A充當(dāng)CVD外延生長的成核中心，并有助于在這兩種基底上獲得相對(duì)較大的二維MoS2。但是圖2b,e所示的MoS2結(jié)晶性不好，因?yàn)闆]有觀察到明顯的層狀結(jié)構(gòu)和規(guī)則形狀。如上圖是O2等離子體處理的SiO2/Si,Si，O2等離子體激活了基底表面上的原子，正如圖2c所示，在SiO2 / Si上生長的MoS2表現(xiàn)出更加無序的結(jié)構(gòu)。如圖f所示，Si基底尺寸小，在O2等離子體清洗后，二維MoS2結(jié)晶良好。光學(xué)性能如上圖是生長在不同襯底上的MoS2和WS2的WS2的 PL光譜。可以看出長在Si基底上的二維材料的PL信號(hào)都很弱，可能是因?yàn)镾i本身是半導(dǎo)體，MoS2 / WS2中的電子一旦被激發(fā)就更容易逃逸，并且不 ...

器的線寬受到外延層數(shù)量的限制，這些外延層可以在不降低質(zhì)量的情況下沉積，因此，目前只能窄到幾納米。圖3反射型的VBG，即BragGrate?帶通濾波器(BPF)，可將頻譜噪聲降低至-60-70分貝，如圖4所示。BPF并不是一個(gè)真正的帶通濾波器，因?yàn)樗瓷湫盘?hào)而不是傳輸信號(hào)；然而它把有用的信號(hào)從噪聲中分離出來，清理激光線。BPF的典型衍射效率約為95%，相應(yīng)地，有用信號(hào)的損失約為5%。圖4的左面板顯示了在拉曼系統(tǒng)中如何使用BPF的示例。標(biāo)準(zhǔn)BPF的偏轉(zhuǎn)角在20°左右。可以制作偏轉(zhuǎn)角高達(dá)90°的濾光片，但這種濾光片的角度接受度將會(huì)變窄，這通常是不可取的，因?yàn)橛懈鼑?yán)格的對(duì)準(zhǔn)要求。圖4基于VBG的凈化濾 ...

氣體源分子束外延(GSMBE)在n-InP基板上生長我們的結(jié)構(gòu)。GSMBE反應(yīng)器專門用于QCL的生長。反應(yīng)器定期維護(hù)，以確保始終如一的高材料質(zhì)量。對(duì)每個(gè)生長進(jìn)行生長后表征，以確定設(shè)計(jì)參數(shù)和監(jiān)測生長條件。利用掃描電子顯微鏡和高分辨X射線衍射儀對(duì)薄膜的厚度和組成進(jìn)行了表征。實(shí)驗(yàn)和模擬(X ' Pert外延)激光芯X射線衍射曲線如圖2所示。這兩條曲線具有很好的一致性，確定了材料的組成。在X射線中，低背景和高階超晶格的尖峰表明，超晶格中應(yīng)變的增加伴隨著尖銳的界面，衛(wèi)星峰的半大全寬(FWHM)小為21.2弧秒。圖2. 30級(jí)激光芯的實(shí)驗(yàn)和模擬x射線衍射曲線在過去的幾年里，人們進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn)來 ...

機(jī)。5、氣相外延爐 5、氧化爐 6、低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng) 8、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 9、磁控濺射臺(tái) 10、化學(xué)機(jī)械研磨機(jī) 11、引線鍵合機(jī) 12、探針測試臺(tái) 等等。第二步：規(guī)格設(shè)定。造多大？有什么規(guī)范嗎？比如無線網(wǎng)卡的芯片就需要符合 IEEE802.11 等規(guī)范，不然，這芯片將無法和市面上的產(chǎn)品相容。好比你造的樂高零件，凸口太大太小，沒辦法和別的廠商的樂高零件拼在一起一樣。然后就是決定有幾間臥室、衛(wèi)生間這樣的事。我們的IC芯片計(jì)劃性能怎么樣？需要“入廁應(yīng)急”功能強(qiáng)大，就要分配點(diǎn)廁所單元，相應(yīng)的也要多配置點(diǎn)“馬桶”。每個(gè)衛(wèi)生間的馬桶放在哪也要布局，廁所門位置、對(duì)應(yīng)房間內(nèi)的走廊，就是芯片里 ...

導(dǎo)拉曼散射的外延線照明，使用一個(gè)線形焦點(diǎn)，以能夠比較貝塞爾和傳統(tǒng)外延線照明模式之間的成像特性。使用圖1(a)中的倒立鏡可以切換兩種成像模式。貝塞爾照明的偏振方向設(shè)置為x方向，使探測物鏡能夠有效地收集誘導(dǎo)拉曼散射。分光光度計(jì)的狹縫寬度設(shè)為1 Airy單位，使狹縫共聚焦效應(yīng)也可實(shí)現(xiàn)z向的空間分辨率。光學(xué)裝置的細(xì)節(jié)如圖1所示。圖一該顯微鏡的有效點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)(PSF)是光學(xué)照明點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)和檢測點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)的乘積。如圖1(b)-(e)所示，與外線照明相比，貝塞爾光束照明有效地降低了z方向PSF的延伸，表明貝塞爾照明可以提高軸向分辨率和背景消除。在貝塞爾束成像中，旁瓣可能是一個(gè)問題，但在該照明模式中，入口狹縫 ...

射，通過指示外延生長，提供了對(duì)薄膜光學(xué)質(zhì)量的進(jìn)一步了解。x射線衍射研究表明材料是否具有晶體織構(gòu)，因?yàn)橥ǔＰ枰哂懈叨瓤棙?gòu)且易于磁化軸垂直于薄膜的材料(圖2)。圖1圖2在這一點(diǎn)上，應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，傳統(tǒng)磁光薄膜的磁性是連續(xù)的，而其他磁性薄膜，如傳統(tǒng)磁性記錄磁帶中使用的磁性薄膜，由于交換耦合，形成位的磁性顆粒彼此分離。因此，傳統(tǒng)的磁光薄膜允許更高的存儲(chǔ)密度，在薄膜上封裝更多的比特。例如，在磁光記錄的黃金年代，磁光盤薄膜上的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)標(biāo)記由由約8 nm的磁壁隔開的磁疇組成，其中標(biāo)記寬度約為170 nm，典型面密度為100 Gbits/in2。磁光薄膜的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，它們具有更好的熱穩(wěn)定性，傳統(tǒng)的磁記錄磁帶 ...

磁各向異性的外延多層體系中的疇，通過考慮效應(yīng)的對(duì)比規(guī)律和深度靈敏度。梯度效應(yīng)也可以很好地應(yīng)用于圖像精細(xì)過渡和域調(diào)制。圖1圖1比較了Kerr效應(yīng)、Voigt效應(yīng)和梯度效應(yīng)之間的現(xiàn)象差異。在不同條件下，在光學(xué)偏光顯微鏡下對(duì)具有兩個(gè)正交磁化軸的鐵硅晶體的典型疇圖進(jìn)行了成像，如圖所示。在每種情況下，通過選擇適當(dāng)?shù)娜肷涔夂屯ㄟ^正確設(shè)置顯微鏡中的偏光器，分析器和補(bǔ)償器來產(chǎn)生對(duì)比度。克爾效應(yīng)在磁化矢量上是線性的，因此圖1中的四個(gè)疇相以不同的顏色顯示。在V光效應(yīng)中成像的相同圖案只顯示兩種顏色，每個(gè)磁化軸一種。這種對(duì)比是獨(dú)立于磁化方向，因?yàn)閂光效應(yīng)取決于二次磁化矢量。梯度效應(yīng)對(duì)磁化強(qiáng)度的變化很敏感。因此，在這種 ...

4年由分子束外延(MBE)生長的QCL中首次低溫激光演示后不到10年就可用于實(shí)際應(yīng)用。這一發(fā)展的關(guān)鍵步驟包括2001年QC激光器的RT連續(xù)操作演示，隨后，2005年使用MOCVD技術(shù)生長和制造的QC激光器的室溫連續(xù)操作，這是工業(yè)III-V半導(dǎo)體制造的選擇平臺(tái)。今天，使用MBE和MOCVD技術(shù)生長和制造QC激光器。盡管多年來MBE的增長，特別是氣源MBE，在已發(fā)表的z佳性能方面保持了ling先優(yōu)勢(shì)，特別是在MWIR中，但對(duì)于許多實(shí)際應(yīng)用目的而言，MOCVD增長可獲得的性能足夠好，并且允許更靈活的制造設(shè)置，特別是在工業(yè)環(huán)境中。如上所述，第1個(gè)RT連續(xù)波QC激光器也是LWIR激光器，在300K時(shí)顯示 ...

D)和分子束外延(MBE)兩種方法，在低摻雜InP:S襯底上生長出具有100次重復(fù)活性注入?yún)^(qū)的應(yīng)變平衡InGaAs/InAlAs激光結(jié)構(gòu)。電致發(fā)光器件采用深蝕刻、直徑130μm的半圓形平臺(tái)，頂部觸點(diǎn)為Ti/Pt/Au，底部觸點(diǎn)為退火的Ge/Au/Ni/Au，并覆蓋Ti/Au。將Fabry-Perot激光器制作成雙溝槽深蝕刻脊波導(dǎo)激光器，采用380nm SiNx作為側(cè)壁絕緣，并向下安裝在復(fù)合金剛石底座上。為了進(jìn)行測試，所有的臺(tái)面和激光設(shè)備都安裝在AlN上的直接結(jié)合銅襯底上。電致發(fā)光(EL)光譜在不同溫度和脈沖電流(80kHz重復(fù)頻率;脈沖寬度100-500ns)，使用傅里葉變換紅外(FTIR)光 ...

將器件安裝在外延側(cè)的銅散熱器上。圖3由于前面傾斜，采用遠(yuǎn)場測量來確定發(fā)射角。如圖1(c)所示，8毫米和12毫米器件的遠(yuǎn)場測量是在低于閾值的條件下進(jìn)行的，溫度為~2.6 A，溫度為80 K，使用液氮冷卻的HgCdTe探測器。與先前報(bào)道的器件一致，兩種器件的光發(fā)射在正角方向上呈現(xiàn)兩個(gè)峰，8mm和12mm器件的半z大全寬(FWHM)分別為~15°和~ 35°。在將器件旋轉(zhuǎn)到與其各自的峰值發(fā)射相對(duì)應(yīng)的角度后，這些器件的光、電流和電壓(LIV)特性在脈沖模式下以電流脈沖寬度進(jìn)行100納秒，重復(fù)頻率5千赫。通過一對(duì)ZnSe透鏡，將器件的光發(fā)射準(zhǔn)直并聚焦到室溫的HgCdTe探測器上。兩種器件在不同溫度下的L ...