單色入射光（圓偏振光與線偏振光)來激發由電極電位控制的電極表面，然后測定出散射得到的光譜信號，如頻率、強度及偏振性能變化與電極的電位或者電流強度的變化關系。在位傅里葉紅外光譜儀法(FTIRS)是由Bewick等人在20世紀80年代早期首創的。在位傅里葉變換紅外光譜儀可以獲取電極上中性和離子吸附物的分子信息，以及參與電化學反應的溶液種類。大量的研究已將在位FTIRS由光滑的表面向粗糙的表面擴展，由靜態條件向動態條件擴展，由水相系統向非水相系統擴展。利用在位FTIRS技術可以得到的電化學雙分子層等圖像信息，達到對電催化反應以及帶電界面過程更深刻的理解。圖1-11兩種在位FTIRS電池設計圖兩種在位 ...

現的，平面內圓偏振光源具有接近帶隙能量分離的光子能量。這將在半導體中產生凈非平衡自旋取向具有適當的自旋偏振光學躍遷的系統。當系統松弛時，會有一個優先的自旋方向，這將表現為PL中兩個圓螺旋度(I+(?))之間的強度差。通過計算圓極化度，可以直接讀出自旋極化，P = (I+?I?)/(I+ + I?)。描述半導體P的穩態速率方程為：式中P0為激發時圓偏振度。τr和τs分別為復合壽命和自旋壽命。這種極化可以在磁場中進一步研究。事實上，對于相對于樣品施加的面外場，塞曼效應將分裂自旋水平。這導致讀出偏振不平衡，即使是線偏振光，這一結果可用于研究磁場與材料中載流子自旋的耦合程度。注意，復合壽命與自旋壽命的 ...

在的情況下，圓偏振光入射產生凈自旋不平衡，并且在初始快速弛豫后可以觀察到圓發射之間的強度差異，則自旋優先定向到一個自旋狀態。在第三種情況下，圓偏振光將是觀察到的自旋不平衡的唯yi原因。因此，它將提供系統中存在OISO的明確證據。圖1.a)在低溫無磁場條件下，4L硅片線性泵(左)和圓形泵(右)極化PL的測量強度。尖峰是1.67 eV泵浦激光濾波后的殘余物。b)說明了描述穩態極化PL測量中潛在測量結果的三種機制。在圖1a中，實驗驗證了偏振相關的光學選擇規則，InSe中的主帶隙顯示為4L。在沒有磁場和線極化泵的情況下，發射強度沒有差異(無Polz)。然而，當入射光為圓偏振光(σ+)時，兩種發射的螺旋 ...

gma(-)圓偏振光，Mj變化為+1的躍遷產生sigma(+)圓偏振光。在外磁場中自旋能級的塞曼分裂可以用光譜測量，并且通過使用極化來獨立分離sigma(-)和sigma(+)躍遷變得更容易。同時記錄了鎘的4種不同原子躍遷的塞曼分裂，并證明了它們具有不同的自旋-軌道耦合。天體光子學太陽光譜是豐富而復雜的，結合了連續光譜和許多吸收線。對這些特征的分析提供了有關太陽成分、溫度和活動的寶貴信息，有助于我們對太陽和恒星物理的理解。下面的圖顯示了350 nm寬的太陽光譜，其中有顯著特征(例如鈉重態和h - α)。當單模光纖指向太陽時，捕獲了光譜。3. 高分辨率中階梯光柵光譜儀RS40K的應用下圖展示了R ...

括線偏振光、圓偏振光、橢圓偏振光等，覆蓋所有可能的偏振態。它通常結合了多個光學元件，如偏振器、波片、旋光器和相位調制器等，通過調節這些元件可以靈活地控制和產生各種偏振態。全偏振發生器的實現方案有多種，如基于波片、電光調制器、聲光調制器、旋光材料、矢量光束等的方案，本文我們著重介紹幾種基于波片的方案。1.旋轉起偏器和1/4波片產生全偏振態如圖1所示為旋轉起偏器和1/4波片產生全偏振態的示意圖,它包括一個可旋轉的起偏器P,它的透光軸位于角度θ處;一個可旋轉的1/4波片R,其慢軸方向位于角度φ處,這一裝置也稱作塞拿蒙(Sénarmont)補償器。1/4波片前后表面的偏振電場矢量分別用E和E' ...