n摻雜InP襯底中具有高的自由職業吸收而具有很高的損耗。由于在太赫茲范圍內相對于中紅外指數(nmidir)有更快的頻率依賴有效指數，模態相位匹配只能在相對較窄的頻率范圍內滿足。為了克服這一限制，可以用半絕緣的InP襯底代替有損耗的襯底，并使用?erenkov相位匹配方案從腔中提取THz光，如圖9(b)[41,42]所示。在?erenkov構型中，QCL有源區的THz指數(nTHz)高于中紅外指數，因此基波中紅外波的傳播速度快于DFG太赫茲波。這種相位匹配方案，加上復合DFB陣列設計，允許產生寬范圍的單模太赫茲，即達到1.0至4.6太赫茲(圖10(c))。圖10.室溫下高峰值功率(a)、連續波工 ...

法在SiO2襯底上合成了單層單疇四方三形狀的MoS2薄膜一個區域的拉曼光譜成像。此三方MoS2薄膜的尺寸為~30um。MoS2薄膜的拉曼光譜通過兩個主峰進行表征。一個被指認為E_2g^1模式（對應于在x-y層面Mo和S原子的振動模式），一個被指認為A_1g模式（對應于單胞中z軸方向兩個S原子的振動模式）。峰的精確位置對應于E_2g^1和A_1g的振動模式，并且強度的比值依賴于MoS2樣品層的厚度。從圖1（a）和（b）拉曼光譜頻率圖像中可知，E_2g^1和A_1g峰的位置分別位于384cm-1和405cm-1。這些峰確定了合成的三方薄膜確是MoS2原子薄膜。值得注意的是兩個峰的頻率差為21cm- ...

mm MgO襯底上制備楔形Ta/Pt/[Co/Pd]2/Co/Ru/[Co/Pd]3/Co/Ru SAF薄膜，在基底真空優于8.0 × 10?5 mTorr的條件下，工作氬氣壓力為3 mTorr。楔形Pt層是在沉積過程中通過移動擋板生長的。采用電子束蒸發法制備了Ta/Pt/[Co/Pd]2/Co/Pd鐵磁堆，基壓為5 × 10?6 mTorr。設備是通過標準光刻和隨后的氬離子銑削的方式。磁化和輸運測量在5 μm通道寬度的霍爾十字槽中，通過四點測量，在室溫下對異常霍爾效應和電流誘導磁化開關進行了研究。磁疇圖像和磁滯回線是使用VERTISIS MagVision Kerr成像系統捕獲的，該系統利用 ...

積到熔融石英襯底上。隨后，使用EBL將超表面圖案定義到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA）光刻膠里。在接下來的步驟中，圖案首先通過剝離轉移到鉻(Cr)硬掩模，然后通過電感耦合等離子體反應離子蝕刻(ICP-RIE)進一步轉移到Si層。然后可以通過濕蝕刻劑去除Cr掩模。光刻膠旋涂在樣品上。在第二部分中，通過光刻、電子束蒸發和剝離的一系列過程，鋁掩模使用對準標記在超透鏡孔徑外部精確地形成。實驗結果：(1)a到c為傳統的焦距為30mm的平凸透鏡成像，孔徑半徑分別限制在1、2.38、2.7mm。d到i為合成孔徑超透鏡成像及圖像重建。(2)800nm近紅外拍攝。b、c分別為孔徑半徑為1mm和2.38mm的傳統透鏡 ...

拉曼多組分分析的技術方法拉曼光譜是基于單色光的非彈性散射，是一種可以用來識別特定化學鍵的強大技術。當入射光子和化學分子相互作用時，就會發生光子散射。大多數散射光子是由瑞利散射(一種彈性散射形式)產生的，并且與激發激光具有相同的波長。一小部分被散射的光子是由稱為拉曼散射的非彈性散射過程產生的。雖然與瑞利散射光子相比，光子的數量相對較少，但這些光子的波長和強度攜帶有關特定化學鍵存在的定性和定量信息。在給定的拉曼光譜中，出現在特定波數位置的一組峰可以被描述為識別特定化學物質的“指紋”，同時，峰的高度可以與這種化學物質的濃度有關。多組分分析是拉曼光譜的應用之一。在過去的二十年里，許多研究小組提出了光學 ...

20)和兩種襯底立即在倒置顯微鏡下對準和密封。組裝的裝置包括寬150米、高65米的主流通道、上游位移（平行點）和下游阻抗（45?交錯）電極陣列（圖2）。為了進行實驗，使用平行點電極陣列對流體界面進行電場作用，并在不同的電場頻率下強迫fDEP移位(圖2b-d)。當流體離開第一個位移陣列時，界面應力停止了。由于慣性對流動的影響很小(Re < 1)，流體界面在退出fDEP數組后，立即保持固定在移位位置。然后，我們通過使用第二個交錯電極陣列測量阻抗的大小來確定偏轉位置[1]。3.2實驗物品介紹液體界面由兩種流體組成，每種流體具有不同的電導率(σ)和介電常數（ε）。當被迫以低雷諾數并排流動時，這兩 ...

。集成到智能襯底中的溫度探頭不僅確保了可靠的測量條件，甚至能夠感知薄層中的相變。神經科學細胞功能以及細胞間的通訊都依賴于溫度。特別是神經科學實驗非常依賴于對環境條件的精確和準確的控制，例如對突觸功能、其可塑性或動作電位傳播的研究。在這里，VAHEAT提供了一個不錯的解決方案，在用戶定義的溫度下進行基于熒光甚至膜片鉗的實驗，而不需要龐大的孵育室。原子力顯微鏡原子力顯微鏡(AFM)不僅對小的熱漂移或振動高度敏感，而且對靠近懸臂的電勢的輕微變化也非常敏感。VAHEAT滿足了這些溫度控制的高要求。局部加熱機制避免任何熱漂移或波動，而全模擬電子電路設計降低電子噪聲到較低限度。采用DIRECT模式進一步降 ...

，并呈現出從襯底向上延伸的柱狀結構。不過，隨著薄膜變厚，晶體尺寸增加，而缺陷和晶界的數量減少。這意味著較厚薄膜的外層通常比初始形核層的質量要好得多。下文中會提到的在金剛石薄膜用作熱管理散熱器件時，通常將薄膜與其基材分離，底部的 50-100 um 是通過機械拋光去除。盡管如此，在 CVD 過程中獲得的金剛石薄膜的表面形態主要取決于各種工藝條件，導致其性能表現個不一致，相差很大。這也為作為散熱應用中的一些參數測量，例如熱導率等帶來了很大挑戰。金剛石薄膜的熱管理應用金剛石薄膜在作為散熱熱管理材料應用時，有著不錯的前景，與此同時也伴隨著巨大挑戰。一方面，而在熱學方面，金剛石具有目前所知的天然物質中Z ...

雜InP:S襯底上生長出具有100次重復活性注入區的應變平衡InGaAs/InAlAs激光結構。電致發光器件采用深蝕刻、直徑130μm的半圓形平臺，頂部觸點為Ti/Pt/Au，底部觸點為退火的Ge/Au/Ni/Au，并覆蓋Ti/Au。將Fabry-Perot激光器制作成雙溝槽深蝕刻脊波導激光器，采用380nm SiNx作為側壁絕緣，并向下安裝在復合金剛石底座上。為了進行測試，所有的臺面和激光設備都安裝在AlN上的直接結合銅襯底上。電致發光(EL)光譜在不同溫度和脈沖電流(80kHz重復頻率;脈沖寬度100-500ns)，使用傅里葉變換紅外(FTIR)光譜儀進行步進掃描模式和ln2冷卻MCT探測 ...

。取下后，將襯底薄至~200 μm，通過電子束蒸發沉積20/200 nm的Ge/Au底金屬接觸層。然后將器件安裝在外延側的銅散熱器上。圖3由于前面傾斜，采用遠場測量來確定發射角。如圖1(c)所示，8毫米和12毫米器件的遠場測量是在低于閾值的條件下進行的，溫度為~2.6 A，溫度為80 K，使用液氮冷卻的HgCdTe探測器。與先前報道的器件一致，兩種器件的光發射在正角方向上呈現兩個峰，8mm和12mm器件的半z大全寬(FWHM)分別為~15°和~ 35°。在將器件旋轉到與其各自的峰值發射相對應的角度后，這些器件的光、電流和電壓(LIV)特性在脈沖模式下以電流脈沖寬度進行100納秒，重復頻率5千赫 ...