。根據(jù)波長、襯底折射率、折射率差、通道的寬度和深度，可以激發(fā)一個或多個橫向振蕩模式。單模操作是非常有價值的，因為它是許多集成的光學(xué)元件的功能。集成光學(xué)元件特別是在光通信技術(shù)中通常配備光纖，線性電光效應(yīng)，也稱為波克爾效應(yīng)，是一種二階非線性效應(yīng)，包括在外加電場時光學(xué)材料折射率的變化。折射率的變化量與電場強度、其方向和光的偏振率成正比。制造集成光調(diào)制器的shou選材料是鈮酸鋰（LiNb3）。如果使用長度為L的電極將電場施加于電導(dǎo)，則電極之間區(qū)域的折射率會發(fā)生變化，從而產(chǎn)生引導(dǎo)光的相移，相移與所施加的電壓會呈線性關(guān)系。圖2：相位調(diào)制器圖3：相移這相當(dāng)于幾伏特，在給定的電極幾何形狀下；對于較長的波長，它 ...

膜層的體積比襯底小，因此有效射頻介電常數(shù)近似等于襯底介電常數(shù)。石英的介電常數(shù)比鈮酸鋰的介電常數(shù)小20倍。因此，通過在低介電常數(shù)襯底(如石英)上使用TFLN波導(dǎo)，可以實現(xiàn)顯著高于具有相同相互作用長度的體或波導(dǎo)傳感器的靈敏度水平。此外，TFLN傳感器允許太赫茲信號和光信號之間的相位匹配以前，使用相位匹配的TFLN波導(dǎo)調(diào)制器已經(jīng)在實驗中實現(xiàn)了高達太赫茲的調(diào)制速度在TFLN平臺中，太赫茲信號的有效折射率幾乎等于SiO2(或石英襯底)的折射率(在波長為1550 nm時為~ 2)，并且不受亞微米厚TFLN的影響。該折射率接近于通過TFLN波導(dǎo)的光導(dǎo)模的有效折射率。因此，在太赫茲信號和光信號之間更容易實現(xiàn)相 ...

熔融二氧化硅襯底上制成，工作波長為1550nm。輸出MMI 2×2結(jié)合這些兩相調(diào)制信號并產(chǎn)生強度調(diào)制信號。該傳感器是用x切割LiNO3制造的，其中異常軸在平面內(nèi)，平行于傳感器芯片的表面(圖1c)。激光探測光以TE模式在光波導(dǎo)中傳播，激光的電場方向與表面平行。太赫茲波的電場平行于異常軸。太赫茲波和光波都共線傳播。對于這種安排，MZI的輸出由式(1)描述:式(2)中，c為光速，ωopt = (2πc/λ)為探測激光的光頻，ne = 2.15為LiNO3在λ = 1550 nm處的非凡折射率。LiNO3的電光系數(shù)為r33 = 30.9 pm/V。太赫茲波電場大小為ETHz，干涉儀臂長度為1，傳遞函數(shù) ...

層將是Si 襯底/3000nm PR。這里PR 將是步驟1 中定義的光刻膠材料。步驟 3. 進行測量測量實際上是一個兩步過程：數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)分析。它們由 TFCompanion 軟件透明地處理。在第1次測量期間，可能會也可能不會得到完美的結(jié)果——需要調(diào)整膠片疊層。如果光刻膠的厚度足夠厚（> 1um），可以從厚膜（基于FFT）算法開始。一旦確定了厚度，就可以使用曲線擬合（MarquardtLevenberg 算法）對filmstack 進行微調(diào)。此時，根據(jù)光刻膠的處理/條件（完全烘烤、未烘烤、部分烘烤等），方法略有不同。如果光刻膠完全烘烤并且柯西系數(shù)正確，則無需執(zhí)行任何操作。否則，需要調(diào)整 ...

型，與測量的襯底數(shù)據(jù)相比較，底部的面板顯示了PETN折射率的實際復(fù)分量。在所有三個幀中，豎線都被繪制以突出所有三個圖中的相似特征。在討論PETN擦除后的不同表現(xiàn)之前，首先要注意的是，PETN很容易被異丙醇溶劑溶解。因此，擦干后留下的殘余PETN很可能是含有炸藥的異丙醇薄膜蒸發(fā)掉的結(jié)果，在鍵盤鍵上留下了一層化學(xué)薄膜。因此，在這種情況下，PETN的反射光譜應(yīng)該是作為薄膜而不是作為稀疏的粉末來建模。圖5右側(cè)的面板演示了為什么這種方法是成功的。利用PETN的復(fù)折射率數(shù)據(jù)計算光滑表面的鏡面反射，結(jié)果表明，頂板PETN的實測反射光譜與中心板PETN的模擬光譜匹配良好。復(fù)雜折射率數(shù)據(jù)中的相同特征在右側(cè)面板上 ...

高分辨率微型FTIR光譜儀由大型線性行程MEMS彈出式反射鏡實現(xiàn)1．光學(xué)質(zhì)量為了在中遠紅外光譜區(qū)域達到所需的反射率，靜止和移動的鏡子都需要涂上大量的金屬，特別是金(Au)。過去，在氫氟酸(HF)中釋放之前和之后，確定了典型晶圓級鏡面金屬化的兩個主要技術(shù)挑戰(zhàn):(1)由于與必要的粘附促進劑相關(guān)的額外殘余應(yīng)力，鏡面曲率大幅增加;(2)電子電偶腐蝕，在HF水中，金和多晶硅之間的電極電位差導(dǎo)致多晶硅鏡面優(yōu)先腐蝕，從而產(chǎn)生顯著的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定和晶粒結(jié)構(gòu)擴大。圖1為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，ChemPen?開發(fā)了一種可替代的釋放后金屬化技術(shù)，該技術(shù)消除了高壓粘附層的使用，進一步為電子電偶腐蝕提供了基本解決方案。使用定制的 ...

以減少MCP襯底的排氣。盡管mcp - mpt作為拉曼探測器似乎已經(jīng)過時了，但它們的靈敏度令人滿意，具有合適的時間分辨率，并且它們的發(fā)展與其他應(yīng)用相關(guān)。例如，zui近的進展表明，mcp - mpt是熒光壽命成像的合適探測器。2. CCDs and ICCDs一般來說，ccd是RS中特別常用的檢測器變體，但對于TG設(shè)置，它們需要高度敏感(單光子計數(shù)能力)，允許快速外部觸發(fā)，并具有亞納秒范圍內(nèi)的時間分辨率。iccd符合這些要求。光學(xué)克爾門控，它的作用就像光譜儀入口狹縫前的一個光百葉窗，已經(jīng)被幾個小組用來觸發(fā)CCD。這種設(shè)置需要空間，因此限制了系統(tǒng)的可移植性。Talmi制定了拉曼多通道和門控檢測的選 ...

延法在InP襯底上生長了所研究的激光器。基本結(jié)構(gòu)是先前發(fā)表的高速1.55um VCSEL結(jié)構(gòu)，單片集成到一維陣列結(jié)構(gòu)中，光刻定義的間距為250um。對于高帶寬的電信應(yīng)用，保持較低的寄生電容是必不可少的。這導(dǎo)致如圖1所示的結(jié)構(gòu)，具有10um厚的低介電常數(shù)鈍化苯并環(huán)丁烯，市售名稱為Cyclotene 3022-57。該裝置本身只有30um寬。芯片的p側(cè)觸點可以在設(shè)備的頂部和底部進行訪問，以實現(xiàn)各種安裝方式。在制造過程中，去除InP襯底，并集成電鍍金散熱器。頂部和底部鏡面分別由33.5對InGaAlAs-InAlAs和3.5對附加Au涂層的CaF2-ZnS組成。有源區(qū)包括七個由拉伸應(yīng)變勢壘分隔的壓縮 ...

于在硅或石英襯底上轉(zhuǎn)移晶體離子切片薄層鈮酸鋰。我們的技術(shù)采用離子注入、晶圓鍵合、晶體離子切片等方法制備鈮酸鋰單晶薄膜。用這種方法制備的薄膜是單晶的，其光學(xué)和電光性質(zhì)與大塊單晶晶體相同。圖2展示了我們基于鈮酸鋰薄膜平臺的鈮酸鋰電光調(diào)制器的制造流程。薄膜鈮酸鋰脊形波導(dǎo)是通過干法蝕刻已沉積的SiN或直接蝕刻LN形成的。在本文的實驗結(jié)果中，我們使用了混合SiN-LN波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。在形成MESA結(jié)構(gòu)后，涂覆聚合物層，然后在電極位置進行蝕刻。射頻電極zui終通過剝離工藝形成。波導(dǎo)結(jié)構(gòu)由鈮酸鋰核心區(qū)域的薄層、二氧化硅（SiO2）底部包層，以及折射率匹配的肋區(qū)域（在這種情況下是硅氮化物）組成。波導(dǎo)、多模干涉器（M ...

延法在InP襯底上生長了所研究的激光器。高速1.55umVCSEL結(jié)構(gòu)是其他高速器件的改進版本，具有優(yōu)化的有源區(qū)域、失諧、鏡像反射率和摻雜水平。激光芯片的示意圖如圖1所示。BCB用作低介電常數(shù)鈍化，以實現(xiàn)高速運行。外延輸出鏡由32對無基波吸收的InGaAlAs和InAlAs組成。為了在高溫下實現(xiàn)高速運行和足夠的增益，有源區(qū)由7個厚度為6納米的重應(yīng)變InAlGaAs量子阱組成。在接近臨界層厚度的邊緣處，將應(yīng)變調(diào)整為壓縮應(yīng)變的2.5%（擬晶）。這將提高增益和差分增益，從而實現(xiàn)低閾值電流和高弛豫振蕩頻率。模式增益偏置針對高溫行為進行了優(yōu)化。因此，可以得到負(fù)T0值，即該器件在60℃散熱器溫度時閾值電流 ...