動態干涉儀動態干涉儀是一種高精度的光學測量設備，它能夠對光學元件或系統的面形和波前進行快速而精確的測量。這種儀器特別適用于那些需要在動態環境下進行測量的場景，例如在沒有光學氣浮平臺的車間里，或者在有嘈雜泵和空氣處理機的潔凈室內。動態干涉儀的主要特點包括：1.高測量頻率：能夠以高達800Hz的頻率進行測量。2.長距離測量能力：zui大干涉測試距離可達100米。3.高重復測量精度：精度RMS（均方根）可以達到λ/1000或更高。4.對環境不敏感：能夠抑制環境振動和湍流對測量精度的影響。5.適用于各種反射率的樣品：被測樣品的反射率范圍從1%到100%。便攜性：一些動態干涉儀設計為便攜式，適合在各種環 ...

菲索干涉儀菲索干涉儀（Fizeau interferometer）是一種光學測量設備，通常用于測試光學表面的質量，如平面度、波面像差和材料的均勻性等。菲索干涉儀的原理基于等厚干涉，當光線在兩個平行表面之間多次反射時，會產生干涉條紋，通過分析這些干涉條紋，可以測量出表面的微小不平整度。菲索干涉儀的構造通常包括以下幾個部分：1.光源：提供穩定的單色光或準單色光。2.準直系統：將光源發出的光變成平行光束。3.分束器：將光束分為參考光束和測試光束。4.標準平面或球面：作為參考表面，與被測表面形成干涉。5.被測光學元件：待測量的光學表面。6.成像系統：用于觀察和記錄干涉條紋。菲索干涉儀的應用非常廣泛，它 ...

邁克爾遜干涉儀邁克爾遜干涉儀（Michelson interferometer）是一種精密光學儀器，由美國物理學家阿爾伯特·亞伯拉罕·邁克爾遜發明。它通過將一束入射光分成兩束，然后讓這兩束光分別經過不同的路徑后再重新結合，產生干涉條紋。這種干涉條紋可以用來測量光波的波長、物體的微小位移、厚度以及折射率等物理量。工作原理：當兩束光的頻率相同、振動方向相同且相位差恒定時，它們可以發生干涉。通過調節干涉臂的長度或改變介質的折射率，可以形成不同的干涉圖樣1113。干涉條紋實際上是等光程差的軌跡，因此，分析干涉產生的圖樣需要求出相干光的光程差位置分布的函數。邁克爾遜干涉儀的zhu名應用之一是邁克爾遜-莫 ...

100nm，干涉圖樣顯著退化。在這些條件下測量厚度變得具有挑戰性。圖1 不同表面粗糙度的5um聚合物薄膜的反射光譜(700nm-1700nm)（模擬）。對于光散射，有一個特征，即在較短波長下加速退化（強度和干涉）表面粗糙度會導致光散射增加。這導致鏡面反射率降低和干擾減弱。編織長度越短，光散射越明顯。因此，長可見光和近紅外(NIR)波長范圍(700-1700nm)更適合表面粗糙度的應用。表面粗糙度對反射光譜影響的模擬（圖1）表明，對于RMS>100nm，干涉圖樣顯著退化。在這些條件下測量厚度變得具有挑戰性。圖2 粗糙度為0.5umRMS的金屬表面（掩模版直徑為20um）。在20微米的尺度上 ...

NOM，基于干涉測量的檢測方法可以提供有效的背景抑。利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)在1733 cm?1的吸收波段，對PS-b-PMMA(苯乙烯-b-甲基丙烯酸甲酯)BCP (PS-b-PMMA)相對較大的自組裝圖案(~80 nm間距)的IR - s-SNOM圖像進行了對比。由遠場散射光子從尖端周圍區域產生的壓倒性背景信號。與遠場散射相比，缺乏能夠可靠地增強近場拉曼散射的成像探針，這阻礙了TERS的廣泛采用，盡管它很有希望。此外，聚合物共混物和BCP系統不適合共振拉曼增強，需要很長的信號集成時間。對于紅外sSNOM，基于干涉測量的檢測方法可以提供有效的背景抑。利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)在 ...

0ps的延遲干涉儀（12.5-GHz自由光譜范圍）導入到非線性晶體中，以實現高速糾纏源。新開發的低抖動差分超導納米線單光子探測器（SNSPDs）可以使time-bin量子比特解析為80ps寬的倉。波長復用被用來實現多個高可見度的通道配對，這些配對共同加起來形成了一個高符合率。每對配對可以被視為光子糾纏的獨立載體，因此整個系統通過使用波長選擇性交換適用于靈活網格架構。每個通道的亮度和可見度被量化，作為泵浦功率、收集效率以及符合率的函數。在低平均光子數（$$μ_L=5.6×10^{-5}±9.0×10^{-6}$$）時8通道系統可見度可達到平均99.3%，而在較高功率時（$$μ_H=5.0×10^ ...

ehnder干涉儀中，形成調幅器。圖4：Mach-Zehnder振幅調制器施加電壓會導致分支之間的相對相位差，從而通過干擾導致器件輸出處的輸出功率的變化。因此，設備傳輸可以控制在min值和max值（P min到Pmax）之間。從打開狀態到關閉狀態切換需要π的相對相位差。所需的電壓稱為調幅器的半波電壓Vπ。由于推拉操作，調幅器的半波電壓是具有相等電極長度的相位調制器的半波電壓的一半。例如，在635 nm處可以預計紅色為1.5 V，在約1550 nm的通信波長范圍內為5V。圖5：輸入/輸出指示燈圖6：振幅調制器特性曲線將射頻信號作為調制電壓應用于電極，該電壓輸入被轉換為振幅信息。這個振幅輸出取決于 ...

馬赫-曾德爾干涉儀耦合環結構(MZICR)分別如圖1(A) -1 (c)所示，是三種不同的器件結構，用于電光電場傳感器。所有的結構都是通過將器件蝕刻到與石英襯底結合的TFLN中來制造的，該襯底與集成光子芯片通過光纖耦合，該芯片具有光柵耦合器，可以將光纖中的光耦合到芯片上的亞微米鈮酸鋰光波導上。圖1所示。(a)馬赫-曾德電磁場傳感器原理圖，(b)微環諧振器傳感器，(c)馬赫-曾德干涉儀耦合微環諧振器原理圖。對于Mach-Zehnder器件結構，耦合光使用1×2多模干涉(MMI)耦合器裝置在Mach-Zehnder干涉儀的兩臂之間進行分割。Mach-Zehnder干涉儀的一個臂被極化以逆轉鈮酸鋰晶 ...

(MZI)干涉儀部分(圖1a)和一個輸入和兩個輸出光柵耦合器(圖1b)組成。在Mach-Zehnder干涉儀部分，使用1 × 2 MMI耦合器將光纖耦合光分成兩臂。一個MZI臂被極化以逆轉鈮酸鋰晶體的自發極化方向(圖1c)。因此，對于一個MZI臂，在給定的電場下折射率增加，而在相同的電場下，另一個臂的折射率會減少。因此，通過MZI的激光在一個臂中經歷了+ φ的相移，在另一個臂中經歷了?φ的相移。太赫茲波從自由空間耦合到MZI 電光傳感器，激光探針脈沖利用垂直于傳感器芯片表面的保偏光纖耦合到電光傳感器芯片。目前的器件由600nm鈮酸鋰在500um熔融二氧化硅襯底上制成，工作波長為1550nm。 ...

。反射光譜中干涉條紋的幅度約為0.1%，并且非常清晰：薄膜疊層模型與測量數據相符，并且可以準確確定厚度/n&k。圖1 低光學對比度測量–基材上的涂層，折射率差異<0.1反射條紋p-p幅度~0.1%。模型根據數據進行擬合，厚度/n&k被準確確定。為了進行比較，許多流行的可見光譜儀中使用的SonyILX和Toshiba1304探測器的DNR約為1000。使用這些探測器之一進行圖1中的測量會更加困難。另一方面，像S10420這樣的高質量CCD探測器的DNR約為40K至50K，并且可以準確測量0.01%的反射率。實際上，需要對固定模式噪聲進行非常精確的校準才能測量低信號電平的信號 ...