞大學的Henk Bolink博士與IPVF（前身為IRDEP-法國光伏能源研究與發展研究所）的研究人員合作，研究了具有不同電子傳輸層（PCBM和C60）的混合有機-無機甲基碘化鉛鈣鈦礦（CH3NH3PbI3）太陽能電池的性能。用IMA獲得的發光高光譜數據有助于識別此類器件中的嚴重不均勻性（圖1）。這些空間不均勻性與載體提取問題有關，導致細胞的填充因子有限。圖1根據在1.15V和1.16V施加偏置下拍攝的EL高光譜圖像計算的當前傳輸效率fT圖。對于使用PCBM（a，c，器件A）或C60（b，d，器件B）作為電子傳輸層（ETL）的鈣鈦礦太陽能電池，在微尺度（頂部）和 ...

光（PL）或電致發光（EL）的強度映射為評估非輻射損耗和材料效率提供了一種迅速的方法。Photon etc.公司的IMA和GRAND-EOS高光譜顯微鏡提供了光譜和空間分辨的PL和EL圖，覆蓋了從幾百平方微米到幾平方厘米的不同視場。這些圖像能夠在2cm x 2cm的視場上顯示硅器件的EL圖像，捕捉到器件上的微小不均勻性，如圖1、圖2所示。這些不均勻性可能會影響器件的性能和效率，因此通過這些圖像進行分析和評估對于改進太陽能電池的設計和制造至關重要。利用這些技術，研究人員和工程師可以迅速識別并解決潛在的問題，以確保生產出高效且可靠的太陽能電池。圖1、1040 nm的高光譜數據中提取的硅器件的電致發 ...

s激光結構。電致發光器件采用深蝕刻、直徑130μm的半圓形平臺，頂部觸點為Ti/Pt/Au，底部觸點為退火的Ge/Au/Ni/Au，并覆蓋Ti/Au。將Fabry-Perot激光器制作成雙溝槽深蝕刻脊波導激光器，采用380nm SiNx作為側壁絕緣，并向下安裝在復合金剛石底座上。為了進行測試，所有的臺面和激光設備都安裝在AlN上的直接結合銅襯底上。電致發光(EL)光譜在不同溫度和脈沖電流(80kHz重復頻率;脈沖寬度100-500ns)，使用傅里葉變換紅外(FTIR)光譜儀進行步進掃描模式和ln2冷卻MCT探測器，波長截止為12.5μm。在快速掃描模式下，使用相同的FTIR設置獲得激光光譜。脈 ...