YAG晶體，中心波長1030 nm的飛秒激光器，脈寬約為400 fs，重復頻率為300 kHz。利用顯微物鏡將激光束聚焦于樣品表面，光斑大小3.5 um。樣品的移動通過高精度三維電控位移臺實現。對YAG晶體樣品表面的不同位置進行輻照，所有實驗均在常溫、常壓的空氣中進行。單脈沖作用后的燒蝕形貌如圖所示，在單脈沖燒蝕下，損傷坑的直徑隨著脈沖能量的增加而增加而增加。在飛秒激光作用后，在燒蝕坑內和周圍形成了一定數量的納米顆粒。圖1.單脈沖燒蝕形貌記錄多脈沖作用下，孵化效應在燒蝕過程中扮演重要角色。在介電材料和半導體材料中，由外部激光作用引起的晶格缺陷，可以在帶隙中產生額外的能級。新的激發路徑的存在有利 ...

L發射光譜的中心波長（PL峰值位置），因為該中心波長對應于半導體材料光學帶隙的獨特能量，并且大部分光子通過這種躍遷從材料發射。因此，QFLS被分配給這個中心波長。為了檢測劃線或線邊緣區域的中心波長偏移，確定了在每種情況下出現 PL 發射zui大值的局部中心波長，該波長來自對 PL 光譜的逐像素分析。中心波長的測定結果如圖1（上行）所示，顯示了兩張以（A）ns和（B）ps脈沖為模式的劃線圖像，具有zui佳通量和先前確定的相應zui佳通量。在這兩種情況下，劃線線旁邊和內部的中心PL波長都在758nm ±3 nm的窄范圍內，對應于約1.64 eV的光帶隙能量。激光劃線溝槽內的低強度信號來自少量殘留的 ...

：其中：λ是中心波長，Δλ 是光源的帶寬。需要注意的是，這個光譜是指在探測器上測量到的光譜，可能與光源的發射光譜不同，這是由光學元件和探測器本身的響應造成的影響所致。需要注意的是，嚴格來講上述公式僅適用于高斯形光譜，對于其他光譜形狀僅可作為一個分辨率估算參考。對于任意已知形狀的光譜，應估算軸向擴展函數以了解可實現的分辨率和可能的邊帶。下圖中的軸向分辨率方程的圖顯示了三個不同中心波長的情況，展示了光源帶寬對近紅外常用工作帶中的軸向分辨率的影響2.成像深度OCT（光學相干斷層成像）的成像深度主要受光源在樣品中的穿透深度限制。此外，在傅里葉域OCT中，深度還受到光譜儀有限像素數和光學分辨率的限制。如 ...

度和分辨率的中心波長和帶寬，然后選擇適合您應用的相機、速度和連接。如您對Wasatch OCT光譜儀感興趣，連聯系Wasatch Photonics中國代理商：上海昊量光電設備有限公司更多關于Wasatch OCT光譜儀詳情請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.arouy.cn/details-2006.html更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光器、光電調制器、光學測量設備、光學元件等，涉及應用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、科學研究、國防、量子光學、生物顯微、物聯傳感、激光制造 ...

會選擇更長的中心波長,1300 nm就是這個穿透深度的OCT的首xuan波長。美國Wasatch公司的Cobra 1300光譜儀系列提供1.4-11.5毫米的成像深度（在空氣中），具體取決于帶寬。然而，隨著帶寬的增加，成像深度減小。因此，當需要更深的成像時，使用帶寬較窄的系統。盡管1300 nm OCT為許多結構的大深度成像提供了足夠的深度，但使用這種波長需要用到InGaAs相機，InGaAs相機相對于于800 nm SD-OCT的CCD或CMOS相機要昂貴得多。通過使用較短的中心波長（CWL），光譜儀成本可以降低約40%，但必須也要減少帶寬（BW）以保持相同的空間分辨率。但要想使用800 n ...

器的脈沖光，中心波長為1539.47nm，通過一個80ps延遲線干涉儀（Optoplex DPSK相位解調器）。源干涉儀每個時鐘周期產生兩個脈沖，用于編碼early/late的基礎狀態（|e?, |l?），隨后由一個二次諧波生成（SHG）模塊上轉換，并通過一個type-0的自發參量下轉換（SPDC）模塊（Covesion），由下轉換產生糾纏光子對。SPDC模塊是一個耦合進入的25px氧化鎂摻雜鈮酸鋰（MgO:PPLN）波導，具有18.3μm周期。上轉換的脈沖在769nm處具有243 GHz（0.48nm）的全寬半高帶寬，這連同SPDC波導的相位匹配條件，定義了一個寬的聯合光譜強度（JSI）函數 ...

器的脈沖光，中心波長為1539.47nm，通過一個80ps延遲線干涉儀。源干涉儀每個時鐘周期產生兩個脈沖，用于編碼early/late的基礎狀態（|e?, |l?），隨后由一個二次諧波生成（SHG）模塊上轉換，并通過一個type-0的自發參量下轉換（SPDC）模塊（Covesion），由下轉換產生糾纏光子對。SPDC模塊是一個光纖耦合進入的25px氧化鎂摻雜鈮酸鋰（MgO:PPLN）波導，具有18.3μm周期。上轉換的脈沖在769nm處具有243 GHz（0.48nm）的全寬半高帶寬。鎖模激光器（Pritel UOC）的脈沖通過80ps延遲線干涉儀分成兩束，然后在二次諧波生成+摻鉺光纖放大器（ ...

反射率阻帶的中心波長，因此根據2 B eff Β n Λ Λ =，其中B Λ為布拉格波長，eff n為有效折射率，Β Λ為光柵周期。光柵的深度、輪廓、占空比和總長度等參數也會影響光柵的耦合強度。圖1圖1為該結構的仿真圖，其中布拉格周期為0.7μ B Λ = m，對應的布拉格波長為Λ B = 4.5μm和3.214。圖1(a)為該結構的模擬反射率，其中未銑削區域的折射率設為n = 3.214。紅、藍、綠三色曲線表示在一定光柵長度和深度范圍內的反射率阻帶。圖1(a)的插入部分顯示了使用長200μm、深2.5μm光柵前后QC脊狀激光器的光譜輸出。指數對比度Δn = 0.02和0.08分別對應的光柵深 ...

鏡系統，使用中心波長為1064nm的單模光纖激光器，示意圖如圖3所示。圖3 縮束組件設計光路在實際的測試過程中，鏡片的制造調試誤差會在系統中引入波前畸變，zui終影響M2的測量。為了驗證波前畸變對M2的影響，根據圖4所示的流程圖進行仿真。圖4 仿真縮束組件波相差對激光M2的影響圖5為0°視場下縮束組件的波前圖和各項系數，通過zemax分析可知當入射波長為1064nm時，PV值為0.0039λ，低于λ/10的設計要求。圖5 0°視場下縮束組件波前圖圖6為0°視場下縮束組件的激光M2曲線，根據該結果可知，當視場為0°時，x方向的M2為1.0338，Y方向的M2為1.0340。而隨著視場角度的逐漸增 ...

內連續調諧，中心波長為1554 nm。1555 nm發射的MEMS VCSEL的小信號調制響應如圖1(a)所示。在1555 nm處，VCSEL的閾值電流為6 mA，在32 mA時發生熱滾轉，對應的Max輸出功率為1.42 mW。在4.9*偏置電流下獲得7.05 GHz的3dB帶寬。器件的D因子為 1.6GHz/mA1/2，Max諧振頻率fR,max為5.81 GHz，如圖1 (b)所示。線性擬合曲線的彎曲是由于19 mA偏置電流I時發生的熱阻尼效應，相對較小的D因子可能是由于內置氣隙導致的腔長較大，以及對MEMS DBR的高穿透深度和大電流孔徑。為了進一步提高S21響應的3dB帶寬，需要更大的 ...