包括與InP襯底相匹配的多阱InGaAs/InAlAs有源區域晶格，以及所謂的結合-連續體或等效方式的四個或更多有源阱?；钚在逯芷谛缘刂貜?0-40次，并被厚的、低摻雜的、InP包層包圍，在頂部觸點下方有等離子體增強的約束層。圖1圖1顯示了器件QCL-A的電光特性。這種情況下的波導尺寸為：width×length = 7.5 μm×4 mm。發射波長以λ = 6.14 μm為中心，Max輸出功率為P = 1.25 W。高反射涂層可用于器件的單面發射。在電流為I = 1.2 A時，Max壁插效率（定義為器件的電光轉換效率，不包括熱電冷卻器（TEC）所需的功率，η = Pout/Pin）為η = ...

氧化硅片作為襯底。材料堆在室溫下使用磁控濺射系統（AJA ATC-Orion 8）沉積，基壓為8 × 10?8 Torr或更高。在2.0 mTorr的濺射壓力和0.68、0.62、0.37、0.30 ?/s的沉積速率下，采用直流沉積法制備了Pt、Ta、Ir和Fe材料。在3.0 mTorr的濺射壓力和0.26 ?/s的沉積速率下，通過射頻電流沉積Co。頂部和底部的Ta(5)層分別作為抗氧化和粘附的保護層沉積。添加了額外的Ir底層以為重復層提供類似的接口。隨后，采用電子束光刻（Raith e-line）和離子銑削（帶有Hiden SIMS元素探測器的AJA離子銑削系統）技術，制作了20 μm × ...

射工具沉積了襯底/Ta(5)/Pt(1)/[Co(0.3)/Pt(0.3)]5/Co(0.46)/Ru(0.4)/Co(0.6)/W(0.3)/CoFeB(0.8)/MgO(1.2)/CoFeB(1.2)/Pt(5)薄膜樣品，每層厚度以納米為單位在括號中表示，如圖1a所示。圖1b中的高角度環形暗場（HAADF）圖像顯示了堆疊中的光滑界面和高結晶質量。利用高分辨率亮場掃描透射電子顯微鏡（STEM）觀察了具有清晰界面的單個層的外延生長。圖1c中的高分辨率TEM （HRTEM）圖像表明，獲得了具有特定厚度的幾乎完美的單晶連續薄膜堆棧。利用二次電子質譜（SIMS）分析了膜層中元素的分布和界面處的z小混 ...

與左半部分裸襯底進行比較，通過定制的ALD工藝，我們成功地實現了在50℃下，Te薄膜在4英寸尺寸SiO2/Si晶元上晶元級生產。在此我們進行拉曼光譜和作圖表征來評價薄膜的質量和均勻性（AUT-Nanobase-XperRamS）。圖1c是ALD-Te的典型拉曼光譜，在141、122和2325px-1處分別表現出相應的E2、A1和E1振動模式。三種振動模式與晶體Te的振動模式一致，表明鏈內共價鍵和vdW耦合的連間鍵形成良好。共聚焦拉曼mapping是在整個元片上選取20個分散的具有代表性局部區域圖進行檢測，檢測條件為單個面積為20μm×20 μm，步進為1μm。E2和A1模式的合并圖顯示了在晶元 ...

/p+-Si襯底上的底部電極(L1/L2/L3 = 0.5/1/2 μm，30 nm厚的Au)。通過光學顯微鏡和原子力顯微鏡（AFM）確定的適當選擇的顯微機械剝離的WSe2多層膜，干轉移到底部電極上。 然后利用電子束光刻，制作垂直排列的頂部接觸電極（115 nm厚Au）。制造器件的各種通道幾何信息精確地由原子力顯微鏡，如通道厚度（tWSe2≈15 nm，對應于大約18-19層）、長度（L1/L2/L3=0.5/1/2 μm）和寬度（W=6.5μm）。 然后利用532 nm的激光激發波長（λEX），激光功率(P)為0.5 mW)AUT-Nanobase-XperRamC共聚焦顯微拉曼光譜儀系統， ...

其他現象，如襯底效應、部分或傾斜照明、微球部分浸入和相干照明效應等，都被認為在較小程度上有助于微球分辨率。微球成像使物體的分辨率遠遠超過常規分辨率限制的確切物理機制仍然是一個爭論的來源。然而，普遍的共識指向一個復雜的理論，其中所有先前描述的現象都在一定程度上起作用，使微球超分辨率顯微鏡成為一個令人興奮和有大好前途的領域。目前，科學家們正在利用在應用微球成像領域的領xian地位，研究一種新的理論，探索這些提出的因素對微球成像物理的影響。昊量光電推出了來自英國的Nanoro M超分辨光學微球顯微鏡，作為新型光學顯微鏡，采用微球技術（SMAL），突破光學衍射極限，實現超分辨（<100nm）光學 ...