應(yīng)用。不同的襯底會(huì)對(duì)生長(zhǎng)的二維材料產(chǎn)生影響，使它們的形態(tài)，晶體質(zhì)量，光學(xué)性能等被改變。云南大學(xué)楊鵬教授課題組研究了襯底對(duì)CVD生長(zhǎng)MoS2和WS2的影響。本文主要使用SiO2/Si,Si,石英作為襯底生長(zhǎng)二維材料。形態(tài)&晶體質(zhì)量如上圖a所示，SiO2 / Si襯底上的CVD生長(zhǎng)的MoS2具有規(guī)則的三角形形狀，具有清晰的分層結(jié)構(gòu)，說(shuō)明了合成了不同層數(shù)的MoS2。d是在Si襯底上生長(zhǎng)的MoS2,圖中只能看到針狀納米棒的合成。接著用PTCDA處理了SiO2/Si,Si，PTCDA充當(dāng)CVD外延生長(zhǎng)的成核中心，并有助于在這兩種基底上獲得相對(duì)較大的二維MoS2。但是圖2b,e所示的MoS2結(jié)晶性 ...

過(guò)程向材料的襯底走，進(jìn)而再次達(dá)到平衡狀態(tài)；熱點(diǎn)形成到消失產(chǎn)生的電壓脈沖表示檢測(cè)到光子NbN超導(dǎo)檢測(cè)器具有極低的時(shí)序抖動(dòng)，其光譜靈敏度范圍從可見光到中紅外范圍。SSPD的暗計(jì)數(shù)率極低，通常低于每秒1個(gè)計(jì)數(shù)，并且沒有后脈沖。檢測(cè)器的有效面積約為10 um2探測(cè)效率與暗計(jì)數(shù)系統(tǒng)組成 ...

)紅色硬紙板襯底上的血跡(b)深藍(lán)色牛仔褲上有兩個(gè)沾有血跡的指紋(c)深藍(lán)色卡片上有兩處血跡(d)四個(gè)污點(diǎn)，(A)紅色圓珠筆，(B)咖啡污漬，(C)紅糖污漬和(D)深灰色棉花上的血跡二、淤青老化及檢測(cè)應(yīng)用領(lǐng)域:?家庭和兒童虐待案件?對(duì)事件的敘述進(jìn)行核實(shí)/反駁(如“他星期五在學(xué)校摔倒了”→在周末進(jìn)行真相剖析)?擦傷的形狀-咬痕等?監(jiān)測(cè)受傷情況，估計(jì)事故發(fā)生的時(shí)間相比其他技術(shù)的好處:到目前為止，醫(yī)生是根據(jù)顏色來(lái)估計(jì)瘀傷的年齡的，然而這種估計(jì)是非常主觀的，因?yàn)槿藗儗?duì)顏色的看法是不同的。IQ提供了對(duì)瘀傷部位和年齡的準(zhǔn)確和客觀的判斷。文章題目: Can colour inhomogeneity of b ...

擴(kuò)散。薄膜-襯底界面的聲子輸運(yùn)(長(zhǎng)時(shí)間尺度)圖3.（a）、(b)傳感器-襯底界面聲子弛豫，(c)、(d)不同傳感器下傳感器-襯底界面電子、聲子溫差時(shí)域圖傳感器在將熱能傳輸?shù)綐悠穼悠鹬饕饔谩＿@種轉(zhuǎn)移，特別是聲子能量的轉(zhuǎn)移，取決于傳感器的熱性質(zhì)，這導(dǎo)致?lián)Q能器和樣品間界面處的熱平衡和不同的熱傳遞。當(dāng)達(dá)到熱平衡后聲子溫度開始下降時(shí)，就可以得到這種聲子熱輸運(yùn)。圖3示出通過(guò)雙溫度模型在更長(zhǎng)的時(shí)間尺度上計(jì)算的在150 nm和50 nm厚度下，在金/二氧化硅和鋁/二氧化硅界面處的聲子溫度。圖3(a)和3(b)顯示電子-聲子耦合常數(shù)對(duì)界面聲子溫度的影響。鋁膜中較高的電子-聲子耦合使其熱平衡快于金膜。界面處電子 ...

度。同時(shí)，當(dāng)襯底的熱導(dǎo)率較小時(shí)，換能器層的小熱質(zhì)量也能夠增強(qiáng)對(duì)界面熱導(dǎo)率的靈敏度。圖1顯示了TR-MOKE信號(hào)檢測(cè)方案。為了進(jìn)行TR-MOKE測(cè)量，樣品需要涂上一層薄的垂直磁化傳感器，在測(cè)量前用外部磁鐵磁化。非偏振分束器被插入在轉(zhuǎn)向PBS和顯微鏡物鏡之間，以將反射的泵浦和探測(cè)光束轉(zhuǎn)向檢測(cè)路徑。在檢測(cè)路徑中，泵浦光束被濾波器去除，而探測(cè)光束通過(guò)半波片，然后被渥拉斯頓棱鏡分成兩個(gè)正交偏振分量。調(diào)整半波片，使得兩個(gè)分量具有大致相同的強(qiáng)度。通過(guò)檢測(cè)平衡檢測(cè)器上相對(duì)強(qiáng)度的變化來(lái)監(jiān)測(cè)探測(cè)光束偏振的瞬時(shí)變化。圖1. TR-MOKE探測(cè)方案示意圖。反射探測(cè)光束的偏振態(tài)被渥拉斯頓棱鏡分離，并被平衡探測(cè)器探測(cè)到。 ...

能器的藍(lán)寶石襯底進(jìn)行連續(xù)波和脈沖FDTR測(cè)量的計(jì)算信號(hào)。對(duì)于脈沖解決方案，延遲時(shí)間固定為100 ps圖3.來(lái)自CW和脈沖FDTR在藍(lán)寶石襯底的不同參數(shù)上比率信號(hào)的靈敏度系數(shù)R =–Vin/Vout，藍(lán)寶石襯底由100 nm鋁傳感器覆蓋，使用w0=5 μm的光斑尺寸。脈沖FDTR的延遲時(shí)間固定在100 psTDTR實(shí)驗(yàn)的靈敏度分析可以類似地應(yīng)用于FDTR。雖然有使用相位信號(hào)φ來(lái)導(dǎo)出熱特性的情況，但是為了一致性，比率信號(hào)R這里使用-Vin/Vout，相當(dāng)于相位信號(hào)φ = -arctan(Vout/Vin)。圖3使用w0=5微米的光斑尺寸，比較了在0.05–20兆赫調(diào)制頻率范圍內(nèi)，連續(xù)波和脈沖FDT ...

在Al2O3襯底上沉積的MoS2薄膜的層數(shù)可以直接由ALD循環(huán)次數(shù)控制。通過(guò)使用拉曼光譜（XperRam C，NANOBASE，532nm激光光源下，激光光斑尺寸為1mm，功率為0.6mW）證明了薄膜層數(shù)和ALD圈數(shù)之間成線性關(guān)系，且隨著薄膜層數(shù)的增加摩擦減少，即隨著MoS2厚度的增加，受基地影響的的2D MoS2的層相關(guān)摩擦性能減弱，如圖1（a）和圖1（b）所示。除此之外，通過(guò)高斯公式計(jì)算摩擦力的分布可以得到每次等離子處理的平均摩擦力，且發(fā)現(xiàn)等離子處理10s的Al2O3基地上沉積的MoS2的平均摩擦為1個(gè)ALD循環(huán)，并且其值最低，如圖1（c）所示。基地表面上的官能團(tuán)可以通過(guò)O2等離子處理獲得 ...

纖光柵鑲嵌在襯底材料的表面。由于襯底材料的熱膨脹系數(shù)較大，當(dāng)溫度變化時(shí)，這樣可以增大光纖光柵的縱向應(yīng)變，從而提高溫度靈敏度。鋁合金通常在實(shí)際應(yīng)用中被選擇作為襯底材料。常采用槽結(jié)構(gòu)封裝的光纖光柵溫度傳感器設(shè)計(jì)理念。封裝結(jié)構(gòu)如下圖所示，將光纖光柵用環(huán)氧樹脂封裝固定在一個(gè)刻有細(xì)槽的鋁板內(nèi)（鋁板為鋁合金），細(xì)槽中心要與鋁板中軸線保持平行。當(dāng)封裝的時(shí)候，要保證光纖光柵平直，并處于細(xì)槽的底面軸線上。當(dāng)注入環(huán)氧樹脂時(shí)，要對(duì)其進(jìn)行適當(dāng)加熱，目的是增加環(huán)氧樹脂的流動(dòng)性，以達(dá)到減小氣泡形成的效果，當(dāng)細(xì)槽內(nèi)充滿環(huán)氧樹脂，又不溢出槽外時(shí)，便于加蓋封裝固定。在鋁板四個(gè)頂角上制作四個(gè)螺孔，圖中左邊的兩個(gè)的起到把鋁條與被測(cè) ...

可以用作芯片襯底。該芯片的鉑層或ITO層可以在3分鐘(鉑)到30?s (ITO)之間進(jìn)行加工。同時(shí)，在厚度為100?nm?到1?μm的氮化硅中，打開鈍化窗口是成功的。在傳感器芯片上，以前用于isfet的氮化硅層首次被用作電位ph傳感器的敏感材料。比較了不同層厚度的靈敏度和再現(xiàn)性。在室溫下，自制的60?nm薄膜的靈敏度可達(dá)-53.8?±1.8 mV/pH，Z大漂移率為0.151 mV/h。由于安培式氧傳感器沒有氧選擇性膜，因此必須考慮細(xì)胞培養(yǎng)基中各組分的影響來(lái)對(duì)其進(jìn)行表征。循環(huán)伏安法測(cè)量證實(shí)細(xì)胞培養(yǎng)液中不含影響測(cè)量的電活性物質(zhì)。由于材料和結(jié)構(gòu)的原因，有必要將工作電位降低到- 650?mV相對(duì)于A ...

匹配于InP襯底這種特殊的材料系統(tǒng)的導(dǎo)帶偏移量(量子阱深度)為520 meV。這些基于InP的器件在中紅外光譜范圍內(nèi)達(dá)到了非常高的性能水平，實(shí)現(xiàn)了高于室溫的高功率，連續(xù)的波發(fā)射。1998年，Sirtori等人實(shí)現(xiàn)了GaAs/AlGaAs QCLs，證明了QC概念并不局限于一個(gè)材料系統(tǒng)。這種材料系統(tǒng)的量子阱深度隨勢(shì)壘中鋁的含量而變化。雖然基于GaAs的QCL在中紅外波段的性能水平無(wú)法與基于InP的QCL相匹配，但它們已被證明在太赫茲頻段非常成功。QCLs的短波長(zhǎng)限制是由量子阱的深度決定的，近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)短波長(zhǎng)發(fā)射，在具有非常深量子阱的材料系統(tǒng)中開發(fā)了QCLs。InGaAs/AlAsSb材料體系 ...