寬可調諧1550納米MEMSVCSEL的10gb/s直接調制(1)-簡介自1977年Iga首次提出垂直腔面發射激光器（VCSEL）以來，為了使其成為光通信中具有競爭力的高速光源，已經進行了大量的發展。發射波長在850nm左右的GaAs VCSEL由于具有高調制帶寬和光輸出功率，已經成為部署在多模光纖局域網中的主導光源。報告的z高數據速率可達71Gb/s，適用于鏈路長度<100m的數據中心應用。另一方面，在1300-1600nm波長范圍內發射的長波長VCSEL在電信領域也取得了顯著的成熟水平。對于快速發展的應用，如計算機通信、接入網、無線基站之間的互連和通信，它們是非常有吸引力的光源。與傳 ...

1550nm中心波長周圍的120nm波長范圍內的反射率為>99.5%。每層的光學厚度為λ0/4（中心波長λ0=1550nm）。由于DBR提供了寬阻帶，因此強烈鼓勵選擇介電材料。值得一提的是，MEMS的熱膨脹對反射率阻帶的影響可以忽略不計。圖2 低溫PECVD沉積表面微機械MEMSDBR的工藝流程制造步驟在圖2中簡要說明。首先沉積一層λ0/4厚、折射率n=1.7的介質增透涂層（ARC）。對于沒有電弧的MEMS VCSEL，隨著氣隙的增加，反射相移發生得更快，因此，與帶有電弧的MEMS VCSEL相比，FSR更小。由于FSR是連續調諧的zui終限制因素，因此，對于需要非常寬的調諧范圍的應用來 ...

續單模調諧，中心波長為1554nm。在1584nm的發射波長處，激光模式與下一個高階縱向模式競爭，當MEMS電流高于27mA時，縱向模式zui終在1524nm處開始激光。排放峰值隨加熱功率的變化如圖4(b)所示。依賴于Lair的發射波長λ與加熱功率P熱成正比，也與調諧電流Imems的平方成正比：其中，Rmems=40Ω為MEMS電極的歐姆電阻。由于工藝相關問題，ARC部分蝕刻。因此，激光器無法調諧到整個FSR，該MEMS VCSEL的FSR為94nm。值得一提的是，FSR可以通過進一步減小犧牲層的厚度來提高，從而使半VCSEL和MEMS DBR之間的初始氣隙變小。光輸出功率(P)和電壓(V)隨 ...

，調諧范圍的中心波長與邊緣波長相比具有更低的功率懲罰（參見圖11中1527和1582nm的BER曲線），這符合器件的小信號調制響應趨勢（中心波長具有更大的3dB帶寬S21）。圖11 BTB 10Gb/s OOK直接調制的誤碼率性能與接收光功率的函數關系為了獲得1550nm電信波長附近的可調諧發射，通過表面微加工將基于SiNx/SiOy的寬帶反射率MEMS DBR集成到BCB封裝的高速半VCSEL中。本文介紹了PECVD生長MEMS的制備方法。通過電熱驅動MEMS電極，實現了60nm的寬調諧，中心波長為1554nm。在1550nm處，MEMS VCSEL的光纖耦合Max輸出功率為1.42mW。半 ...

3.4%。中心波長為λ = 7.85 μm，特征溫度為T0 = 145 K。閾值電流對溫度的靈敏度越小從QCL-A到QCL-C器件的T0值的增加可以部分地證明，由于較長波長激光器中較高激光能級的能量較低，更小比例的熱電子損失到傳導帶連續體中，從而提高了注入效率。圖4QCL-D器件的發射特性如圖4所示。對于寬度為12 μm，長度為4 mm的器件，在λ = 8.9 μm的中心波長處，激光器的總輸出功率為>.8 W（無涂層的兩個面輸出之和）。在15?C連續工作時，典型的功率轉換效率約為η = 4%，特征溫度為T0 = 149 K，與以前器件在更長波長的情況下觀察到的T0增加一致。圖4和圖2中 ...

m帶寬。激光中心波長為637 nm（紅色）和748 nm（近紅外）。（d）由CELESTA光引擎（Lumencor, Beaverton, OR）產生的光通過直徑為1.5毫米（NA = 0.39）的多模光纖傳輸后的角度分布。激光中心波長為405 nm（紫色）、477 nm（青色）、545 nm（綠色）和639 nm（紅色）。（e）由CELESTA光引擎（Lumencor, Beaverton, OR）產生的光通過方形0.4毫米×0.4毫米（NA = 0.22）的多模光纖傳輸后的角度分布。激光中心波長為405 nm（紫色）、477 nm（青色）、545 nm（綠色）和639 nm（紅色）。（f） ...

入射角度微調中心波長，且光學密度（OD值）保持不變。2、全qiu驗證：已獲中科院等眾多國內外頂尖高校和科研機構采用，成果發表于《Nature Medicine》《Science of the Total Environment》等期刊。3、常規產品以及定制化服務：標準波長：488nm, 514.5nm，532nm,633nm，785nm,1064nm;定制化波長：350-2500nm波長內均可定制，定制波長示例：360nm,405 nm, 442 nm, 457nm, 473 nm, 477 nm, 491 nm, 502 nm, 544 nm, 552 nm, 561 nm, 568 nm, ...

柵參數設置：中心波長：1.9-3um波段（例如1908nm,2090nm, 2109nm,2122nm等）;衍射效率：10%-99%;FWHM: 0.1-2nm;尺寸大小：8mmx 6mm （可選擇具體尺寸）;VBG/RBG在半導體光刻中的具體應用近期某研究成果顯示，2109nm RBG 光柵在激光波長基準源（Wavelength Reference）和光路熱穩定性監測中起到了重要的作用。通過優化光柵的布拉格波長匹配和衍射效率（90-99%），實現了半導體光刻中激光光源的線寬壓縮至 < 100kHz。實驗驗證了光柵在高溫環境（400℃）下的熱穩定性，其波長漂移量 < 0.005nm ...