超連續光譜研究折射率和色散曲線摘要：本文講述的材料在折射率和色散的準確測量的應用，并對折射率，色散等進行了原理簡述。超連續譜激光在很多領域都有著積極的應用，入光學，生命科學，氣象學，材料學等領域應用，今天了解一些在材料上的應用，先了解下折射率和色散，他們兩者是有著密切關系的，需要關注到的一個相關方面是，材料的折射率隨波長變化，這種變化稱為色散。由于這種依賴性，他們認為選擇一種可以測量不同波長光譜的光源是至關重要的。折射率：折射率是光在真空中的傳播速度與光在該介質中的傳播速度之比。它描述了一個介質對光的折射能力，即光從一個介質進入另一個介質時傳播方向改變的物理量。折射率的公式為：n=vc，其中n ...

介電層組成，折射率對比度為Δn≈1。半VCSEL經過處理并嵌入鍍金基板中。金和上述介質DBR的組合使整個調諧范圍內的反射率幾乎達到100%。圖1 MEMS-VCSEL的示意圖。采用表面微加工的方法，在BCB半VCSEL上沉積了11.5對SiNx/SiOy對組成的MEMS-DBR。微機電系統可以通過電熱驅動來調節發射波長為了提高高速運行，必須降低器件的寄生電阻和電容。由于隧道結結構，大部分低導電性的半導體p材料被高導電性的n材料所取代，半vVCSEL的歐姆電阻相對較低。為了降低寄生電容，平臺周圍的半導體被低k聚合物BCB取代。Al-GaInAs/InGaAs量子阱設計用于高壓縮應變操作，以獲得更 ...

BR電介質的折射率、減小孔徑尺寸以及通過適當的電弧減小光學損耗等措施可以改善該特性。|H(f)|2的3db角頻率相對于高于閾值的電流的平方根也繪制在圖8(c)中。該曲線在低電流狀態下用線性直線方程擬合。斜率表示為調制電流效率因子（MCEF），提取的MCEF為2.11.7GHz/mA1/2。不同調諧波長下S21調制響應的3db角頻率如圖8(d)所示。在47nm的調諧范圍內獲得了3db小信號調制帶寬>4.63GHz。圖8 (a)在閾值電流Ith=5.8mA以上，14μm BTJ直徑的MEMS VCSEL在不同偏置點下的小信號調制響應的S21參數(b)共振頻率fR對高于閾值(I-Ith)1/2 ...

，纖芯與包層折射率n1,n2），達到調整光纖的波導常數（歸一化頻率）V值，使之滿足如下條件：從而實現光纖中只有基模HE11（或標量模LP01）單一模式傳輸，而臨近的高次模TE01模、TM01模、HE21模（標量模LP11模）均截止。V值的選取不同，將影響光纖芯、包層中所占的光功率，如V=2.405，芯、包層功率比為0.84：0.16；V=1時，芯包功率比為0.3：0.7。即V值越小，轉移到包層中的光功率越多。因而實際的單模光纖其歸一化工作頻率的選擇一般在2.0-2.35。對滿足弱波導條件的歸一化方程稍加簡化變形，可以得到單模光纖的設計方程：在單模光纖設計中，需要重點考慮的因素是光纖芯徑。為了避 ...

介質材料的高折射率使得僅使用3.5對反射鏡即可實現非常高反射率的分布式布拉格反射器（DBR），與需要30-40對反射鏡的半導體DBR相比，DBR要薄得多。這使有效腔長度減少了50%以上，并大大降低了光子壽命，這一效應直接增加了器件的帶寬InPBTJVCSEL概念包括一個特定的處理步驟，其中大部分半導體材料被蝕刻掉，為晶圓上的每個激光器產生一個定義的半導體平臺結構。這個制造步驟產生的空隙隨后被苯并環丁烯（BCB）填充，這是一種聚合物材料，被旋轉到晶圓上并在高溫下固化。被測設計（DUT）的平臺直徑已進一步優化，以保持寄生到Min。如圖1(a)所示，在室溫下，光子壽命的降低和寄生率的降低都可以極大地 ...

如果考慮有效折射率近似為n = 3.2的材料中的波長，則λ = 4.5 μm和λ = 10 μm的自由空間激光波長分別可以估計出λ/n = 1.4和3.1 μm。由于器件的幾何形狀以及制造和設計的限制，典型的主動導芯厚度在DAR = 1.5 ~ 2.5 μm范圍內。因此，λMWIR/n < DAR < λLWIR/n，我們可以預期，雖然MWIR激光器將具有較高的約束因子，通常在85%范圍內，但LWIR激光器將無法達到類似的重疊因子，通常在60-70%范圍內。圖2說明了這一概念，繪制了光模式約束作為波長的函數，對于具有相似波導參數的MWIR和LWIR激光器。圖3LWIR激光器的優點之 ...

需的波導有效折射率的周期調制。包層和頂層生長在圖案核心材料的頂部，特別小心，以便在光柵層頂部再生的末端獲得一個平坦的表面。隨后的器件制造過程如下對于法布里-珀羅埋地異質結構器件。在圖2(b)中可以看到z終DFB制造器件沿著波導腔切割的SEM圖像，其中活性材料頂部的薄光斑表明存在InGaAs犧牲層。在側裂波導中，這代表了通過電子束圖案化和蝕刻InGaAs層獲得的周期性結構。當需要時，通過介質沉積在先前隔離的激光切面上的金屬涂層進行電子束蒸發來完成HR涂層。金屬涂層的優點是對所有波長的背面輻射都具有高反射性，但缺點是由于焊接材料和背面金屬化之間發生電接觸，降低了外延側向下安裝設備的成品率。更多詳情 ...

生長InP低折射率層作為光波導的頂部包層。在另一種方案中，犧牲InGaAs蝕刻層在距離有源核心一定距離的地方生長，中間有一個InP緩沖層。這使我們能夠使用選擇性蝕刻，并在不影響有源區域的情況下通過InGaAs層進行蝕刻。埋藏異質結構的選擇性生長和接觸沉積完成了激光加工。圖5圖6單模器件的結果如圖5所示，在15?C下，我們從單個發射極獲得了高達約Pout = 180 mW的連續功率。2毫米長的器件安裝在正面朝下，并在高達60°C的連續波中工作，輸出功率為10 mW。典型光譜如圖6(a)所示，其中對數尺度表示30 db側模抑制比。從連續波亞閾值光譜[圖6(b)]，我們可以確定布拉格阻帶的寬度，對應 ...

直接放置在高折射率的玻璃蓋片上，該蓋片通過邊緣耦合連接由LED或激光提供的照明[10]。總之，LED和激光在光譜分布、電光轉換效率和輸出空間分布方面有著明顯的區別。其中，空間分布對于定義它們的應用非常重要。即便如此，激光應用和LED應用之間存在著相當大的重疊，這得益于能夠在共同的控制和光學基礎設計下容納這兩種類型的光源。z終，只有在仔細考慮空間分布的同時，結合針對分析和成像儀器需求定制的光譜和強度規格，才能構建出適當的照明，以服務于眾多需要光子支持的生命科學和材料科學應用。如果您對Lumencor光源有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.arouy.cn/t ...

,將引起材料折射率n(r)的各向異性。(2)應力雙折射：主要指來自材料內部的熱應力和材料外部的機械應力,材料在受到應力引起材料折射率的變化即彈光效應而產生雙折射。(3)外界電磁場引起的雙折射：橫向電場在光纖中引起的克爾(Kerr)效應會產生線雙折射,縱向磁場在光纖中引起的法拉第效應會產生圓雙折射。保偏光纖的制造。保偏光纖常用的引入高雙折射的方法可在預制棒的光纖芯中引入幾何對稱的不均勻應力來實現，通過在纖芯兩側加入兩種改進玻璃組分的應力棒。應力型保偏光纖主要是依靠嵌入的應力棒和光纖纖芯的熱膨脹系數的不同來產生熱應力，在熱應力作用下導致材料折射率的變化，從而產生雙折射效應。另一種方案是采用橢圓形的 ...