。根據波長、襯底折射率、折射率差、通道的寬度和深度，可以激發一個或多個橫向振蕩模式。單模操作是非常有價值的，因為它是許多集成的光學元件的功能。集成光學元件特別是在光通信技術中通常配備光纖，線性電光效應，也稱為波克爾效應，是一種二階非線性效應，包括在外加電場時光學材料折射率的變化。折射率的變化量與電場強度、其方向和光的偏振率成正比。制造集成光調制器的shou選材料是鈮酸鋰（LiNb3）。如果使用長度為L的電極將電場施加于電導，則電極之間區域的折射率會發生變化，從而產生引導光的相移，相移與所施加的電壓會呈線性關系。圖2：相位調制器圖3：相移這相當于幾伏特，在給定的電極幾何形狀下；對于較長的波長，它 ...

膜層的體積比襯底小，因此有效射頻介電常數近似等于襯底介電常數。石英的介電常數比鈮酸鋰的介電常數小20倍。因此，通過在低介電常數襯底(如石英)上使用TFLN波導，可以實現顯著高于具有相同相互作用長度的體或波導傳感器的靈敏度水平。此外，TFLN傳感器允許太赫茲信號和光信號之間的相位匹配以前，使用相位匹配的TFLN波導調制器已經在實驗中實現了高達太赫茲的調制速度在TFLN平臺中，太赫茲信號的有效折射率幾乎等于SiO2(或石英襯底)的折射率(在波長為1550 nm時為~ 2)，并且不受亞微米厚TFLN的影響。該折射率接近于通過TFLN波導的光導模的有效折射率。因此，在太赫茲信號和光信號之間更容易實現相 ...

熔融二氧化硅襯底上制成，工作波長為1550nm。輸出MMI 2×2結合這些兩相調制信號并產生強度調制信號。該傳感器是用x切割LiNO3制造的，其中異常軸在平面內，平行于傳感器芯片的表面(圖1c)。激光探測光以TE模式在光波導中傳播，激光的電場方向與表面平行。太赫茲波的電場平行于異常軸。太赫茲波和光波都共線傳播。對于這種安排，MZI的輸出由式(1)描述:式(2)中，c為光速，ωopt = (2πc/λ)為探測激光的光頻，ne = 2.15為LiNO3在λ = 1550 nm處的非凡折射率。LiNO3的電光系數為r33 = 30.9 pm/V。太赫茲波電場大小為ETHz，干涉儀臂長度為1，傳遞函數 ...

層將是Si 襯底/3000nm PR。這里PR 將是步驟1 中定義的光刻膠材料。步驟 3. 進行測量測量實際上是一個兩步過程：數據采集和數據分析。它們由 TFCompanion 軟件透明地處理。在第1次測量期間，可能會也可能不會得到完美的結果——需要調整膠片疊層。如果光刻膠的厚度足夠厚（> 1um），可以從厚膜（基于FFT）算法開始。一旦確定了厚度，就可以使用曲線擬合（MarquardtLevenberg 算法）對filmstack 進行微調。此時，根據光刻膠的處理/條件（完全烘烤、未烘烤、部分烘烤等），方法略有不同。如果光刻膠完全烘烤并且柯西系數正確，則無需執行任何操作。否則，需要調整 ...

型，與測量的襯底數據相比較，底部的面板顯示了PETN折射率的實際復分量。在所有三個幀中，豎線都被繪制以突出所有三個圖中的相似特征。在討論PETN擦除后的不同表現之前，首先要注意的是，PETN很容易被異丙醇溶劑溶解。因此，擦干后留下的殘余PETN很可能是含有炸藥的異丙醇薄膜蒸發掉的結果，在鍵盤鍵上留下了一層化學薄膜。因此，在這種情況下，PETN的反射光譜應該是作為薄膜而不是作為稀疏的粉末來建模。圖5右側的面板演示了為什么這種方法是成功的。利用PETN的復折射率數據計算光滑表面的鏡面反射，結果表明，頂板PETN的實測反射光譜與中心板PETN的模擬光譜匹配良好。復雜折射率數據中的相同特征在右側面板上 ...

高分辨率微型FTIR光譜儀由大型線性行程MEMS彈出式反射鏡實現1．光學質量為了在中遠紅外光譜區域達到所需的反射率，靜止和移動的鏡子都需要涂上大量的金屬，特別是金(Au)。過去，在氫氟酸(HF)中釋放之前和之后，確定了典型晶圓級鏡面金屬化的兩個主要技術挑戰:(1)由于與必要的粘附促進劑相關的額外殘余應力，鏡面曲率大幅增加;(2)電子電偶腐蝕，在HF水中，金和多晶硅之間的電極電位差導致多晶硅鏡面優先腐蝕，從而產生顯著的結構不穩定和晶粒結構擴大。圖1為了應對這些挑戰，ChemPen?開發了一種可替代的釋放后金屬化技術，該技術消除了高壓粘附層的使用，進一步為電子電偶腐蝕提供了基本解決方案。使用定制的 ...

以減少MCP襯底的排氣。盡管mcp - mpt作為拉曼探測器似乎已經過時了，但它們的靈敏度令人滿意，具有合適的時間分辨率，并且它們的發展與其他應用相關。例如，zui近的進展表明，mcp - mpt是熒光壽命成像的合適探測器。2. CCDs and ICCDs一般來說，ccd是RS中特別常用的檢測器變體，但對于TG設置，它們需要高度敏感(單光子計數能力)，允許快速外部觸發，并具有亞納秒范圍內的時間分辨率。iccd符合這些要求。光學克爾門控，它的作用就像光譜儀入口狹縫前的一個光百葉窗，已經被幾個小組用來觸發CCD。這種設置需要空間，因此限制了系統的可移植性。Talmi制定了拉曼多通道和門控檢測的選 ...

延法在InP襯底上生長了所研究的激光器。基本結構是先前發表的高速1.55um VCSEL結構，單片集成到一維陣列結構中，光刻定義的間距為250um。對于高帶寬的電信應用，保持較低的寄生電容是必不可少的。這導致如圖1所示的結構，具有10um厚的低介電常數鈍化苯并環丁烯，市售名稱為Cyclotene 3022-57。該裝置本身只有30um寬。芯片的p側觸點可以在設備的頂部和底部進行訪問，以實現各種安裝方式。在制造過程中，去除InP襯底，并集成電鍍金散熱器。頂部和底部鏡面分別由33.5對InGaAlAs-InAlAs和3.5對附加Au涂層的CaF2-ZnS組成。有源區包括七個由拉伸應變勢壘分隔的壓縮 ...

于在硅或石英襯底上轉移晶體離子切片薄層鈮酸鋰。我們的技術采用離子注入、晶圓鍵合、晶體離子切片等方法制備鈮酸鋰單晶薄膜。用這種方法制備的薄膜是單晶的，其光學和電光性質與大塊單晶晶體相同。圖2展示了我們基于鈮酸鋰薄膜平臺的鈮酸鋰電光調制器的制造流程。薄膜鈮酸鋰脊形波導是通過干法蝕刻已沉積的SiN或直接蝕刻LN形成的。在本文的實驗結果中，我們使用了混合SiN-LN波導結構。在形成MESA結構后，涂覆聚合物層，然后在電極位置進行蝕刻。射頻電極zui終通過剝離工藝形成。波導結構由鈮酸鋰核心區域的薄層、二氧化硅（SiO2）底部包層，以及折射率匹配的肋區域（在這種情況下是硅氮化物）組成。波導、多模干涉器（M ...

延法在InP襯底上生長了所研究的激光器。高速1.55umVCSEL結構是其他高速器件的改進版本，具有優化的有源區域、失諧、鏡像反射率和摻雜水平。激光芯片的示意圖如圖1所示。BCB用作低介電常數鈍化，以實現高速運行。外延輸出鏡由32對無基波吸收的InGaAlAs和InAlAs組成。為了在高溫下實現高速運行和足夠的增益，有源區由7個厚度為6納米的重應變InAlGaAs量子阱組成。在接近臨界層厚度的邊緣處，將應變調整為壓縮應變的2.5%（擬晶）。這將提高增益和差分增益，從而實現低閾值電流和高弛豫振蕩頻率。模式增益偏置針對高溫行為進行了優化。因此，可以得到負T0值，即該器件在60℃散熱器溫度時閾值電流 ...