設(shè)計(jì)的氣體源分子束外延(GSMBE)在n-InP基板上生長我們的結(jié)構(gòu)。GSMBE反應(yīng)器專門用于QCL的生長。反應(yīng)器定期維護(hù)，以確保始終如一的高材料質(zhì)量。對每個(gè)生長進(jìn)行生長后表征，以確定設(shè)計(jì)參數(shù)和監(jiān)測生長條件。利用掃描電子顯微鏡和高分辨X射線衍射儀對薄膜的厚度和組成進(jìn)行了表征。實(shí)驗(yàn)和模擬(X ' Pert外延)激光芯X射線衍射曲線如圖2所示。這兩條曲線具有很好的一致性，確定了材料的組成。在X射線中，低背景和高階超晶格的尖峰表明，超晶格中應(yīng)變的增加伴隨著尖銳的界面，衛(wèi)星峰的半大全寬(FWHM)小為21.2弧秒。圖2. 30級激光芯的實(shí)驗(yàn)和模擬x射線衍射曲線在過去的幾年里，人們進(jìn)行了一系列的 ...

合金薄膜通過分子束外延生長在500 μm取向藍(lán)寶石(0001)襯底上的12 nm Pt緩沖層上，采用電子光刻技術(shù)制備了厚度為15 nm的CoPt3點(diǎn)。它們具有較大的垂直磁晶各向異性和鐵磁行為，其特征是定義良好的平方磁滯回線，矯頑力場為±3.7 kOe。圓點(diǎn)的直徑可在0.2 ~ 1 μm范圍內(nèi)變化。下面只給出1 μm點(diǎn)的結(jié)果。圖1實(shí)驗(yàn)配置能成像納米結(jié)構(gòu)的形貌以及磁化的動(dòng)力學(xué)。圖1為泵脈沖激勵(lì)后直徑為1μm的CoPt3點(diǎn)在不同時(shí)間延遲下的微分磁化圖像。注意，在當(dāng)前的測量中，激發(fā)不是固定在點(diǎn)的中心，而是在成像過程中與探針光束一起移位。圖a、b和c的序列表明，可以監(jiān)測磁點(diǎn)磁化的空間動(dòng)態(tài)。了解更多詳情， ...

合金薄膜通過分子束外延生長在沉積在500 um取向藍(lán)寶石(0001)襯底上的12 nm Pt緩沖層上，通過電子光刻制成的圓盤的直徑為0.2 ~ 1m，圓盤之間的距離為0.5 ~ 2um。圖2圖2(a)表示時(shí)間的變化泵浦激勵(lì)密度為4 mJ cm?2，外加磁場設(shè)置為3.5 kOe，使靜態(tài)磁化達(dá)到飽和。插圖描繪了超快磁化動(dòng)力學(xué)的詳細(xì)視圖。圖2(b)表示類似的曲線，但激發(fā)密度為8 mJ cm?2。初始退磁發(fā)生在泵浦脈沖期間，對應(yīng)于自旋的激光加熱，發(fā)生在電子的熱化過程中由于探針脈沖持續(xù)時(shí)間為180秒，這里的熱化過程沒有得到解決。注意，對于zui大激勵(lì)密度[圖2(b)]，初始退磁完成。然后再磁化發(fā)生在兩個(gè) ...

橢偏儀在位表征電化學(xué)沉積的系統(tǒng)搭建（一）-基本原理利用橢偏儀可以精確測量薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)，其測量原理基于不同偏振光(S，P)與材料的作用。如圖1-1所示的單層薄膜模型中，所測的薄膜在襯底上，zui上層為空氣，薄膜兩側(cè)介質(zhì)都是半無限大，且薄膜上下表面皆是理想光滑表面，三種介質(zhì)皆為均勻、各向同性介質(zhì)。在實(shí)際測量過程中，單層模型的三種介質(zhì)通常指的是空氣、待測薄膜和基底。圖1-1 光波在多層膜上的反射與透射光波在單層膜上的反射和透射示意圖如圖1-1所示。定義入射光波矢量E在垂直于入射面上的分量為P光，在入射面上的分量為S光。由折射定律及菲涅耳定律知、、的關(guān)系為：上述式子中，n1是空氣的折射率(1. ...

橢偏儀在位表征電化學(xué)沉積的系統(tǒng)搭建（二）-在位監(jiān)控原理1.橢偏儀的在位監(jiān)控半導(dǎo)體工藝比如CMOS的制作過程，會(huì)涉及到結(jié)構(gòu)或者厚度的監(jiān)控。例如在光刻前后，或者沉積與腐蝕過程，需要控制薄膜的厚度。而橢偏譜可以快速且無損傷進(jìn)行測量，并且其測試精度可以達(dá)到原子級別，因此廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制備工藝的在位監(jiān)控中。比如，典型的32nmCMOS制做過程中大概會(huì)需要100次厚度的測試控制，而其中就有80次厚度測試需要利用橢偏譜對其厚度進(jìn)行監(jiān)控。通常要解構(gòu)薄膜的厚度，會(huì)涉及到有效介質(zhì)模型近似和Drude+Lorentz Oscillator模型的使用。利用橢偏儀不僅可以得到厚度信息，還可以得到薄膜的光學(xué)性質(zhì)等信息， ...

驗(yàn)表明，對于分子束外延生長的單層和雙層InSe，價(jià)帶zui大值和zui小值的能量分離為~ 100 meV。這和的寬度在同一個(gè)數(shù)量級上PL(圖1、2a和2b)表明低能尾的極化減少可能是由于價(jià)帶的散射。如果您對磁學(xué)測量有興趣，請?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：http://www.arouy.cn/three-level-150.html更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn)品包括各類激光器、光電調(diào)制器、光學(xué)測量設(shè)備、光學(xué)元件等，涉及應(yīng)用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫(yī)療、科學(xué)研究、國防、量子光學(xué)、生物顯微、物聯(lián)傳感、激光 ...

1994年由分子束外延(MBE)生長的QCL中首次低溫激光演示后不到10年就可用于實(shí)際應(yīng)用。這一發(fā)展的關(guān)鍵步驟包括2001年QC激光器的RT連續(xù)操作演示，隨后，2005年使用MOCVD技術(shù)生長和制造的QC激光器的室溫連續(xù)操作，這是工業(yè)III-V半導(dǎo)體制造的選擇平臺(tái)。今天，使用MBE和MOCVD技術(shù)生長和制造QC激光器。盡管多年來MBE的增長，特別是氣源MBE，在已發(fā)表的z佳性能方面保持了ling先優(yōu)勢，特別是在MWIR中，但對于許多實(shí)際應(yīng)用目的而言，MOCVD增長可獲得的性能足夠好，并且允許更靈活的制造設(shè)置，特別是在工業(yè)環(huán)境中。如上所述，第1個(gè)RT連續(xù)波QC激光器也是LWIR激光器，在300K ...

OCVD)和分子束外延(MBE)兩種方法，在低摻雜InP:S襯底上生長出具有100次重復(fù)活性注入?yún)^(qū)的應(yīng)變平衡InGaAs/InAlAs激光結(jié)構(gòu)。電致發(fā)光器件采用深蝕刻、直徑130μm的半圓形平臺(tái)，頂部觸點(diǎn)為Ti/Pt/Au，底部觸點(diǎn)為退火的Ge/Au/Ni/Au，并覆蓋Ti/Au。將Fabry-Perot激光器制作成雙溝槽深蝕刻脊波導(dǎo)激光器，采用380nm SiNx作為側(cè)壁絕緣，并向下安裝在復(fù)合金剛石底座上。為了進(jìn)行測試，所有的臺(tái)面和激光設(shè)備都安裝在AlN上的直接結(jié)合銅襯底上。電致發(fā)光(EL)光譜在不同溫度和脈沖電流(80kHz重復(fù)頻率;脈沖寬度100-500ns)，使用傅里葉變換紅外(FTI ...

本研究所采用分子束外延法在InP襯底上生長了所研究的激光器。基本結(jié)構(gòu)是先前發(fā)表的高速1.55um VCSEL結(jié)構(gòu)，單片集成到一維陣列結(jié)構(gòu)中，光刻定義的間距為250um。對于高帶寬的電信應(yīng)用，保持較低的寄生電容是必不可少的。這導(dǎo)致如圖1所示的結(jié)構(gòu)，具有10um厚的低介電常數(shù)鈍化苯并環(huán)丁烯，市售名稱為Cyclotene 3022-57。該裝置本身只有30um寬。芯片的p側(cè)觸點(diǎn)可以在設(shè)備的頂部和底部進(jìn)行訪問，以實(shí)現(xiàn)各種安裝方式。在制造過程中，去除InP襯底，并集成電鍍金散熱器。頂部和底部鏡面分別由33.5對InGaAlAs-InAlAs和3.5對附加Au涂層的CaF2-ZnS組成。有源區(qū)包括七個(gè)由拉 ...

，使用固體源分子束外延（MBE）或氣源MBE生長的波長為9.1和4-6 um的QC激光器已經(jīng)證明了室溫連續(xù)波（CW）操作，這是緊湊型非低溫激光源的重要里程碑。金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）zui近引起了人們的研究興趣，因?yàn)樗枪I(yè)界第1選擇的技術(shù)，并且在QC激光器的商業(yè)化方面有前景。據(jù)報(bào)道，MOCVD是一種高性能的QC激光生長技術(shù)，首先采用低閾值脈沖操作，zui近，MOCVD生長的7.2 m QC激光器和MOCVD生長的5.1 m應(yīng)變QC激光器使用埋藏異質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行室溫連續(xù)操作。在這封信中，我們報(bào)告了一個(gè)mocvd生長的室溫連續(xù)波QC激光器異質(zhì)結(jié)構(gòu)。該激光器被加工成雙通道脊?fàn)畈▽?dǎo)，頂部鍍 ...