本研究所采用分子束外延法在InP襯底上生長了所研究的激光器。高速1.55umVCSEL結構是其他高速器件的改進版本，具有優化的有源區域、失諧、鏡像反射率和摻雜水平。激光芯片的示意圖如圖1所示。BCB用作低介電常數鈍化，以實現高速運行。外延輸出鏡由32對無基波吸收的InGaAlAs和InAlAs組成。為了在高溫下實現高速運行和足夠的增益，有源區由7個厚度為6納米的重應變InAlGaAs量子阱組成。在接近臨界層厚度的邊緣處，將應變調整為壓縮應變的2.5%（擬晶）。這將提高增益和差分增益，從而實現低閾值電流和高弛豫振蕩頻率。模式增益偏置針對高溫行為進行了優化。因此，可以得到負T0值，即該器件在60℃ ...

聯激光器通過分子束外延MBE和MOCVD兩種方法生長的量子微電子管的室溫連續工作結果令人鼓舞，但進一步的性能有望使量子微電子管更適合實際應用系統。在所有需要改進的器件參數中，特別需要更低的閾值電流密度，因為它可以使器件消耗更少的總功率，并有可能提高壁插效率。我們報告了5.07 um的mocvd生長QC激光器，具有BH再生結構和下行安裝，其室溫連續波閾值電流密度低于所有這些先前報道的結果。本文提出的QCL結構是通過低壓MOCVD生長的。有源區域結構與文獻中報道的設計非常相似，但對波導結構進行了一些修改，如下所述。一個周期的層序為：從注入層阻擋層厚度開始，以納米為單位：4.0/1.26/ 1.3/ ...

Cho首創的分子束外延（MBE）進行的初始材料開發工作近年來已擴展到更標準的工業平臺，用于材料生長，金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）mocvd生長的QC激光器已經迅速達到了與mbegrow設備相當的RT性能，并且在RT后不久就顯示出連續運行MOCVD生長的qcl在中波紅外（MWIR）13和長波紅外（LWIR）波長下的高功率連續工作已經被證明。盡管qcl具有巨大的前景，但直到z近，復雜的結構和制造qcl的困難使這些設備僅僅是實驗室工具。z近的進展主要是為了提高MWIR的電光轉換效率，這極大地促進了技術從實驗室到工業的轉移。我們團隊的研究成果在功率輸出和插拔效率方面取得了飛躍，z終可以實現這些設 ...