A充當CVD外延生長的成核中心，并有助于在這兩種基底上獲得相對較大的二維MoS2。但是圖2b,e所示的MoS2結晶性不好，因為沒有觀察到明顯的層狀結構和規則形狀。如上圖是O2等離子體處理的SiO2/Si,Si，O2等離子體激活了基底表面上的原子，正如圖2c所示，在SiO2 / Si上生長的MoS2表現出更加無序的結構。如圖f所示，Si基底尺寸小，在O2等離子體清洗后，二維MoS2結晶良好。光學性能如上圖是生長在不同襯底上的MoS2和WS2的WS2的 PL光譜。可以看出長在Si基底上的二維材料的PL信號都很弱，可能是因為Si本身是半導體，MoS2 / WS2中的電子一旦被激發就更容易逃逸，并且不 ...

器的線寬受到外延層數量的限制，這些外延層可以在不降低質量的情況下沉積，因此，目前只能窄到幾納米。圖3反射型的VBG，即BragGrate?帶通濾波器(BPF)，可將頻譜噪聲降低至-60-70分貝，如圖4所示。BPF并不是一個真正的帶通濾波器，因為它反射信號而不是傳輸信號；然而它把有用的信號從噪聲中分離出來，清理激光線。BPF的典型衍射效率約為95%，相應地，有用信號的損失約為5%。圖4的左面板顯示了在拉曼系統中如何使用BPF的示例。標準BPF的偏轉角在20°左右。可以制作偏轉角高達90°的濾光片，但這種濾光片的角度接受度將會變窄，這通常是不可取的，因為有更嚴格的對準要求。圖4基于VBG的凈化濾 ...

氣體源分子束外延(GSMBE)在n-InP基板上生長我們的結構。GSMBE反應器專門用于QCL的生長。反應器定期維護，以確保始終如一的高材料質量。對每個生長進行生長后表征，以確定設計參數和監測生長條件。利用掃描電子顯微鏡和高分辨X射線衍射儀對薄膜的厚度和組成進行了表征。實驗和模擬(X ' Pert外延)激光芯X射線衍射曲線如圖2所示。這兩條曲線具有很好的一致性，確定了材料的組成。在X射線中，低背景和高階超晶格的尖峰表明，超晶格中應變的增加伴隨著尖銳的界面，衛星峰的半大全寬(FWHM)小為21.2弧秒。圖2. 30級激光芯的實驗和模擬x射線衍射曲線在過去的幾年里，人們進行了一系列的實驗來 ...

機。5、氣相外延爐 5、氧化爐 6、低壓化學氣相淀積系統 8、等離子體增強化學氣相沉積系統 9、磁控濺射臺 10、化學機械研磨機 11、引線鍵合機 12、探針測試臺 等等。第二步：規格設定。造多大？有什么規范嗎？比如無線網卡的芯片就需要符合 IEEE802.11 等規范，不然，這芯片將無法和市面上的產品相容。好比你造的樂高零件，凸口太大太小，沒辦法和別的廠商的樂高零件拼在一起一樣。然后就是決定有幾間臥室、衛生間這樣的事。我們的IC芯片計劃性能怎么樣？需要“入廁應急”功能強大，就要分配點廁所單元，相應的也要多配置點“馬桶”。每個衛生間的馬桶放在哪也要布局，廁所門位置、對應房間內的走廊，就是芯片里 ...

導拉曼散射的外延線照明，使用一個線形焦點，以能夠比較貝塞爾和傳統外延線照明模式之間的成像特性。使用圖1(a)中的倒立鏡可以切換兩種成像模式。貝塞爾照明的偏振方向設置為x方向，使探測物鏡能夠有效地收集誘導拉曼散射。分光光度計的狹縫寬度設為1 Airy單位，使狹縫共聚焦效應也可實現z向的空間分辨率。光學裝置的細節如圖1所示。圖一該顯微鏡的有效點擴散函數(PSF)是光學照明點擴散函數和檢測點擴散函數的乘積。如圖1(b)-(e)所示，與外線照明相比，貝塞爾光束照明有效地降低了z方向PSF的延伸，表明貝塞爾照明可以提高軸向分辨率和背景消除。在貝塞爾束成像中，旁瓣可能是一個問題，但在該照明模式中，入口狹縫 ...

射，通過指示外延生長，提供了對薄膜光學質量的進一步了解。x射線衍射研究表明材料是否具有晶體織構，因為通常需要具有高度織構且易于磁化軸垂直于薄膜的材料(圖2)。圖1圖2在這一點上，應該強調的是，傳統磁光薄膜的磁性是連續的，而其他磁性薄膜，如傳統磁性記錄磁帶中使用的磁性薄膜，由于交換耦合，形成位的磁性顆粒彼此分離。因此，傳統的磁光薄膜允許更高的存儲密度，在薄膜上封裝更多的比特。例如，在磁光記錄的黃金年代，磁光盤薄膜上的數據存儲標記由由約8 nm的磁壁隔開的磁疇組成，其中標記寬度約為170 nm，典型面密度為100 Gbits/in2。磁光薄膜的另一個優點是，它們具有更好的熱穩定性，傳統的磁記錄磁帶 ...

磁各向異性的外延多層體系中的疇，通過考慮效應的對比規律和深度靈敏度。梯度效應也可以很好地應用于圖像精細過渡和域調制。圖1圖1比較了Kerr效應、Voigt效應和梯度效應之間的現象差異。在不同條件下，在光學偏光顯微鏡下對具有兩個正交磁化軸的鐵硅晶體的典型疇圖進行了成像，如圖所示。在每種情況下，通過選擇適當的入射光和通過正確設置顯微鏡中的偏光器，分析器和補償器來產生對比度。克爾效應在磁化矢量上是線性的，因此圖1中的四個疇相以不同的顏色顯示。在V光效應中成像的相同圖案只顯示兩種顏色，每個磁化軸一種。這種對比是獨立于磁化方向，因為V光效應取決于二次磁化矢量。梯度效應對磁化強度的變化很敏感。因此，在這種 ...

4年由分子束外延(MBE)生長的QCL中首次低溫激光演示后不到10年就可用于實際應用。這一發展的關鍵步驟包括2001年QC激光器的RT連續操作演示，隨后，2005年使用MOCVD技術生長和制造的QC激光器的室溫連續操作，這是工業III-V半導體制造的選擇平臺。今天，使用MBE和MOCVD技術生長和制造QC激光器。盡管多年來MBE的增長，特別是氣源MBE，在已發表的z佳性能方面保持了ling先優勢，特別是在MWIR中，但對于許多實際應用目的而言，MOCVD增長可獲得的性能足夠好，并且允許更靈活的制造設置，特別是在工業環境中。如上所述，第1個RT連續波QC激光器也是LWIR激光器，在300K時顯示 ...

D)和分子束外延(MBE)兩種方法，在低摻雜InP:S襯底上生長出具有100次重復活性注入區的應變平衡InGaAs/InAlAs激光結構。電致發光器件采用深蝕刻、直徑130μm的半圓形平臺，頂部觸點為Ti/Pt/Au，底部觸點為退火的Ge/Au/Ni/Au，并覆蓋Ti/Au。將Fabry-Perot激光器制作成雙溝槽深蝕刻脊波導激光器，采用380nm SiNx作為側壁絕緣，并向下安裝在復合金剛石底座上。為了進行測試，所有的臺面和激光設備都安裝在AlN上的直接結合銅襯底上。電致發光(EL)光譜在不同溫度和脈沖電流(80kHz重復頻率;脈沖寬度100-500ns)，使用傅里葉變換紅外(FTIR)光 ...

將器件安裝在外延側的銅散熱器上。圖3由于前面傾斜，采用遠場測量來確定發射角。如圖1(c)所示，8毫米和12毫米器件的遠場測量是在低于閾值的條件下進行的，溫度為~2.6 A，溫度為80 K，使用液氮冷卻的HgCdTe探測器。與先前報道的器件一致，兩種器件的光發射在正角方向上呈現兩個峰，8mm和12mm器件的半z大全寬(FWHM)分別為~15°和~ 35°。在將器件旋轉到與其各自的峰值發射相對應的角度后，這些器件的光、電流和電壓(LIV)特性在脈沖模式下以電流脈沖寬度進行100納秒，重復頻率5千赫。通過一對ZnSe透鏡，將器件的光發射準直并聚焦到室溫的HgCdTe探測器上。兩種器件在不同溫度下的L ...