?3 InP襯底上。活性區(qū)有30個活性/注入器堆棧，平均摻雜從原來的21016 cm - 3減少到標稱的1.61016 cm- 3。InGaAs波導層的厚度從0.3增加到0.4 um， InGaAs波導層中的摻雜水平從81016降低到5 1016 cm?3。包層由2.5 um的InP（摻雜斜坡為51016 ~ 11017 cm?3）、0.5 m厚的InP等離子體增強約束層和重摻雜InGaAs接觸層組成。這與原包層設計的2 um摻雜范圍為11017 ~ 3 1017 cm?3的InP加上1 um重摻雜的InGaAs帽層進行了比較。圖1經過深入的生長條件優(yōu)化，可以從這些器件結構表征中證明良好的材料 ...

材料的InP襯底上生長激光結構。圖3圖2(a)為QC激光器端部在蝕刻短溝槽后的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像，圖2(b)為用鉑填充溝槽后的相同器件。首先，我們使用100 ns寬度和5 kHz重復頻率的脈沖，通過測試蝕刻前后激光器的不穩(wěn)定性，研究了未填充溝槽的影響。實驗裝置如圖4的頂部插入所示，包括一個準直透鏡。，焦距?1.5英寸。另一個相同的透鏡將準直光束聚焦到室溫碲化汞鎘（MCT）探測器上。我們從接收功率中提取斜率效率，并注意到提高了20%，達到1.3 _x0005_ Ith。然而，此后光脈沖變得不穩(wěn)定，導致斜率效率在1.3 _x0005_ Ith以上下降了60%。這表明蝕刻收縮引入的散射不足 ...

活性SERS襯底主要被開發(fā)為高活性SERS襯底。這主要是因為這些均勻的納米多孔結構可以提供高曲率和狹窄的內納米間隙，這在SERS襯底中被稱為“熱點”，導致更強的電磁場增強。例如，由金的脫合金制成的納米多孔Au35A65合金表現出較強的SERS增強性，孔徑小，表面疙瘩型不規(guī)則性細小。此外，納米多孔金的SERS性能可以通過使納米多孔金膜起皺來產生大量的納米間隙用于電磁增強。納米多孔Cu可以通過單相Cu的選擇性腐蝕形成Cu30Mn70的HCl水溶液中的合金。在非常佳形貌下，納米多孔Cu的SERS增強因子達到~1.85×105。有研究稱通過Ag的化學脫合金化形成了納米多孔Ag30Al70合金。增強系數 ...

機溶劑并降解襯底中的PVP。經過TFSI處理和退火處理的SiO2/Si襯底上印刷薄膜的拉曼光譜和光致發(fā)光(PL)光譜如圖3a、b所示。在385.4和404.8 cm-1處的兩個拉曼峰對應于MoS2面內E1 2g和面外A1g的振動模式。 E1 2g和A1g之間的拉曼位移約為19.4 cm-1，表明MoS2納米片層數較少。TFSI修飾后，A1g的波數增加了約2 cm-2。這種A1g模式的轉變可以解釋為TFSI修飾了MoS2表面的缺陷。然而，E1 2g模式比A1g更不敏感，并且沒有改變。在1.87和2.01 eV處的發(fā)射峰與PL譜中的A1和B1激子輻射一致。可以觀察到TFSI處理后PL發(fā)射的顯著增強 ...

明導電氧化物襯底（即氧化銦錫）中溶解，從而降低有機活性層的光伏性能。因此，從PEDOT： PSS與有機活性層之間的界面中分離出酸性PSS，可以有效地解決器件的不穩(wěn)定性問題。由于PEDOT 和 PSS 之間存在靜電相互作用，因此通常會在 PEDOT：PSS HTL 中添加摻雜劑或溶劑，以操縱它們的鍵合并提高器件的功率轉換效率 （PCE）。然而，這種添加可能會影響空穴傳輸材料內的均勻性、親水性和能級排列，從而對其他器件參數產生副作用。太陽能電池在器件架構中集成了HTL和有源層之間的界面層，這不僅可以保護活性層免受劣化，還可以促進和平衡電荷-載流子傳輸現象。理想情況下，空穴界面層應（i）易于制造，（ ...

oS2沉積在襯底上的SiO2/ Si實時觀察。本文發(fā)現，單層MoS2應通過氣態(tài)前驅體反應生長并從襯底上的預成核位點結晶，中間相MoO2對于成核種子至關重要，但種子分布密度應該得到控制，高濃度的S蒸汽促進了MoS2的面內外延生長；因此，獲得具有致密結構的高質量單層是非常有益的。二維過渡金屬二硫族化物（2D TMDs）是一系列具有原子薄層結構的貴金屬半導體。由于其非凡的電學、化學、熱學和機械性能，2D TMDs具有發(fā)展成為電路中下一代電子元件的巨大潛力，如晶體管、存儲器、二極管等，以合理的成本生產高質量單層TMD的可擴展和可控技術對其工業(yè)應用至關重要。然而，晶圓規(guī)模和高質量的2DTMD生長在實踐中 ...

米片用任意的襯底將其浸出水-空氣界面，合成島和納米片。本文中采用原位拉曼光譜分析方法，研究了氫氧化鈷和退火納米片樣品中活性相的性質。從樣品中采集了原位光譜（圖5a），顯示了多個相關物種。值得注意的是，在大約500和15000px-1處觀察到兩個主峰，明確Co（OH）2的存在。在470和17000px?1處出現了與CoO相對應的特征峰。該光譜中其他的較弱特征峰可能是 Co3O4的特征峰.這些結果與TEM和XPS結果非常吻合。在退火樣品的拉曼光譜中，Co3O4的特征峰尤其明顯。具體來說，盡管CoO和Co（OH）2的F2g模式（~200、520 和 610 cm?1）、Eg模式（~12000px?1 ...

圖1a通過在襯底/X/Pt/Co/Ti異質結構中襯底和Pt之間插入種子層X，展示了襯底/X和X/Pt的界面。當電荷電流沿Pt層x方向流動時，自旋向上和自旋向下的電子通過體SHE向相反方向散射，產生沿y方向排列的極化py的自旋電流。在進入Co層后，自旋電流對Co的磁矩施加抗阻尼轉矩τDL≈mx （M × py）和類場轉矩τFL≈M× py。由于Pt的自旋擴散長度（1.6 ~ 3 nm）小于種子層的厚度X和Pt，因此基片/X界面的自旋散射可以忽略，從而導致從基片/X界面反射到Co層的自旋可以忽略。因此，在這種特殊的異質結構中，X/Pt界面的自旋散射而不是襯底/X的自旋散射是主要的。圖1b顯示了Mg ...

D）在InP襯底上生長了QCL結構，該結構由低損耗的InP基波導包層組成，包層位于43個重復的注入/活性區(qū)序列之上。每個注入區(qū)摻雜片密度為1*1011cm-1。采用傳統(tǒng)的III-V型半導體加工技術制備了脊寬為13.5 ~ 21.5 mm的脊波導激光器。采用等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）沉積0.3 mm的SiOx絕緣層，通過電子束蒸發(fā)沉積30 nm/300 nm的薄鈦金頂部金屬觸點，然后將襯底減薄至200 mm，并沉積20 nm/200 nm的鍺金底部金屬觸點。直徑為190 mm的圓形平臺樣品（用于電致發(fā)光和電子傳輸測量）由相同的晶圓使用類似的技術制造，除了不需要SiOx絕緣層。激光器 ...

子阱界面，對襯底溫度、界面切換機制、生長速率、V/III比等生長參數進行了迭代生長條件優(yōu)化。雖然還沒有完全解釋，界面粗糙度肯定在QCL性能的定義中起作用。模擬和實測x射線衍射曲線對比如圖1所示。測量是在用于MWIR QCL設計的InGaAs/InAlAs多層材料上進行的，生長應變分別為~ 1%的拉伸/壓縮應變平衡。總的來說，需要在完整的結構中實現少量的殘余應變，并且x射線圖中的衛(wèi)星峰需要窄才能認為材料質量好。仿真曲線與實驗曲線吻合較好控制生長參數。用極化子C-V測試來監(jiān)測結構中的摻雜情況。采用高分辨率掃描電子顯微鏡（SEM）和諾瑪斯基顯微鏡（Nomarski microscope）技術對生長的 ...