在磁性材料中折射率不同，從而使得兩種偏振光在磁性樣品中傳播的過程中產(chǎn) 生了光程差，進(jìn)而產(chǎn)生相位差，從樣品中出射后兩種偏振光合成的透射光就表現(xiàn) 為偏振面較入射光來講發(fā)生了一定角度的偏轉(zhuǎn)。塞曼效應(yīng)是指在外磁場中，光源發(fā)出的光的各能級譜線在磁場下進(jìn)一步分裂 成更多條，并且分裂出的各譜線的間隔和外磁場的大小成正比的磁光效應(yīng)，該效 應(yīng)的原理是原子的自旋磁矩和軌道磁矩在外磁場的作用下能級會發(fā)生進(jìn)一步的 分裂。塞曼效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)直接推動了量子力學(xué)的完善并導(dǎo)致自旋這一自由度被發(fā)現(xiàn)。圖1.三種克爾效應(yīng)示意圖，從左至右依次為極向、縱向和橫向克爾效應(yīng)則是說當(dāng)偏振光在磁性樣品表面被反射后，反射光的偏振面相對入射光發(fā)生一定 ...

有藍(lán)寶石的雙折射效應(yīng)。三、具體實驗驗證實驗采用YAG晶體，中心波長1030 nm的飛秒激光器，脈寬約為400 fs，重復(fù)頻率為300 kHz。利用顯微物鏡將激光束聚焦于樣品表面，光斑大小3.5 um。樣品的移動通過高精度三維電控位移臺實現(xiàn)。對YAG晶體樣品表面的不同位置進(jìn)行輻照，所有實驗均在常溫、常壓的空氣中進(jìn)行。單脈沖作用后的燒蝕形貌如圖所示，在單脈沖燒蝕下，損傷坑的直徑隨著脈沖能量的增加而增加而增加。在飛秒激光作用后，在燒蝕坑內(nèi)和周圍形成了一定數(shù)量的納米顆粒。圖1.單脈沖燒蝕形貌記錄多脈沖作用下，孵化效應(yīng)在燒蝕過程中扮演重要角色。在介電材料和半導(dǎo)體材料中，由外部激光作用引起的晶格缺陷，可以 ...

從而引起材料折射率和增益系數(shù)的改變，也會使激光器的發(fā)射波長以階梯形式跳躍變化。而MOGLabs的激光器控制器可以很好的解決這一問題，它是一款超低噪聲半導(dǎo)體激光器控制器，一款集電流控制、溫度控制、頻率鎖定等功能為一體的ECDL控制器，集八大功能于一體，提供用于驅(qū)動ECDL激光器和將其鎖定到外部參考源的重要部件。每一臺DLC控制器都包括：微分低噪聲探測器，700kHz帶寬；超低噪聲二極管電流源，< 100pA/√Hz，直流至1MHz；帶有珀爾帖TEC驅(qū)動的溫度控制器；掃描振蕩器；一對高壓壓電驅(qū)動；解調(diào)器（鎖相放大器）；微分光電探測器；交流調(diào)制源；伺服反饋回路濾波電路；人體工程學(xué)控制，包括5位 ...

于確定它們的折射率、電導(dǎo)率和其他基本參數(shù)。挑戰(zhàn)實現(xiàn)高性能太赫茲時域光譜系統(tǒng)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一是光學(xué)延遲掃描。傳統(tǒng)的太赫茲系統(tǒng)一直使用機(jī)械光學(xué)延遲線，但這樣通常需要在掃描速度和掃描范圍之間進(jìn)行權(quán)衡。長距離的高速移動是這些機(jī)械設(shè)備的重大挑戰(zhàn)。太赫茲時域光譜系統(tǒng)經(jīng)常應(yīng)用于檢查厚度的光學(xué)系統(tǒng)之中，其中反射光需要被較大的光學(xué)延遲所分開，同時，系統(tǒng)也需要足夠的光譜分辨率來解析光譜特征?？焖俚墓鈱W(xué)延遲掃描在滿足這兩個要求方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。通過快速光學(xué)延遲線，太赫茲系統(tǒng)可以部署在快速點掃描應(yīng)用和需要在短時間內(nèi)檢查大表面區(qū)域的工廠中。在這些場景中，機(jī)械的光學(xué)延遲通常難以實現(xiàn)高吞吐量的性能要求。采用單腔雙梳的 ...

-10(a)折射率n值來看，沒有沉積之前即0s時，n值從300nm-800nm不斷減小，在300nm-500nm波段平緩，500nm處驟減，600nm-800nm達(dá)到zui小值且有波動。與0s相比，不同沉積時間在300nm-500nm波段每個沉積時間的變化趨勢一致，數(shù)值上180szui大，360szui小，其余介于二者之間；都在330nm和410nm附近存在波包。在500nm-800nm波段，變化趨勢比較相似，數(shù)值上比0s的大，但是存在波動，特別是180s在600nm附近存在驟減。從圖4-10(b)消光系數(shù)k值來看，0s時k值從300nm-800nm不斷增加，在300nm-500nm波段平緩， ...

移、厚度以及折射率等物理量。工作原理：當(dāng)兩束光的頻率相同、振動方向相同且相位差恒定時，它們可以發(fā)生干涉。通過調(diào)節(jié)干涉臂的長度或改變介質(zhì)的折射率，可以形成不同的干涉圖樣1113。干涉條紋實際上是等光程差的軌跡，因此，分析干涉產(chǎn)生的圖樣需要求出相干光的光程差位置分布的函數(shù)。邁克爾遜干涉儀的zhu名應(yīng)用之一是邁克爾遜-莫雷實驗，該實驗證實了以太的不存在，為狹義相對論的基本假設(shè)提供了實驗依據(jù)。此外，邁克爾遜干涉儀還在引力波探測中得到廣泛應(yīng)用，如激光干涉引力波天文臺（LIGO）等，通過測量由引力波引起的激光的光程變化來探測引力波。邁克爾遜干涉儀還被應(yīng)用于尋找太陽系外行星的探測中，以及在延遲干涉儀，即光學(xué) ...

OLED厚度測量OLED結(jié)構(gòu)用于從電視屏幕到手機(jī)的許多應(yīng)用中。典型的OLED結(jié)構(gòu)包括夾在電極之間的三個薄有機(jī)層:HTL(空穴傳輸層)、EML(電子遷移率)或空穴阻塞層和ETL(電子傳輸層)。圖1 OLED的結(jié)構(gòu)示意圖構(gòu)成OLED結(jié)構(gòu)的薄膜的計量是至關(guān)重要的。MProbe UVVis和MProbe UVVis- msp提供了一種廉價、可靠、非接觸的計量方法?？梢詼y量材料的厚度和光學(xué)常數(shù)。MProbe UVVis可以測量毯狀(無圖案)樣品，MProbe UVVis-msp可以使用非常小的光斑尺寸在像素級進(jìn)行測量。一、測量實例圖2玻璃上ITO(透明導(dǎo)電氧化物)的測量-使用參數(shù)化ITO模型確定厚度和光 ...

PCBA上的涂層厚度測量在pcb制造過程中，通常采用保形保護(hù)涂層來保護(hù)電路。根據(jù)規(guī)格要求涂不同的涂層。涂層范圍從簡單的水溶性防塵涂層(通常< 20μm)到專門的疏水涂層(<1 μm)。MProbe 40可以直接在PCBA上測量涂層厚度，以避免使用測試片的成本和不準(zhǔn)確性。測量可以在PCBA的不同區(qū)域進(jìn)行，包括SMT元件表面，以驗證涂層的均勻性和厚度。測量通常使用40 μm或20 μm的可見或可見-近紅外范圍(400-1000 nm)的測點進(jìn)行。實例1 測量PCB表面的水溶性涂層圖1 涂覆PCB的反射光譜圖2 PCB測量區(qū)圖3 測量結(jié)果:18.4μm涂層和0.6μm界面層圖4 PCB上 ...

粗糙表面上的膜厚測量由于光散射，粗糙表面上的薄膜厚度測量通常具有挑戰(zhàn)性。事實上，表面粗糙度和厚度不均勻性是降低光譜反射系統(tǒng)厚度測量能力的兩個主要因素。然而，這些特性通常存在于許多現(xiàn)實生活中，例如金屬涂層。MProbeMSP提供了一種解決方案來克服這一限制，甚至可以測量z具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用。解決方案的關(guān)鍵是表面粗糙度和厚度不均勻性都取決于測量區(qū)域。通過減小測量點尺寸，可以減少有效粗糙度和厚度不均勻性（在該點內(nèi)觀察到）。一、表面粗糙度表面粗糙度會導(dǎo)致光散射增加。這導(dǎo)致鏡面反射率降低和干擾減弱。編織長度越短，光散射越明顯。因此，長可見光和近紅外(NIR)波長范圍(700-1700nm)更適合表面粗糙度的 ...

該波導(dǎo)由一個折射率高于周圍材料的通道組成。圖1：集成光波導(dǎo)光通過通道壁的全內(nèi)反射來引導(dǎo)。根據(jù)波長、襯底折射率、折射率差、通道的寬度和深度，可以激發(fā)一個或多個橫向振蕩模式。單模操作是非常有價值的，因為它是許多集成的光學(xué)元件的功能。集成光學(xué)元件特別是在光通信技術(shù)中通常配備光纖，線性電光效應(yīng)，也稱為波克爾效應(yīng)，是一種二階非線性效應(yīng)，包括在外加電場時光學(xué)材料折射率的變化。折射率的變化量與電場強度、其方向和光的偏振率成正比。制造集成光調(diào)制器的shou選材料是鈮酸鋰（LiNb3）。如果使用長度為L的電極將電場施加于電導(dǎo)，則電極之間區(qū)域的折射率會發(fā)生變化，從而產(chǎn)生引導(dǎo)光的相移，相移與所施加的電壓會呈線性關(guān)系 ...