本的結(jié)構(gòu)之一異質(zhì)結(jié)為例,我們都知道異質(zhì)結(jié)是兩種不同的半導(dǎo)體相接觸形成的界面區(qū)域,那大家猜猜何謂垂直異質(zhì)結(jié),何謂側(cè)向異質(zhì)結(jié)？何謂核殼異質(zhì)結(jié)？答案很簡單,顧名思義,當(dāng)兩種不同的半導(dǎo)體材料縱向堆疊,此時形成的界面區(qū)域就是垂直異質(zhì)結(jié)；當(dāng)一種半導(dǎo)體材料在x-y平面內(nèi)包含另一種半導(dǎo)體材料,此時形成的界面區(qū)域就是側(cè)向異質(zhì)結(jié)；當(dāng)一種半導(dǎo)體材料在x-y-z空間內(nèi)包含另一種材料,此時形成的界面區(qū)域就是核殼異質(zhì)結(jié).目前異質(zhì)結(jié)主要是由二維材料和石墨烯相互組合形成的,前段時間看了篇報道,是一些同行對一篇名為“Will Any Crap We Put intoGraphene Increase Its Electroca ...

為了形成范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)（vdWHs），垂直集成了二維層狀材料，在這篇文章中首先研究和設(shè)計了垂直場效應(yīng)晶體管（VFET）的范德華異質(zhì)結(jié)在不同漏極偏壓，柵極偏壓和金屬功函數(shù)下的遷移率，WSe2中的陷阱是主要散射來源，它影響了垂直遷移率和三種不同的傳輸機(jī)制：歐姆傳輸、陷阱受限傳輸和空間電荷受限傳輸。通過提高WSe2的費(fèi)米能級來抑制陷阱態(tài)，可以提高VFET的垂直遷移率，這可以通過施加高的漏極電壓來增加注入的載流子密度，或者可以通過分別施加?xùn)艠O電壓和降低金屬功函數(shù)來減小石墨烯/WSe2、金屬/WSe2異質(zhì)結(jié)的肖特基勢壘來實(shí)現(xiàn)。圖1圖1 石墨烯/WSe2/金屬垂直場效應(yīng)晶體管VFET結(jié)構(gòu) a)VFET源極 ...

異質(zhì)結(jié)構(gòu)厚度測量基于ZnO的異質(zhì)結(jié)構(gòu)用于LED應(yīng)用。在異質(zhì)結(jié)構(gòu)中使用多對相同的層來放大光發(fā)射。使用MProbe UVVisSr系統(tǒng)(200nm -1000nm)測量層的厚度并驗(yàn)證其光學(xué)色散。該結(jié)構(gòu)具有重復(fù)60次(ZnO/Al2O3) × 60次的ZnO和Al203層對。為了確定ZnO和Al2O3的光學(xué)常數(shù)，測量了這兩種材料的兩厚樣品。圖1 厚氧化鋁樣品的測量:模型與測量的擬合。測定了Al2O3的厚度和光學(xué)常數(shù)。測量厚度:269 nm(光色散見圖2)圖2 測量所得Al2O3的光學(xué)色散。色散用柯西近似表示圖3 Al2O3薄樣品。從厚Al2O3樣品測定的光學(xué)色散在這里被用來驗(yàn)證樣品的性質(zhì)是有效的薄膜 ...

徑規(guī)劃，針對異質(zhì)結(jié)器件可定制選區(qū)掃描方案。如上圖所示，為我司代理的XperRam Photocurrent光電測試系統(tǒng)光路圖，綠色線條為激光光路。激光通過反射鏡、濾波片、振鏡、擴(kuò)束系統(tǒng)、反射鏡、顯微物鏡后聚焦在樣品表面，樣品在激光照射下產(chǎn)生光電流，電流值通過探針被數(shù)字源表讀出并被軟件記錄。而掃描控制器Scanner會控制振鏡在X和Y方向偏轉(zhuǎn)從而實(shí)現(xiàn)聚焦光斑在樣品表面進(jìn)行X和Y方向的高速掃描，從而樣品被掃描區(qū)域的每個位置的光電流信息得以被探測并記錄，從而實(shí)現(xiàn)光電流成像。 ...

導(dǎo)體多量子阱異質(zhì)結(jié)構(gòu)的重復(fù)堆棧中使用子帶間躍遷實(shí)現(xiàn)的。這個想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的論文“用超晶格在半導(dǎo)體中放大電磁波的可能性”中提出的。在塊狀半導(dǎo)體晶體中，電子可能占據(jù)兩個連續(xù)能帶中的一個——價帶，其中大量填充著低能電子；導(dǎo)帶，其中少量填充著高能電子。這兩個能帶被一個帶隙隔開，在這個帶隙中沒有允許電子占據(jù)的狀態(tài)。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體激光二極管，當(dāng)導(dǎo)帶中的高能量電子與價帶中的空穴重新結(jié)合時，通過單個光子發(fā)出光。因此，光子的能量以及激光二極管的發(fā)射波長由所使用的材料系統(tǒng)的帶隙決定。然而，QCL在其光學(xué)活性區(qū)不使用塊半導(dǎo)體材料。相反，它由一系列周期性的不同材料 ...

的傳統(tǒng)SOT異質(zhì)結(jié)構(gòu)中，SOT可以來源于體旋Hall效應(yīng)(SHE)和界面Rashba效應(yīng)(33,34)，這導(dǎo)致了兩個正交成分: 類Slonczewski轉(zhuǎn)矩(類阻尼轉(zhuǎn)矩)m × m × σ，類場轉(zhuǎn)矩m × σ，其中m為磁化單位矢量，σ為自旋極化矢量。類阻尼力矩主要來源于SHE，負(fù)責(zé)電流驅(qū)動的疇壁運(yùn)動和磁化開關(guān)。在SAF結(jié)構(gòu)中，頂部(TM)和底部(BM)磁層通過非磁性間隔層耦合，這兩層的磁化強(qiáng)度一直反向平行排列，如圖1a所示。磁化開關(guān)行為可以從SHE和DMI的角度來解釋。由于HM/BM界面的強(qiáng)自旋軌道耦合和由此產(chǎn)生的DMI，BM疇壁“↓→↑”和“↑←↓”為Néel-type，具有左手手性。注入電 ...

激子猝滅和在異質(zhì)結(jié)中從供體到受體的電荷載流子轉(zhuǎn)移。對于第1點(diǎn)，PC71BM 薄膜的單重態(tài)激子壽命τS1為10.72 ns，而 eh-IDTBR 薄膜的τS1短得多（6.39 ns）。 這是由于PC71BM有更多的缺陷位點(diǎn)，延遲了PL淬火。對于第二點(diǎn)，測量了eh-IDTBR和PC71BM的TCSPC。光敏層中的單重態(tài)激子衰減與快速擴(kuò)散到供體-受體界面有關(guān)，而長壽命組分與電荷分離后的電荷復(fù)合有關(guān)。此外，PBDTTT-EFT 和 PC71BM 混合物的τCT比PBDTTT-EFT和eh-IDTBR混合物更長，這意味著源自陷阱位點(diǎn)的電荷轉(zhuǎn)移狀態(tài)中的電荷復(fù)合增加了。因此，基于eh-IDTBR的OPD表現(xiàn) ...

了有機(jī)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)界面對光的高效上轉(zhuǎn)換。這個過程是由界面處的電荷分離和重組介導(dǎo)的電荷轉(zhuǎn)移狀態(tài)實(shí)現(xiàn)的。作者：Seiichiro Izawa & Masahiro Hiramoto原文鏈接: https://www.nature.com/articles/s41566-021-00904-w5 快報標(biāo)題: 合成螺旋二色性用于六維光學(xué)軌道角動量復(fù)用簡介：通過無序納米聚集體中的無序誘導(dǎo)合成螺旋二色性，實(shí)現(xiàn)了復(fù)用軌道角動量狀態(tài)作為數(shù)據(jù)加密的獨(dú)立和正交信息載體。作者：Xu Ouyang，Yi Xu，... Xiangping Li原文鏈接: https://www.nature.com/artic ...

，具有埋入的異質(zhì)結(jié)構(gòu)（BH，紅色矩形）增益區(qū)和光柵耦合器（GC）在末端工作組。比例尺，2 μm。e，光學(xué) Fano BIC 的示意圖。f，制造的 Fano BIC 激光器橫截面的 SEM 圖像，顯示了包含 BH 的有源 WG 和無源納米腔。BH 在器件切割后被蝕刻掉。比例尺，200 nm。參考文獻(xiàn)：Yu, Y., Sakanas, A., Zali, A.R. et al. Ultra-coherent Fano laser based on a bound state in the continuum. Nat. Photon. (2021).DOI：https://doi.org/10.1 ...

究垂直范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)(vdWHs)的不同尋常的特性和特殊的器件性能，這種異質(zhì)結(jié)構(gòu)是基于通過vdW相互作用將2dm按精確順序逐層垂直疊加而成的。vdWHs不受晶格匹配和制造兼容性的限制，結(jié)合了不同2dm的優(yōu)點(diǎn)，為新功能的設(shè)計提供了巨大的機(jī)會。為了識別2DMs和vdWHs的各種基本性質(zhì)，需要一種方便的原位表征技術(shù)。在眾多的表征方法中，拉曼光譜是一種快速、無損的表征方法，具有較高的空間和光譜分辨率，在實(shí)驗(yàn)室和大規(guī)模生產(chǎn)中都很適用。一般來說，2DMs中晶格振動(即聲子)的拉曼峰具有幾個突出的特征，包括線的形狀、峰的位置(Pos)、半Z大值處的全寬度(FWHM)和強(qiáng)度(I)，這些特征包含了描述2DMs的 ...