示拉曼光譜,熒光壽命,光電流表征異質(zhì)結(jié)的結(jié)果.拉曼光譜陜西師范大學(xué)徐華老師等人合成ReS2/WS2垂直異質(zhì)結(jié),上圖a是光學(xué)顯微鏡下材料的實(shí)際圖片.圖b黃,紅,藍(lán)三條光譜分別對(duì)應(yīng)圖a中ReS2,ReS2&WS2界面,WS2處.Eg,Ag拉曼特征峰分別代表平面內(nèi)振動(dòng)模式和平面外振動(dòng)模式.隨著層數(shù)的增加,Eg逐漸向低波數(shù)方向移動(dòng),Ag逐漸向高波數(shù)方向移動(dòng),通過(guò)兩個(gè)振動(dòng)的位移差可以判定它的層數(shù).上圖b顯示了在異質(zhì)結(jié)晶粒中兩個(gè)相鄰區(qū)域和一維界面處獲得的拉曼光譜.從ReS2處收集的拉曼光譜在150 cm-1（Eg）,308 cm-1（Eg）和213 cm-1（Ag）處出現(xiàn)特征峰,這與單層ReS2一 ...

。熒光物質(zhì)的熒光壽命指的是當(dāng)其被激發(fā)光激發(fā)之后，該物質(zhì)的分子吸收能量從基態(tài)躍遷到某個(gè)激發(fā)態(tài)，再以輻射躍遷的方式發(fā)出熒光回到基態(tài)。激發(fā)停止之后，分子激發(fā)出的熒光強(qiáng)度降到激發(fā)最大強(qiáng)度時(shí)的1/e所需的時(shí)間被稱為熒光壽命，它表示粒子在激發(fā)態(tài)存在的平均時(shí)間，一般被稱為激發(fā)態(tài)的熒光壽命。熒光壽命僅僅與熒光物質(zhì)自身的結(jié)構(gòu)和其所處的微環(huán)境的極性和粘度等條件有關(guān)，而與激發(fā)光強(qiáng)度、熒光團(tuán)濃度無(wú)關(guān)，因此通常來(lái)說(shuō)是絕對(duì)的。通過(guò)測(cè)定熒光壽命，我們可以直接了解所研究的體系所發(fā)生的變化，了解體系中許多復(fù)雜的分子間作用過(guò)程。時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)法（TCSPC）是目前測(cè)量熒光壽命的主要技術(shù)，其工作原理如下圖所示：使用一個(gè)窄脈沖激 ...

備的鈣鈦礦的熒光壽命（時(shí)間分辨光致發(fā)光TRPL），基于混合陽(yáng)離子單晶工程技術(shù)的和基于常規(guī)溶液混合法的（MA1-xFAxPbI3）1.0（CsPbBr3）0.05（x = 0.8）鈣鈦礦薄膜的壽命分別為44.15ns和32.39 ns。 這表明單晶工程技術(shù)制備的鈣鈦礦的復(fù)合率和陷阱濃度較低。我們可以得出結(jié)論，由于更長(zhǎng)的壽命和更少的缺陷，基于混合陽(yáng)離子單晶工程的鈣鈦礦可以有效地改善高性能PSC的穩(wěn)定性。您可以通過(guò)我們的官方網(wǎng)站了解更多的產(chǎn)品信息，或直接來(lái)電咨詢4006-888-532。 ...

隨著有機(jī)金屬鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的快速發(fā)展，過(guò)去幾年，尋求靈活、廉價(jià)且易于加工的光伏材料取得了新的發(fā)展。這些新型太陽(yáng)能電池很可能很快就會(huì)替代目前硅基太陽(yáng)電池的王者地位。它們具有高載流子遷移率、對(duì)可見光吸收率高和可調(diào)諧的帶寬使其成為低成本太陽(yáng)能電池的選擇。但是鈣鈦礦卻有一個(gè)缺點(diǎn)，它們的穩(wěn)定性是不穩(wěn)定的，它們當(dāng)前的壽命只有2000小時(shí)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于硅的使用時(shí)間（52000小時(shí)）。如果想要將這一新的光伏之星推向市場(chǎng)，更好的理解光物理學(xué)和降解機(jī)制變的尤為重要。 Photon Etc.的IMA面成像高光譜顯微設(shè)備可解答研究人員關(guān)于為什么鈣鈦礦具有杰出性能的疑問(wèn)。IMA可以通過(guò)光學(xué)測(cè)量快速表征二維和三維鈣鈦 ...

電流/熒光/熒光壽命測(cè)量，為研究團(tuán)隊(duì)提供強(qiáng)有力的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。韓國(guó)成均館大學(xué)的 Si Young Lee教授在他的研究Large Work Function Modulation of Monolayer MoS2 by Ambient Gases中使用這套系統(tǒng)，研究了MoS2器件在不同環(huán)境氣體下的工作效率，并最終制出部分鈍化的新型半導(dǎo)體，其理想因子幾乎為1，具有完美的電可逆性，并且通過(guò)光電流成像系統(tǒng)測(cè)得耗盡層寬度為~200nm，比體半導(dǎo)體窄了極多。相關(guān)研究成果發(fā)表在ACS NANO雜志上(ACS Nano 2016,10,6,6100-6107)西班牙IMDEA-nanocientia的Andr ...

光電效應(yīng)與光電檢測(cè)技術(shù)原理當(dāng)光子能量（hν）超過(guò)材料逸出功閾值時(shí)，表面電子吸收光子能量后克服原子核束縛形成自由電子發(fā)射，這一量子化物理現(xiàn)象被稱為光電效應(yīng)（Photoelectric Effect）。愛(ài)因斯坦于1905年通過(guò)光量子理論首次完整詮釋該效應(yīng)機(jī)理，由此產(chǎn)生的定向電荷遷移形成的電流稱為光電流（Photocurrent），其強(qiáng)度與入射光強(qiáng)、材料功函數(shù)及能帶結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。Mapping是一種顯微成像技術(shù)，一般用于研究物質(zhì)的微結(jié)構(gòu)組成，早些時(shí)候應(yīng)用Mapping的是顯微光譜成像，用于研究樣品微結(jié)構(gòu)上的光譜，從而掌握樣品的結(jié)構(gòu)組成與物質(zhì)組分。將激光通過(guò)無(wú)限遠(yuǎn)物鏡聚焦到樣品表面，由于激光經(jīng)過(guò)物鏡聚 ...

單光子是光的最小能量單元。常見單光子探測(cè)器根據(jù)光電效應(yīng)制作而成，這種機(jī)制的主要是雪崩二極管，由于其探測(cè)效率低、暗計(jì)數(shù)比較大，限制其應(yīng)用。而工作于超導(dǎo)態(tài)的單光子探測(cè)機(jī)理在100年以前已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)，隨著近代微電子、微加工技術(shù)的出現(xiàn)，使得超導(dǎo)單光子探測(cè)器才成為可能。超導(dǎo)單光子探測(cè)器（SSPD）由納米帶隙形式的超薄超導(dǎo)膜組成。為了更高效的探測(cè)單光子，該帶隙通常被做成曲線型。為了可以產(chǎn)生電脈沖，在超導(dǎo)帶加DC電流偏置，形成超導(dǎo)臨界態(tài)。當(dāng)窄帶隙吸收光子后，形成具有非平衡濃度的準(zhǔn)粒子區(qū)域。 此時(shí)，電流密度超過(guò)臨界水平，并在納米帶上形成電阻區(qū)域。該電阻區(qū)域是由于單光子在該位置打破了該點(diǎn)超導(dǎo)態(tài)，形成一個(gè)熱點(diǎn)，熱點(diǎn) ...

單光子計(jì)數(shù)器現(xiàn)可分兩大類：時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)器和單光子計(jì)數(shù)器/單光子探測(cè)器；前者更多被稱作時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)器（TCSPC），更多應(yīng)用在比較關(guān)心單光子對(duì)應(yīng)的時(shí)間信息,而其根據(jù)分辨率不同、通道數(shù)不同又存在差異；后者更多被稱為單光子探測(cè)器，因?yàn)槠鋬?nèi)部集成有APD可探測(cè)單光子，對(duì)于要求探測(cè)器精度不高的場(chǎng)景，應(yīng)用更加偏重單光子的數(shù)量，這種產(chǎn)品既涵蓋了單光子探測(cè)器的功能，又集成了單光子計(jì)數(shù)器的功能。本篇著重介紹后者，單光子計(jì)數(shù)器/單光子探測(cè)器（SPD）。基本框圖如下圖所示，主要由APD、偏壓控制、溫度控制、信號(hào)采樣、信號(hào)處理模塊、MCU控制器組成。圖1 系統(tǒng)框圖從上圖可看出，其核心部件是APD；當(dāng)光照射 ...

上篇文章《基于APD型單光子計(jì)數(shù)器系統(tǒng)簡(jiǎn)介》中，簡(jiǎn)單介紹了單光子計(jì)數(shù)器/單光子探測(cè)器（SPD）的結(jié)構(gòu)組成以及模塊功能。本篇文章主要說(shuō)明兩種工作模式。上篇文章中，我們提到了在二極管兩端需要加偏置電壓以促使雪崩效應(yīng)輸出信號(hào)。這兩種模式對(duì)于探測(cè)不可預(yù)測(cè)的光子到達(dá)非常有用。自由運(yùn)行模式可以用于粗略測(cè)量，門控模式用于更高精度測(cè)量。在自由運(yùn)行模式下，APD連續(xù)檢測(cè)光子。在這種配置中，不需要外部時(shí)鐘(異步模式)。每次檢測(cè)到光子，都會(huì)發(fā)送到一個(gè)脈沖，然后在APD上持續(xù)一個(gè)空載時(shí)間(持續(xù)時(shí)間由用戶設(shè)置)。 在空載時(shí)間內(nèi)，即使光子仍在撞擊APD，APD也不會(huì)向外輸出信號(hào)。空載時(shí)間結(jié)束后，可以探測(cè)光子。在門控模式下 ...

基于VS2012搭建quTAG控制環(huán)境quTAG作為一款性能優(yōu)異的TCSPC，其時(shí)間分辨率可達(dá)1ps，最高計(jì)數(shù)率可達(dá)25MHz；但是作為科研、工業(yè)使用的儀器，設(shè)備自帶的PC端操作軟件，可滿足絕大多數(shù)使用場(chǎng)合。對(duì)于需要集成在項(xiàng)目系統(tǒng)中，需要使用設(shè)備的API接口，將設(shè)備控制集成到系統(tǒng)中。基于此，我們以Visual Studio 2012開發(fā)環(huán)境搭建測(cè)試模板，也可以直接聯(lián)系我們獲取項(xiàng)目模板。1、新建工程模板；2、確定、保存，新建一個(gè)hello world；3、可以在qutools官網(wǎng)或者聯(lián)系我們下載QUTAG-LIB-WIN64-V1.4.5.zip壓縮包，解壓后找到inc、lib文件夾。在工程目錄 ...