應(yīng)用。不同的襯底會對生長的二維材料產(chǎn)生影響，使它們的形態(tài)，晶體質(zhì)量，光學(xué)性能等被改變。云南大學(xué)楊鵬教授課題組研究了襯底對CVD生長MoS2和WS2的影響。本文主要使用SiO2/Si,Si,石英作為襯底生長二維材料。形態(tài)&晶體質(zhì)量如上圖a所示，SiO2 / Si襯底上的CVD生長的MoS2具有規(guī)則的三角形形狀，具有清晰的分層結(jié)構(gòu)，說明了合成了不同層數(shù)的MoS2。d是在Si襯底上生長的MoS2,圖中只能看到針狀納米棒的合成。接著用PTCDA處理了SiO2/Si,Si，PTCDA充當(dāng)CVD外延生長的成核中心，并有助于在這兩種基底上獲得相對較大的二維MoS2。但是圖2b,e所示的MoS2結(jié)晶性 ...

過程向材料的襯底走，進(jìn)而再次達(dá)到平衡狀態(tài)；熱點(diǎn)形成到消失產(chǎn)生的電壓脈沖表示檢測到光子NbN超導(dǎo)檢測器具有極低的時序抖動，其光譜靈敏度范圍從可見光到中紅外范圍。SSPD的暗計數(shù)率極低，通常低于每秒1個計數(shù)，并且沒有后脈沖。檢測器的有效面積約為10 um2探測效率與暗計數(shù)系統(tǒng)組成 ...

)紅色硬紙板襯底上的血跡(b)深藍(lán)色牛仔褲上有兩個沾有血跡的指紋(c)深藍(lán)色卡片上有兩處血跡(d)四個污點(diǎn)，(A)紅色圓珠筆，(B)咖啡污漬，(C)紅糖污漬和(D)深灰色棉花上的血跡二、淤青老化及檢測應(yīng)用領(lǐng)域:?家庭和兒童虐待案件?對事件的敘述進(jìn)行核實(shí)/反駁(如“他星期五在學(xué)校摔倒了”→在周末進(jìn)行真相剖析)?擦傷的形狀-咬痕等?監(jiān)測受傷情況，估計事故發(fā)生的時間相比其他技術(shù)的好處:到目前為止，醫(yī)生是根據(jù)顏色來估計瘀傷的年齡的，然而這種估計是非常主觀的，因?yàn)槿藗儗︻伾目捶ㄊ遣煌?。IQ提供了對瘀傷部位和年齡的準(zhǔn)確和客觀的判斷。文章題目: Can colour inhomogeneity of b ...

擴(kuò)散。薄膜-襯底界面的聲子輸運(yùn)(長時間尺度)圖3.（a）、(b)傳感器-襯底界面聲子弛豫，(c)、(d)不同傳感器下傳感器-襯底界面電子、聲子溫差時域圖傳感器在將熱能傳輸?shù)綐悠穼悠鹬饕饔?。這種轉(zhuǎn)移，特別是聲子能量的轉(zhuǎn)移，取決于傳感器的熱性質(zhì)，這導(dǎo)致?lián)Q能器和樣品間界面處的熱平衡和不同的熱傳遞。當(dāng)達(dá)到熱平衡后聲子溫度開始下降時，就可以得到這種聲子熱輸運(yùn)。圖3示出通過雙溫度模型在更長的時間尺度上計算的在150 nm和50 nm厚度下，在金/二氧化硅和鋁/二氧化硅界面處的聲子溫度。圖3(a)和3(b)顯示電子-聲子耦合常數(shù)對界面聲子溫度的影響。鋁膜中較高的電子-聲子耦合使其熱平衡快于金膜。界面處電子 ...

度。同時，當(dāng)襯底的熱導(dǎo)率較小時，換能器層的小熱質(zhì)量也能夠增強(qiáng)對界面熱導(dǎo)率的靈敏度。圖1顯示了TR-MOKE信號檢測方案。為了進(jìn)行TR-MOKE測量，樣品需要涂上一層薄的垂直磁化傳感器，在測量前用外部磁鐵磁化。非偏振分束器被插入在轉(zhuǎn)向PBS和顯微鏡物鏡之間，以將反射的泵浦和探測光束轉(zhuǎn)向檢測路徑。在檢測路徑中，泵浦光束被濾波器去除，而探測光束通過半波片，然后被渥拉斯頓棱鏡分成兩個正交偏振分量。調(diào)整半波片，使得兩個分量具有大致相同的強(qiáng)度。通過檢測平衡檢測器上相對強(qiáng)度的變化來監(jiān)測探測光束偏振的瞬時變化。圖1. TR-MOKE探測方案示意圖。反射探測光束的偏振態(tài)被渥拉斯頓棱鏡分離，并被平衡探測器探測到。 ...

能器的藍(lán)寶石襯底進(jìn)行連續(xù)波和脈沖FDTR測量的計算信號。對于脈沖解決方案，延遲時間固定為100 ps圖3.來自CW和脈沖FDTR在藍(lán)寶石襯底的不同參數(shù)上比率信號的靈敏度系數(shù)R =–Vin/Vout，藍(lán)寶石襯底由100 nm鋁傳感器覆蓋，使用w0=5 μm的光斑尺寸。脈沖FDTR的延遲時間固定在100 psTDTR實(shí)驗(yàn)的靈敏度分析可以類似地應(yīng)用于FDTR。雖然有使用相位信號φ來導(dǎo)出熱特性的情況，但是為了一致性，比率信號R這里使用-Vin/Vout，相當(dāng)于相位信號φ = -arctan(Vout/Vin)。圖3使用w0=5微米的光斑尺寸，比較了在0.05–20兆赫調(diào)制頻率范圍內(nèi)，連續(xù)波和脈沖FDT ...

在Al2O3襯底上沉積的MoS2薄膜的層數(shù)可以直接由ALD循環(huán)次數(shù)控制。通過使用拉曼光譜（XperRam C，NANOBASE，532nm激光光源下，激光光斑尺寸為1mm，功率為0.6mW）證明了薄膜層數(shù)和ALD圈數(shù)之間成線性關(guān)系，且隨著薄膜層數(shù)的增加摩擦減少，即隨著MoS2厚度的增加，受基地影響的的2D MoS2的層相關(guān)摩擦性能減弱，如圖1（a）和圖1（b）所示。除此之外，通過高斯公式計算摩擦力的分布可以得到每次等離子處理的平均摩擦力，且發(fā)現(xiàn)等離子處理10s的Al2O3基地上沉積的MoS2的平均摩擦為1個ALD循環(huán)，并且其值最低，如圖1（c）所示?；乇砻嫔系墓倌軋F(tuán)可以通過O2等離子處理獲得 ...

纖光柵鑲嵌在襯底材料的表面。由于襯底材料的熱膨脹系數(shù)較大，當(dāng)溫度變化時，這樣可以增大光纖光柵的縱向應(yīng)變，從而提高溫度靈敏度。鋁合金通常在實(shí)際應(yīng)用中被選擇作為襯底材料。常采用槽結(jié)構(gòu)封裝的光纖光柵溫度傳感器設(shè)計理念。封裝結(jié)構(gòu)如下圖所示，將光纖光柵用環(huán)氧樹脂封裝固定在一個刻有細(xì)槽的鋁板內(nèi)（鋁板為鋁合金），細(xì)槽中心要與鋁板中軸線保持平行。當(dāng)封裝的時候，要保證光纖光柵平直，并處于細(xì)槽的底面軸線上。當(dāng)注入環(huán)氧樹脂時，要對其進(jìn)行適當(dāng)加熱，目的是增加環(huán)氧樹脂的流動性，以達(dá)到減小氣泡形成的效果，當(dāng)細(xì)槽內(nèi)充滿環(huán)氧樹脂，又不溢出槽外時，便于加蓋封裝固定。在鋁板四個頂角上制作四個螺孔，圖中左邊的兩個的起到把鋁條與被測 ...

可以用作芯片襯底。該芯片的鉑層或ITO層可以在3分鐘(鉑)到30?s (ITO)之間進(jìn)行加工。同時，在厚度為100?nm?到1?μm的氮化硅中，打開鈍化窗口是成功的。在傳感器芯片上，以前用于isfet的氮化硅層首次被用作電位ph傳感器的敏感材料。比較了不同層厚度的靈敏度和再現(xiàn)性。在室溫下，自制的60?nm薄膜的靈敏度可達(dá)-53.8?±1.8 mV/pH，Z大漂移率為0.151 mV/h。由于安培式氧傳感器沒有氧選擇性膜，因此必須考慮細(xì)胞培養(yǎng)基中各組分的影響來對其進(jìn)行表征。循環(huán)伏安法測量證實(shí)細(xì)胞培養(yǎng)液中不含影響測量的電活性物質(zhì)。由于材料和結(jié)構(gòu)的原因，有必要將工作電位降低到- 650?mV相對于A ...

匹配于InP襯底這種特殊的材料系統(tǒng)的導(dǎo)帶偏移量(量子阱深度)為520 meV。這些基于InP的器件在中紅外光譜范圍內(nèi)達(dá)到了非常高的性能水平，實(shí)現(xiàn)了高于室溫的高功率，連續(xù)的波發(fā)射。1998年，Sirtori等人實(shí)現(xiàn)了GaAs/AlGaAs QCLs，證明了QC概念并不局限于一個材料系統(tǒng)。這種材料系統(tǒng)的量子阱深度隨勢壘中鋁的含量而變化。雖然基于GaAs的QCL在中紅外波段的性能水平無法與基于InP的QCL相匹配，但它們已被證明在太赫茲頻段非常成功。QCLs的短波長限制是由量子阱的深度決定的，近年來，為了實(shí)現(xiàn)短波長發(fā)射，在具有非常深量子阱的材料系統(tǒng)中開發(fā)了QCLs。InGaAs/AlAsSb材料體系 ...