光子能量高于量子阱(QW)帶隙的近紅外脈沖調制QCL不同，我們比較了在室溫下光子能量低于和高于0.77 eV (1.6 lm)的InGaAs QW帶隙的兩種不同的近紅外泵對QCL傳輸的調制。當光子能量高于QW帶隙時，電子將從價帶被激發到導帶，然后通過帶間躍遷放松回價帶。當泵浦光子能量低于QW帶隙時，由于光子沒有足夠的能量，將不會發生帶間躍遷。相反，在傳導帶較低的子帶中的電子將被激發到較高的子帶或連續區。直接測量諧振中紅外脈沖的傳輸變化提供了有關QCL增益調制的信息。圖1(a)顯示了我們實驗裝置的原理圖。利用由Ti:藍寶石振蕩器、Ti:藍寶石再生放大器、光學參量放大器(OPA)和自制差頻發生器( ...

壘分隔的應變量子阱組成。這些激光器的混合后視鏡由3.5對CaF2-ZnS和金層（反射率=99.9%）組成。圖1為埋地式隧道結（BTJ）VCSEL的設計。該芯片安裝在具有本地連接器（LC）插座的發射器光學組件（TOSA）模塊中，該模塊包括光隔離器、監測二極管和50Ω撓性電路連接。在相應的電流和溫度范圍內，單模光譜顯示出超過40dB的側模抑制比。室溫下的帶寬超過10GHz，受到VCSEL內層內部寄生和熱效應的限制。但是，該帶寬可以實現12.5Gb/s的數據傳輸。2.線寬測量對被測1.33-um VCSEL裝置進行了不同溫度下連續波工作的線寬測量，采用延遲自外差法，解相關長度為70m。圖2顯示了線寬 ...

為鈍化劑。在量子阱中引入壓縮應變，可以降低透明載流子密度，提高（差分）增益，從而實現高速運行。為了降低空間電荷區的寄生電容，降低了InP-regrowth層的摻雜水平，從而有力地降低了器件的寄生。對于有源直徑為5μm的器件，室溫下的光輸出功率超過2mw，80℃時的光輸出功率超過0.8mW（圖1.b）。應該指出的是，由于減少了散熱量，在大信號調制下，熱滾轉轉移到更高的電流。閾值電流分別低至1ma和2ma。由于這些器件的高耦合效率高達60%，因此可以實現高光纖耦合功率幅值。頻譜顯示單模工作，側模抑制比在滾轉電流下超過40dB。圖1 (a)短腔VCSEL截面示意圖(b)25°C和80°C時的l-i特 ...

接器件和含氮量子阱。我們的解決方案是基于InP的單片方法，使用埋藏隧道結（BTJ）作為電流孔徑。利用這一概念，我們已經展示了1.55μm具有卓越高速性能的器件。此外，我們將器件安裝到發射器光學子組件（TOSA）模塊中，該模塊可以輕松集成到現有的發射器基礎設施中。結構和VCSEL特性目前高速1.3μm VCSEL的基本結構與先前基本相同，但優化了熔覆層的熱管理，提高了底鏡反射率。外延輸出鏡由InGaAlAs/InAlAs層對組成，有源區由7個由拉伸應變勢壘分隔的應變量子阱組成。這些激光器的混合后鏡由3.5對CaF2/ZnS和一層金組成。激光芯片及結構示意圖如圖1所示。BCB用作低介電常數鈍化，以 ...

隔的壓縮應變量子阱。電流約束由埋地隧道結完成，允許用具有低損耗和歐姆加熱的n型材料代替p導電。所有激光器都是完全分離的，可以很容易地單獨解決。圖1 1×12 VCSEL陣列的俯視圖和原理圖截面，長度是250um到目前為止，我們已經制作了4、8和12個VCSEL陣列，具有高成品率和良好的均勻性。單片集成一維陣列的主要優點是固定間距。再加上倒裝芯片的能力，這些器件特別適合組合成集成光學系統，如聚合物基光波導板。此外，為了提供并行鏈路和光纖帶傳輸的模塊，VCSEL陣列已經成功部署。更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光 ...

共振的具有四量子阱有源區的8.2-_x0016_m QC激光器的導帶圖的一部分和相關波函數的模平方。施加51kv /cm的電場。箭頭表示激光躍遷。(b)基模強度分布圖、層結構分布圖和所用介質波導折射率實部分布圖。激光主動式區域基于雙聲子共振設計。活躍區和注入器一個周期的層序為44/18/9/57/11/54/12/45/25/34/14/33/13/32/15/31/19/29/23/27/ 25/27，其中in Al As勢壘層為粗體，in Ga As井層為粗體，n摻雜層（cm）為下劃線。電子能帶圖如圖1(a)所示。第4和第3能級之間的激光躍遷能量設計為154兆電子伏，能級1、2和3每一級之 ...

操作。高應變量子阱的高微分材料增益也可以提高內部弛豫振蕩頻率。在室溫下，我們提出了創紀錄的高于12GHz的調制帶寬，在85℃時降至10GHz，這將使數據速率分別達到17Gb/s，100-G以太網為12.5Gb/s。更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光器、光電調制器、光學測量設備、光學元件等，涉及應用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、科學研究、國防、量子光學、生物顯微、物聯傳感、激光制造等；可為客戶提供完整的設備安裝，培訓，硬件開發，軟件開發，系統集成等服務。您可以通過我們昊量光電的官方網站www.auniont ...

AlGaAs量子阱組成。在接近臨界層厚度的邊緣處，將應變調整為壓縮應變的2.5%（擬晶）。這將提高增益和差分增益，從而實現低閾值電流和高弛豫振蕩頻率。模式增益偏置針對高溫行為進行了優化。因此，可以得到負T0值，即該器件在60℃散熱器溫度時閾值電流Min低。這種效應是由增益和腔模在溫度上的不同紅移引起的。由于BTJ允許消除幾乎所有具有較高電阻和光損耗的p導電材料，差分串聯電阻已達到40-50Ω，非常適合高速器件。圖1 高速1.55um基于inp的BTJVCSEL的示意圖。該裝置安裝在電鍍金假襯底上。在制造過程中去除InP襯底。n-觸點和p-觸點都可以在頂部訪問。觸點板電容被Min化。寄生設備由于 ...

材料體系的多量子阱激光器。該器件設計的核心是采用再生n摻雜InP材料的光刻定義的埋藏隧道結（BTJ）。這種結構提供了電約束，減少了熱量的產生，在高溫下實現了出色的直流和射頻性能。這種激光器使用兩個介電DBR反射鏡，而不是在VCSELs中傳統使用的半導體反射鏡。介質材料之間的大折射率差使得實現具有高反射率的極薄dbr成為可能。隨后，激光器具有非常短的諧振腔，約為2.5μm。這種短腔設計，加上對外延結構、臺面尺寸和鍵合板電容等性能的精心優化，有助于Max限度地提高高達18 GHz的射頻性能。結合低閾值電流，器件能夠以28 Gb/s或更高的速率直接調制。VCSEL輸出處的光學眼圖如圖1 (b)所示。 ...

由七個重應變量子阱（每個6納米寬）組成，并具有針對高溫行為優化的模式增益偏移。因此，可以得到負T0值，即在較高溫度下閾值電流較低。這種效應是由于增益和腔模的紅移隨溫度的不同而引起的。圖1 高速1.55-um VCSEL的截面示意圖插圖：制作好的VCSEL器件圖片因此，利用這一效應可以改善VCSEL器件的高溫性能。InP是一種良好的熱導體，由n包層組成，通過更好地冷卻有源區域，也有助于實現高溫操作。這些激光器的混合后鏡由3.5對CaF2-ZnS和一層金組成。孔徑為6um的器件在室溫下的輸出功率約為3mW。閾值電流和電壓分別低至約1mA和0.9V。發現該頻譜為單模，在相關電流和溫度范圍內，側模抑制 ...