門控拉曼光譜儀的設(shè)置和測(cè)量原理門控拉曼光譜儀的組成和典型設(shè)置如圖1(a)所示。執(zhí)行門控拉曼的基本組件是具有合適的重復(fù)率、脈沖寬度和脈沖能量的脈沖激光激發(fā)源。大部分脈沖激光能量聚焦在樣品光斑上用于激發(fā)，但一小部分用于通過延遲發(fā)生器使門控信號(hào)與檢測(cè)序列匹配，并用于與探測(cè)器時(shí)間同步。主要組件如下:一個(gè)脈沖激光器(通常在皮秒時(shí)間范圍內(nèi))，具有快速重復(fù)率(通常在兆赫范圍內(nèi))，一個(gè)延遲發(fā)生器，通過光電可調(diào)延遲設(shè)置同步到探測(cè)器-光譜儀單元，以及一臺(tái)計(jì)算機(jī)，它作為控制器和測(cè)量裝置。圖1(b)顯示了TGRS的時(shí)間分布，具有可調(diào)節(jié)的時(shí)間門和伴隨的熒光抑制。根據(jù)圖1(a)所示的工作原理，探測(cè)器僅在發(fā)射脈沖期間被激活 ...

求。在紅外和拉曼光譜方面的豐富經(jīng)驗(yàn)以及有毒物質(zhì)的檢測(cè)算法使得在STP環(huán)境下對(duì)這些相對(duì)較重的分子進(jìn)行實(shí)際的工程選擇。在邁克爾遜干涉儀中，隨著運(yùn)動(dòng)鏡的運(yùn)動(dòng)范圍增大，分辨率也隨之提高。考慮到所需的光譜分辨率為200px-1，并且在設(shè)計(jì)中有一定的余量，實(shí)現(xiàn)了600μm的峰間行程，這是MEMS機(jī)械運(yùn)動(dòng)前所未有的距離。圖1由于該設(shè)備由于其尺寸而只能表現(xiàn)出中等靈敏度，ChemPen?設(shè)計(jì)可容納max反射鏡尺寸，符合所需的平整度和傾斜度。(其他提高系統(tǒng)靈敏度的輔助技術(shù)仍在研究中)。zui初的ChemPen?設(shè)計(jì)指定了0.5 mm的透明孔徑。基于該尺寸計(jì)算靈敏度，ChemPen?在室溫下能夠在一秒鐘內(nèi)看到6mg ...

前的商用TG拉曼光譜儀提供的光譜分辨率約為5 (cm?1)波數(shù)，而一些基于CCD的系統(tǒng)可以達(dá)到1 (cm?1)以下。然而，大多數(shù)應(yīng)用不需要子波數(shù)分辨率。5. TG拉曼spad探測(cè)器發(fā)展綜述Blacksberg等人和Nissinen等人在2011年首次展示了SPAD技術(shù)在TG RS中的應(yīng)用。Nissinen小組使用300 ps脈沖Nd:YAG微芯片激光器的上升沿，在532 nm激發(fā)波長下，觸發(fā)延遲發(fā)生器和定時(shí)電路，以啟用SPAD，檢測(cè)一個(gè)SPAD元件上收集的拉曼光子。2013年晚些時(shí)候，Kostamovaara等人使用了類似的設(shè)置，證明了對(duì)于大多數(shù)樣品誘導(dǎo)的熒光抑制方案，大約100 ps的門控時(shí) ...

不會(huì)干擾門控拉曼光譜結(jié)果，并且在熒光存在下提高了弱拉曼信號(hào)的信噪比。此外，他指出，樣品中的同步熒光過程限制了拉曼檢測(cè)，門控原理允許使用短門控時(shí)間，并且可以接受更高的暗電流檢測(cè)器，例如未冷卻的pmt。同年，Harries等人首次將TR實(shí)驗(yàn)中的熒光背景抑制水平與在992 cm?1熒光團(tuán)摻雜的苯拉曼帶上連續(xù)激發(fā)的水平進(jìn)行了比較。當(dāng)時(shí)的激光系統(tǒng)和探測(cè)器需要大型、復(fù)雜的設(shè)備，需要非常精確的設(shè)備校準(zhǔn)。到1985年，Deffontaine等人正在測(cè)試皮秒(ps)時(shí)間門控的主動(dòng)和被動(dòng)方法，目的是結(jié)合同步條紋相機(jī)檢測(cè)和光學(xué)Kerrgate來提高信噪比;然而，他們注意到這種方法的適用性有限。同年，Watanabe ...

S)和減位移拉曼光譜，兩者都需要在光譜采集之后進(jìn)行額外的步驟。將傳統(tǒng)的連續(xù)波拉曼系統(tǒng)轉(zhuǎn)換為基于CCD光譜儀的SERDS設(shè)置只需要小小的修改，即合并兩個(gè)稍微波長移位的激光激發(fā)源，通常在全寬半MAX(FWHM)時(shí)分開。一旦熒光變寬或扭曲拉曼峰，計(jì)算方法提高信噪比的能力有限。另一個(gè)缺點(diǎn)是，由于像素對(duì)像素靈敏度的隨機(jī)變化大于實(shí)際的拉曼信號(hào)，它們可以忽略尖銳的拉曼峰值。一個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)是，由于非常窄的拉曼峰與寬熒光之間的差異，它們可以用于基線校正。當(dāng)樣品顯示出幾十個(gè)波數(shù)的更寬拉曼峰時(shí)，這種方法可能會(huì)失敗。此外，在某些情況下，單一參數(shù)的自動(dòng)計(jì)算基線校正可能不適合所有應(yīng)用和樣本類型，因?yàn)?i)數(shù)據(jù)丟失和光譜失 ...

器冷卻。傳統(tǒng)拉曼光譜(RS)的致命弱點(diǎn)是樣品誘導(dǎo)熒光發(fā)射。這是一個(gè)競(jìng)爭現(xiàn)象，發(fā)生在相對(duì)較弱的拉曼散射下，并且可以模糊整個(gè)拉曼光譜，使材料的識(shí)別或量化成為不可能。解決這一問題的有效方法是時(shí)間門控(TG)，這是信號(hào)處理中常用的一種技術(shù)。熱重光譜的目的是測(cè)量特定時(shí)間段內(nèi)的信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)瞬態(tài)過程的監(jiān)測(cè)。早在20世紀(jì)70年代，隨著科學(xué)家們?cè)跍y(cè)量過程中尋找去除熒光背景信號(hào)的方法，TG就進(jìn)入了RS領(lǐng)域。然而，TG拉曼直到zui近幾年才開始商業(yè)化。為了擴(kuò)大RS的普遍適用性，克服熒光限制是很重要的。RS基于從激發(fā)波長位移的光子的非彈性散射，稱為Stokes和AntiStokes位移。它用于提供給定樣品中受激分 ...

e） Ag的拉曼光譜2O 和 MNPA。圖1顯示的是還原誘導(dǎo)法制備NMPA的工藝示意圖，圖二是MNPA樣品的表征圖。全面減少Ag2O可以通過更靈敏的拉曼光譜證實(shí)，還原樣品基本上是無特征的（圖2（e））。此外，還原后較大面積樣品的能量色散X射線光譜（EDS）光譜表明純銀相（圖2（a）中插圖）。EDS中的Au信號(hào)歸因于樣品的Au噴霧處理，以改善其SEM圖像。與傳統(tǒng)的脫合金方法相比，這是通過還原法制造清潔多孔金屬的另一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)，它避免了引入任何犧牲材料和第二組分，排除了生產(chǎn)中殘留物污染和化學(xué)廢物的可能性。據(jù)報(bào)道，納米多孔襯底中殘留組分對(duì)SERS增強(qiáng)的影響不容忽視，例如，納米多孔銅襯底中殘留的Mn可 ...

現(xiàn)熒光光譜、拉曼光譜、熒光壽命、透射光譜、器件泵浦探測(cè)、光子反聚束多種探測(cè)模式，在原位超低溫、磁場(chǎng)、電化學(xué)、放射性材料等多種條件下均可使用。圖6：DMD（數(shù)字微鏡陣列）和SLM（空間光調(diào)制器）在本文中，提出了一種仿生高動(dòng)態(tài)范圍偏振成像傳感器。該傳感器以兩種方式模擬了螳螂蝦的視覺系統(tǒng):(1)它利用了四個(gè)不同的像素偏振濾波器，偏移45°，并集成了光敏元件;(2)底層光電二極管以正偏模式工作，對(duì)入射光子產(chǎn)生對(duì)數(shù)響應(yīng)。通過整體結(jié)合這兩項(xiàng)進(jìn)步，我們創(chuàng)建了一個(gè)快照偏光計(jì)，工作速度為30 fps，動(dòng)態(tài)范圍為140 dB。傳統(tǒng)CMOS成像傳感器通過在反向偏置模式下操作單個(gè)像素的光電二極管，在入射光子通量和輸出 ...

鏈狀結(jié)構(gòu)，在拉曼光譜(圖b)中，熱處理后C=C鍵在1641 cm?1處的特征峰消失，說明PEGDA交聯(lián)成功，但LiTFSI中C - N - C鍵在747 cm?1處的特征峰和SN41中C - C≡N鍵在814 cm?1處的特征峰沒有明顯變化，說明這兩種物質(zhì)在高溫下仍能保持原有的活性交聯(lián)PEGDA骨架。這意味著熱處理不會(huì)破壞添加劑SN和LiTFSI在SPE體系中的鋰離子導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，而是可以使它們以非晶態(tài)均勻分布在SPE中，提高其離子導(dǎo)電性。在PLS內(nèi)部，SN具有較強(qiáng)的極性，其與TFSI-離子的相互作用削弱了其與Li+離子的結(jié)合，使得Li+離子在聚合物體系中更加活躍。圖2.PEGDA在60℃下加熱一 ...

的印刷薄膜的拉曼光譜 b）TFSI模式前后的MoS2的印刷薄膜的熒光光譜考慮到嵌入過程中納米片的潛在損傷，需要額外的后處理，如雙(三氟甲烷)磺酰亞胺(TFSI)改性和退火。將打印后的器件在80℃的TFSI溶液中浸泡1 h，然后在400℃的Ar中退火，去除有機(jī)溶劑并降解襯底中的PVP。經(jīng)過TFSI處理和退火處理的SiO2/Si襯底上印刷薄膜的拉曼光譜和光致發(fā)光(PL)光譜如圖3a、b所示。在385.4和404.8 cm-1處的兩個(gè)拉曼峰對(duì)應(yīng)于MoS2面內(nèi)E1 2g和面外A1g的振動(dòng)模式。 E1 2g和A1g之間的拉曼位移約為19.4 cm-1，表明MoS2納米片層數(shù)較少。TFSI修飾后，A1g的 ...