InGaAs量子阱設計用于高壓縮應變操作，以獲得更高的差分增益。半VCSEL的光腔長度非常短，這也確保了更高的差分增益和弛豫共振頻率，這兩者對于實現(xiàn)更高的調(diào)制帶寬至關重要。另一方面，為了獲得更大的FSR，需要較短的腔長，F(xiàn)SR被定義為兩個相鄰縱向模式之間的光譜分離。對于設計合理的MEMS VCSEL，F(xiàn)SR是無模跳連續(xù)調(diào)諧的極限。2.MEMS設計與加工由于VCSELs的短腔固有低增益和在有源區(qū)域內(nèi)適度的約束因子，因此必須在整個調(diào)諧范圍內(nèi)提供足夠高的反射率，以實現(xiàn)低閾值電流和高輸出功率。MEMS DBR由11.5層對的介電材料SiNx/SiOy組成，采用電感耦合等離子體（ICP）在低溫（< ...

是基于半導體量子阱的子帶間躍遷。當電子從前面的注入?yún)^(qū)進入活躍區(qū)，在上下激光能級之間經(jīng)歷輻射躍遷，并隨后被提取到下一個下游注入?yún)^(qū)時，產(chǎn)生光子。電子從注入?yún)^(qū)進入下一個活躍區(qū)是通過注入地能級和上激光能級之間的共振隧穿發(fā)生的。隧穿速率，以及許多其他性能相關參數(shù)，可以通過量子設計來設計，例如，通過耦合強度的設計，耦合強度被定義為注入器地面能級和上激光能級在完全共振時能量分裂的一半。理論分析表明，快速隧穿速率是實現(xiàn)高激光壁塞效率（WPE）的關鍵因素。一方面，隧穿速率越快，所能支持的Max工作電流密度就越高，因此電流效率（即激光器工作在高于閾值多遠的地方）也就越高，這是影響WPE的重要因素。另一方面，更快的 ...

非常尖銳的多量子阱界面，對襯底溫度、界面切換機制、生長速率、V/III比等生長參數(shù)進行了迭代生長條件優(yōu)化。雖然還沒有完全解釋，界面粗糙度肯定在QCL性能的定義中起作用。模擬和實測x射線衍射曲線對比如圖1所示。測量是在用于MWIR QCL設計的InGaAs/InAlAs多層材料上進行的，生長應變分別為~ 1%的拉伸/壓縮應變平衡。總的來說，需要在完整的結構中實現(xiàn)少量的殘余應變，并且x射線圖中的衛(wèi)星峰需要窄才能認為材料質(zhì)量好。仿真曲線與實驗曲線吻合較好控制生長參數(shù)。用極化子C-V測試來監(jiān)測結構中的摻雜情況。采用高分辨率掃描電子顯微鏡（SEM）和諾瑪斯基顯微鏡（Nomarski microscope ...

GaInAs量子阱組成，這些量子阱嵌入在低氮摻雜的InP層和高磷摻雜的AlInAs包層之間。電流約束是通過圓形p+-AlGaInAs/n+-GaInAs埋隧道結（BTJ）實現(xiàn)的，而BTJ區(qū)域外的電流阻塞是通過反向偏置n+p結實現(xiàn)的。對于高速性能，芯片和接觸墊寄生的減少是通過鈍化與苯并環(huán)丁烯（BCB）來實現(xiàn)的。圖1a)SC-VCSEL示意圖（未按比例）；b)VCSEL1的功率-電流-電壓特性與直流電流的關系本實驗使用兩個SC-VCSELs，BTJ直徑（dBTJ）為5μm。在這兩種情況下，閾值電流為0.95mA，Max輸出功率為4.2mW，溫度為20°C。這些器件的功率-電壓-電流特性如圖1b所示 ...

/InP應變量子阱的優(yōu)異增益特性，并通過使用介電鏡、散熱器或晶片鍵合技術來規(guī)避熱問題。我們的解決方案是一種基于InP的單片方法，使用具有自完成電流和折射率引導的埋隧道結（BTJ）。利用這一概念，我們zui近展示了1.55um波長的器件，具有優(yōu)異的動態(tài)特性。在本文中，我們演示了1.3um波長VCSEL的動態(tài)和傳輸特性，其數(shù)據(jù)速率可達12.5Gbit/s結構和VCSEL特性：目前高速1.3umVCSEL的基本結構與之前描述的基本相同，在包覆層中進行了優(yōu)化的熱管理，并提高了底部反射鏡的反射率。外延輸出鏡由AlGaInAs/AlInAs層對制成，有源區(qū)由七個由拉伸應變勢壘隔開的應變量子阱組成。這些激光 ...